充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统制造方法及图纸

本公开提供了一种充放电开关电路，用于对电池/电池的充电电流和/或放电电流进行控制，包括：第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管，第二MOS晶体管，第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管，以及开关，开关的一端连接第二MOS晶体管的栅极，开关的另一端连接第二MOS晶体管的源极，以便当第一MOS晶体管关断的情况下，开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。还提供了一种充放电控制装置、芯片及电池管理系统。及电池管理系统。及电池管理系统。

【技术实现步骤摘要】
充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统


[0001]本公开涉及一种充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统。

技术介绍

[0002]在电池系统中，电池的过度充电和过度放电不仅会降低电池的使用寿命，严重时还会引发爆炸和火灾的安全事故。该电池例如为锂电池组等。
[0003]图1示出了根据现有技术的传统过流检测方式。
[0004]电池正常放电时，驱动单元的输出的控制信号OD和OC端口的电压通常为VDD、5V或15V左右，控制信号OD和OC分别连接到保护开关MOSFET M1和M2的栅极(G)，此时M1和M2工作在线性区，M1和M2的漏极(D)和源极(S)等效为一个导通电阻，导通电阻值为R
on
。
[0005]放电电流I
dsg
从P
‑
端流向B
‑
端，P
‑
端的电压较高，当检测到P
‑
端与B
‑
端的电压差(I
dsg
*R
on
)达到某一限定值时，控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充放电开关电路，用于对电池/电池的充电电流和/或放电电流进行控制，其特征在于，包括：第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，所述第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的源极或者漏极连接电池侧；第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，所述第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管，所述第二MOS晶体管的源极或者漏极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的漏极或者源极与所述第一MOS晶体管的漏极或者源极连接；以及开关，所述开关的一端连接所述第二MOS晶体管的栅极，所述开关的另一端连接所述第二MOS晶体管的源极，以便当所述第一MOS晶体管关断的情况下，所述开关导通以使得所述第二MOS晶体管在所述第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述第一MOS晶体管关断的同时进行关断。2.如权利要求1所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号，所述第二MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第二控制信号为充电控制信号，所述第一MOS晶体管的源极连接电池侧，所述第二MOS晶体管的源极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的漏极与所述第二MOS晶体管的漏极连接。3.如权利要求1所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号，所述第二MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第二控制信号为放电控制信号，所述第一MOS晶体管的漏极连接电池侧，所述第二MOS晶体管的漏极连接外部负载或外部充电器侧，所述第二MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的源极连接。4.如权利要求1所述的充放电开关电路，其特征在于，所述电池侧为电池的低压侧，所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的低压侧或者所述外部充电器的低压侧，或者所述电池侧为电池的高压侧，所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的高压侧或者所述外部充电器的高压侧。5.如权利要求1至4中任一项所述的充放电开关电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管的源极与漏极之间连接有高压保护二极管；优选地，所述第一MOS晶体管的导通阻抗小于所述第二MOS晶体管的导通阻抗；优选地，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管；优选地，还包括第二电阻，所述开关为开关用NMOS晶体管，所述第二电阻的一端连接所述开关用NMOS晶体管的栅极并且所述第二电阻的另一端连接所述开关用NMOS晶体管的源极，所述开关用NMOS晶体管的栅极连接电流信号，所述开关用NMOS晶体管的漏极连接第二MOS管的栅极，所述开关用NMOS晶体管的源极连接所述第二MOS晶体管的源极；优选地，当需要关断第二MOS晶体管时，所述电流信号被提供，通过在所述第二电阻上形成的电压使得所述第二MOS晶体管被快速关断；优选地，还包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接所述第二MOS晶体管的栅极并且所
述第一电阻的另一端连接所述第二MOS晶体管的源极；优选地，还包括第二高压保护二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：珠海迈巨微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：