【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片的静电放电保护模块及其装置
[0001]本专利技术涉及半导体技术，特别是一种用于芯片的静电放电保护模块及其装置。
技术介绍
[0002]如图1所示，是一种常见的基于交流触发的电源静电放电（ESD）钳位结构。这种结构具有较低的触发电压VT1，因此可以在ESD期间快速触发，但是不适用于有源ESD事件，不能满足例如系统级ESD（IEC
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2）和浪涌（IEC
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5）的要求。此外，在具有噪声和/或快速上升电源时，基于交流触发的电源ESD钳位结构容易误触发产生较大的泄漏电流或者出现闩锁。
[0003]因此，有必要提出一种ESD保护模块，以解决现有技术中存在的问题，提供有源和无源的全芯片ESD保护，避免误触发引起的泄漏电流和闩锁问题。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种用于芯片的静电放电保护模块及其装置。
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于芯片的静电放电（ESD）保护模块，包括第一检测电路、第一触发电路、第一电流释放电路，其特征在于，所述第一检测电路，连接在所述芯片的第一引脚和所述第一触发电路的输入端之间，用于检测所述第一引脚上的ESD信号并产生第一检测信号；所述第一触发电路，与所述第一检测电路的输出端连接，用于根据所述第一检测信号产生第一触发信号；所述第一电流释放电路，连接在所述第一引脚和所述芯片的接地端之间，并受所述第一触发信号控制；在静电放电期间，所述第一检测电路检测到所述ESD信号产生有效的所述第一检测信号，使得所述第一触发电路产生的所述第一触发信号控制所述第一电流释放电路工作，静电电流从所述第一引脚向所述接地端释放；在电路正常工作期间，所述第一检测电路未检测到所述ESD信号，使得所述第一触发电路产生的所述第一触发信号控制所述第一电流释放电路不工作。2.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第一检测电路包括第一P型MOS管，其栅极连接至所述电源端，源极连接至所述第一引脚，漏极作为输出端用于产生所述第一检测信号。3.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第一触发电路包括第一反相器、第二P型MOS管、第一电阻、第二电阻；所述第一反相器的输入端与所述第一检测电路的输出端连接，输出端与所述第二P型MOS管的栅极连接；所述第一电阻连接在所述第一反相器的输入端和所述接地端之间；所述第二P型MOS管的源极连接至所述电源端，漏极通过所述第二电阻连接至接地端，所述漏极与所述第二电阻连接的公共端作为所述第一触发电路的输出端。4.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第一触发电路包括第一反相器、第二反相器、第一电阻；所述第一反相器的输入端与所述第一检测电路的输出端连接，输出端与所述第二反相器的输入端连接；所述第一电阻连接在所述第一反相器的输入端和所述接地端之间；所述第二反相器的输出端作为所述第一触发电路的输出端。5.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第一电流释放电路包括第一N型MOS管，其栅极接收所述第一触发信号，漏极连接至所述第一引脚，源极连接至所述接地端。6.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，还包括第二检测电路和第二电流释放电路，其中，所述第二检测电路连接在所述芯片的第二引脚和所述第一触发电路的输入端之间，用于检测所述第二引脚上的ESD信号并产生第二检测信号；所述第二电流释放电路，连接在所述第二引脚和所述芯片的接地端之间，并受所述第一触发信号控制；在静电放电期间，所述第二检测电路检测到所述ESD信号产生有效的所述第二检测信
号，使得所述第一触发电路产生的所述第一触发信号控制所述第二电流释放电路工作，静电电流从所述第二引脚向所述接地端释放；在电路正常工作期间，所述第二检测电路未检测到所述ESD信号，使得所述第一触发电路产生的所述第一触发信号控制所述第二电流释放电路不工作。7.根据权利要求6所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第二检测电路包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑飞君，王迪，
申请(专利权)人：杭州傲芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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