一种数模转换芯片输出结构制造技术

本发明专利技术的一个实施例公开了一种数模转换芯片输出结构，包括：N个输出级电路；所述N个输出级电路的每个输出级电路包括输入差分晶体管差分对，输出阻抗提升晶体管差分对，负载晶体管差分对以及电流源，第一个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极接收差分信号VINN，第二栅极接收差分信号VINP；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第一源极相连接；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第二栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第二源极相连接，其中1≤n≤N

【技术实现步骤摘要】
一种数模转换芯片输出结构


[0001]本专利技术涉及数模转换器领域。更具体地，涉及一种数模转换芯片输出结构。

技术介绍

[0002]对于数模转换器输出级的驱动，传统方法通常采用反相器对数模转换器输出级进行驱动，但是反相器输出的信号摆幅无法控制只能为电源电压或地电压。这导致数模转换器输出级的响应速度较慢。
[0003]另一种方法是使用CML开关对数模转换器输出级进行驱动。这样能够根据电路设计来调整数模转换器输出级的控制电压。加快整个输出级的响应速度。但是CML开关的负载电阻通常为内置，而输出级的负载电阻通常为外置，而片内电阻和片外电阻的温度系数不一样，这会导致在不同情况下数模转换器输出级的状态不一致，造成输出的误差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种数模转换芯片输出结构。以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种数模转换芯片输出结构，包括：
[0007]N个输出级电路；
[0008]所述N个输出级电路的每个输出级电路包括输入差分晶体管差分对，输出阻抗提升晶体管差分对，负载晶体管差分对以及电流源，
[0009]第一个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极接收差分信号VINN，第二栅极接收差分信号VINP；
[0010]第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第一源极相连接；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第二栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第二源极相连接，其中1≤n≤N
‑
1。
[0011]在一个具体实施例中，
[0012]所述N个输出级电路的电流源均与电源相连接，所述N个输出级电路的负载晶体管差分对的第一源极和第二源极均接地。
[0013]在一个具体实施例中，
[0014]每个所述输入差分晶体管差分对包括第一晶体管组和第二晶体管组；每个所述输出阻抗提升晶体管差分对包括第三晶体管组和第四晶体管组；每个所述负载晶体管差分对包括第五晶体管组和第六晶体管组；
[0015]第m个输出级电路的第一晶体管组的漏极与第m个输出级电路的电流源相连接；第m个输出级电路的第一晶体管组的源极与第m个输出级电路的第三晶体管组的漏极相连接；
[0016]第m个输出级电路的第二晶体管组的漏极与第m个输出级电路的电流源相连接；第
m个输出级电路的第二晶体管组的源极与第m个输出级电路的第四晶体管组的漏极相连接；
[0017]第m个输出级电路的第三晶体管组的栅极与第m个输出级电路的第四晶体管组的栅极相连接；第m个输出级电路的第三晶体管组的源极与第m个输出级电路的第五晶体管组的漏极相连接；
[0018]第m个输出级电路的第四晶体管组的源极与第m个输出级电路的第六晶体管组的漏极相连接；
[0019]第m个输出级电路的第五晶体管组的栅极与第m个输出级电路的第六晶体管组的栅极相连接；第m个输出级电路的第五晶体管组的源极与第m个输出级电路的第六晶体管组的源极均接地；
[0020]其中，1≤m≤N。
[0021]在一个具体实施例中，
[0022]所述第n+1个输出级电路的第一晶体管组的栅极与所述第n个输出级电路的第三晶体管组的源极相连接；
[0023]所述第n+1个输出级电路的第二晶体管组的栅极与所述第n个输出级电路的第四晶体管组的源极相连接。
[0024]在一个具体实施例中，
[0025]所述N为3。
[0026]在一个具体实施例中，
[0027]所述第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小分别与第n个输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小呈固定比例。
[0028]本专利技术的有益效果如下：
[0029]本专利技术提供的一种数模转换芯片输出结构，有助于减少环境变化对芯片的影响，降低设计难度，且有助于版图的统一绘制。且可以视情况选择不同数量的输出驱动级，有助于提升输出级的速度。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1示出根据本专利技术一个实施例的一种数模转换芯片输出结构示意图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。
[0033]如图1所示，本专利技术实施例提供一种数模转换芯片输出结构，包括：
[0034]N个输出级电路；
[0035]所述N个输出级电路的每个输出级电路都包括输入差分晶体管差分对，输出阻抗提升晶体管差分对，负载晶体管差分对以及电流源，
[0036]第一个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极接收差分信号VINN，第二栅极接收差分信号VINP；
[0037]第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第一源极相连接；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第二栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第二源极相连接；所述N个输出级电路的电流源均与电源相连接，所述N个输出级电路的负载晶体管差分对的第一源极和第二源极均接地；
[0038]所述第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小分别与第n个输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小呈固定比例，其中1≤n≤N
‑
1。
[0039]在一个具体实施例中，所述N为3。即本专利技术的输出结构包括三个输出级电路。
[0040]在一个具体示例中，第二输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小分别与第一输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶体管数量，负载晶体管差分对的晶体管数量，以及电流源内电流大小呈固定比例。第三输出级电路的输入差分晶体管差分对的晶体管数量，输出阻抗提升晶体管差分对的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数模转换芯片输出结构，其特征在于，包括：N个输出级电路；所述N个输出级电路的每个输出级电路包括输入差分晶体管差分对，输出阻抗提升晶体管差分对，负载晶体管差分对以及电流源，第一个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极接收差分信号VINN，第二栅极接收差分信号VINP；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第一栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第一源极相连接；第n+1个输出级电路的输入差分晶体管差分对的第二栅极与第n个输出级电路的输出阻抗提升晶体管差分对的第二源极相连接，其中1≤n≤N
‑
1。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述N个输出级电路的电流源均与电源相连接，所述N个输出级电路的负载晶体管差分对的第一源极和第二源极均接地。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，每个所述输入差分晶体管差分对包括第一晶体管组和第二晶体管组；每个所述输出阻抗提升晶体管差分对包括第三晶体管组和第四晶体管组；每个所述负载晶体管差分对包括第五晶体管组和第六晶体管组；第m个输出级电路的第一晶体管组的漏极与第m个输出级电路的电流源相连接；第m个输出级电路的第一晶体管组的源极与第m个输出级电路的第三晶体管组的漏极相连接；第m个输出级电路的第二晶体管组的漏极与第m个输出级电路的电流源相连接；第m个输出级电路的第二晶体管组的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王驰，门涛，高一格，文豪，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：