光声传感器和所属的制造方法技术

本公开的实施例涉及光声传感器和所属的制造方法。一种光声传感器包括：具有光学MEMS发射器的第一层；堆叠在第一层之上的第二层，其具有MEMS压力传感器和透光窗口，其中MEMS压力传感器和透光窗口彼此横向偏移地布置；以及堆叠在第二层之上的第三层，其具有用于参考气体的腔体。光学MEMS发射器被设计为沿着光路传输光辐射，其中光路延伸穿过透光窗口和用于参考气体的腔体，并且其中MEMS压力传感器布置在光路的延伸路线之外。光路的延伸路线之外。光路的延伸路线之外。

【技术实现步骤摘要】
光声传感器和所属的制造方法


[0001]本公开涉及光声传感器和制造光声传感器的方法。

技术介绍

[0002]光声传感器例如可以被设计用于探测环境空气中的某些气体种类。尤其是可以证明环境空气中的有害或危险成分。因此，这种光声传感器的正确运行在许多应用中非常重要，特别是当光声传感器需要保证工作人员安全时。光声传感器制造商不断努力改进他们的产品。特别地，可能希望提供具有改进结构的廉价光声传感器。此外，可能希望提供制造这种光声传感器的改进方法。

技术实现思路

[0003]各个方面涉及一种光声传感器。该光声传感器包括：具有光学MEMS发射器的第一层；堆叠在第一层之上的第二层，其具有MEMS压力传感器和透光窗口的，其中MEMS压力传感器和透光窗口彼此横向偏移地布置；以及堆叠在第二层之上的第三层，其具有用于参考气体的腔体。光学MEMS发射器被设计为沿着光路传输光辐射，其中光路延伸穿过透光窗口和用于参考气体的腔体，并且其中MEMS压力传感器布置在光路的延伸路线之外。
[0004]各个方面涉及一种光声传感器。该光声传感器包括发射器部件，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光声传感器，包括：第一层(2)，具有光学MEMS发射器(4)；堆叠在所述第一层(2)之上的第二层(6)，具有MEMS压力传感器(8)和透光窗口(10)，其中所述MEMS压力传感器(8)和所述透光窗口(10)彼此横向偏移地布置；以及堆叠在所述第二层(6)之上的第三层(12)，具有用于参考气体(16)的腔体(14)，其中所述光学MEMS发射器(4)被设计为沿着光路传输光辐射(26)，其中所述光路延伸穿过所述透光窗口(10)和所述用于参考气体(16)的腔体(14)，并且其中所述MEMS压力传感器(8)布置在所述光路的延伸路线之外。2.根据权利要求1所述的光声传感器，其中所述第二层(6)和所述第三层(12)是晶片键合的，并且所述第二层(6)和所述第三层(12)气密密封地形成所述用于参考气体(16)的腔体(14)。3.根据权利要求1或2所述的光声传感器，其中所述第一层(2)或所述第二层(6)中的至少一个层由半导体材料制成。4.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述透光窗口(10)由所述第二层(6)的半导体材料制成。5.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述透光窗口(10)包括带通结构，所述带通结构被设计为至少允许具有所述参考气体(16)的吸收带或吸收线的波长的光辐射通过。6.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述第三层(12)由半导体材料或玻璃材料中的至少一种材料制成。7.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述第二层(6)包括开口(20)，所述开口形成通向所述光声传感器的周围环境的气体通道。8.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，还包括：布置在所述第一层(2)与所述第二层(6)之间的间隔层(18)，所述间隔层具有开口(20)，其中所述光路延伸穿过所述间隔层(18)的所述开口(20)。9.根据权利要求8所述的光声传感器，其中所述间隔层(18)的所述开口(20)形成通向所述光声传感器的所述周围环境的所述气体通道的一部分。10.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述第一层(2)还包括逻辑电路，所述逻辑电路被设计为逻辑地处理由所述MEMS压力传感器(8)检测到的信号、和/或控制所述光学MEMS发射器(4)。11.根据权利要求1至9中任一项所述的光声传感器，还包括：另一层(30)，所述另一层堆叠在第一层(2)之上或所述第三层(6)之上，其中所述另一层(30)包括逻辑电路，所述逻辑电路被设计为逻辑地处理由所述MEMS压力传感器(8)检测到的信号、和/或控制所述光学MEMS发射器(4)。12.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，还包括：一个或多个连接元件(32)，被设计为将所述光声传感器与电路板(36)机械连接且电连接，其中所述连接元件(32)布置在第三层(12)上、并通过电连接部(34)与所述光学MEMS发射器(4)和所述MEMS压力传感器(8)电连接。13.根据权利要求12所述的光声传感器，其中所述电连接部(34)基于电镀技术而制成，
并且布置在所述光声传感器的这些层中的至少一层的侧表面上。14.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述光声传感器是可表面安装部件。15.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，其中所述光声传感器是芯片级封装。16.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，还包括：布置在所述第三层(12)上的光敏装置(42)，所述光敏装置布置在所述光路的所述延伸路线之内、并且被设计为监测所述光学MEMS发射器(4)的输出强度。17.根据前述权利要求中任一项所述的光声传感器，还包括：布置在所述第一层(2)之上的光学的反射结构(46)，其中所述光学MEMS发射器(4)被设计为主要在第一方向上传输光辐射，并且其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：