用于Q因子感测焊盘的先进保护电路制造技术

公开了用于Q因子感测焊盘的先进保护电路。无线功率系统包括桥式整流器，它具有与线圈的第一和第二端子耦合的第一和第二输入，以及与整流电压节点耦合的输出。激励电路与第一输入耦合。保护电路有与第一端子电容性耦合的第一连接节点。保护电路，在Q因子测量模式下，当第一输入耦合到地时，钳位第一连接节点，当第一输入耦合到电源电压时，将第一连接节点连接到整流电压节点。保护电路，在无线功率模式下，作为整流器的一个引脚发挥作用。在第一连接节点和感测节点之间有通栅电路，感测电路与感测节点相连接，当保护电路处于Q因子测量模式时，测量无线功率系统的Q因子。测量无线功率系统的Q因子。测量无线功率系统的Q因子。

【技术实现步骤摘要】
用于Q因子感测焊盘的先进保护电路


[0001]本公开涉及无线功率传输领域，特别是涉及用于无线功率传输系统内Q因子测量电路装置的保护电路。

技术介绍

[0002]便携式电子设备，如智能手机、智能手表、音频输出设备(耳塞、耳机)和可穿戴设备都是依靠电池功率，而不是来自通过有线传输线和配电系统传输给它们的有线功率而操作。用于此类设备的电池通常是可充电的，因此，需要一种为此类电池充电的方法。
[0003]大多数便携式电子设备包括充电端口，通常符合Micro USB或USB
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C标准，可以将连接到电源的电源线插入其中，为其电池提供充电。然而，这样的充电端口可能难以增强电子设备的防水性，而且会因反复使用而受到损害。此外，一些较小的便携式电子设备(例如，耳塞和智能手表)可能缺乏提供充电端口的可用空间。此外，一些用户可能会发现将电源线插入电子设备的充电端口为该设备的电池充电是很麻烦的。
[0004]因此，为了解决这些问题，已经开发了无线功率传输。如图1所示，无线功率传输系统10可以由第一设备11和第二设备15组成。第一设备11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无线功率系统，包括：线圈，具有第一端子和第二端子；桥式整流器，具有第一输入和第二输入，所述第一输入和所述第二输入分别被耦合到所述线圈的所述第一端子和所述第二端子，并且所述桥式整流器具有输出，所述输出被耦合到整流电压节点；激励电路，被耦合到所述桥式整流器的所述第一输入；保护电路，具有第一连接节点，所述第一连接节点通过电容器被耦合到所述线圈的所述第一端子；其中所述保护电路被配置为当处于Q因子测量模式时：当所述桥式整流器的所述第一输入被耦合到地时，钳位所述第一连接节点，以及当所述桥式整流器的所述第一输入被耦合到电源电压时，将所述第一连接节点连接到所述整流电压节点；其中所述保护电路被配置为当处于无线功率模式时被禁用；通栅电路，被耦合在所述保护电路的所述第一连接节点和感测节点之间；以及感测电路，被耦合到所述感测节点，并且被配置为当所述保护电路处于所述Q因子测量模式时，测量所述无线功率系统的Q因子。2.根据权利要求1所述的无线功率系统，其中所述桥式整流器包括：第一晶体管对和第二晶体管对，被耦合在所述整流电压节点和地之间；其中所述保护电路包括一对保护晶体管，所述一对保护晶体管被耦合在所述整流电压节点和地之间，所述一对保护晶体管之间的抽头被耦合到所述保护电路的所述第一连接节点；以及其中所述一对保护晶体管中的每个晶体管在所述桥式整流器的所述第一晶体管对中的对应的一个晶体管被导通时被导通，并且在所述第一晶体管对中的所述对应的一个晶体管被关断时被关断。3.根据权利要求1所述的无线功率系统，其中所述桥式整流器包括：第一n沟道晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述桥式整流器的所述第一输入之间；第二n沟道晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述桥式整流器的所述第二输入之间；第三n沟道晶体管，被耦合在所述桥式整流器的所述第一输入和地之间；以及第四n沟道晶体管，被耦合在所述桥式整流器的所述第二输入和地之间；其中所述保护电路包括：p沟道晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述保护电路的所述第一连接节点之间，其中当所述保护电路处于所述无线功率模式时，所述保护电路的所述p沟道晶体管被配置为在所述桥式整流器的所述第一n沟道晶体管导通时导通，并且被配置为在所述桥式整流器的所述第一n沟道晶体管关断时关断；以及n沟道晶体管，被耦合在所述保护电路的所述第一连接节点和地之间，其中当所述保护
电路处于所述无线功率模式时，所述保护电路的所述n沟道晶体管被配置为在所述桥式整流器的所述第三n沟道晶体管导通时导通，并且被配置为在所述桥式整流器的所述第三n沟道晶体管关断时关断，并且其中所述保护电路的所述n沟道晶体管被配置为在所述保护电路处于所述Q因子测量模式时关断。4.根据权利要求3所述的无线功率系统，其中所述第一n沟道晶体管具有栅极，所述第一n沟道晶体管的所述栅极被耦合以接收第一栅极电压；并且其中所述保护电路进一步包括附加的n沟道晶体管、第三电阻和齐纳二极管，所述附加的n沟道晶体管具有源极、漏极和栅极，所述附加的n沟道晶体管的所述源极被耦合到地，所述附加的n沟道晶体管的所述漏极通过第四电阻被耦合到第二连接节点，所述附加的n沟道晶体管的所述栅极被耦合以接收栅极电压，所述栅极电压是对所述第一栅极电压与通栅使能信号执行逻辑与操作的结果；所述第三电阻被耦合在所述整流电压节点和所述第二连接节点之间；所述齐纳二极管具有阴极和阳极，所述阴极被耦合到所述整流电压节点，所述阳极被耦合到所述第二连接节点；其中所述第二连接节点被耦合到所述保护电路的所述p沟道晶体管的栅极。5.根据权利要求3所述的无线功率系统，其中所述保护电路的所述p沟道晶体管具有等于所述桥式整流器的所述第一n沟道晶体管的尺寸的给定分数的尺寸；其中所述保护电路的所述n沟道晶体管具有等于所述桥式整流器的所述第三n沟道晶体管的尺寸的所述给定分数的尺寸；并且其中将所述保护电路的所述第一连接节点耦合到所述线圈的所述第一端子的所述电容器的电容是所述线圈的寄生电容的电容的所述给定分数。6.根据权利要求1所述的无线功率系统，其中所述通栅电路包括一对通栅晶体管，所述一对通栅晶体管被串联耦合在所述第一连接节点和所述感测节点之间，所述一对通栅晶体管被配置为：在所述保护电路处于所述Q因子测量模式时导通，并且在所述保护电路处于所述无线功率模式时关断。7.根据权利要求1所述的无线功率系统，进一步包括：第一电阻，被耦合在电源电压和所述感测节点之间；以及第二电阻，被耦合在所述感测节点和地之间。8.根据权利要求1所述的无线功率系统，其中所述桥式整流器包括：第一晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述桥式整流器的所述第一输入之间；第二晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述桥式整流器的所述第二输入之间；第三晶体管，被耦合在所述桥式整流器的所述第一输入和地之间；以及第四晶体管，被耦合在所述桥式整流器的所述第二输入和地之间；其中所述保护电路包括：第一晶体管，被耦合在所述整流电压节点和所述保护电路的所述第一连接节点之间，其中当所述保护电路处于所述无线功率模式时，所述保护电路的所述第一晶体管被配置为在所述桥式整流器的所述第一晶体管导通时导通，并且被配置为在所述桥式整流器的所述第一晶体管关断时关断；以及第二晶体管，被耦合在所述保护电路的所述第一连接节点和地之间，其中当所述保护电路处于所述无线功率模式时，所述保护电路的所述第二晶体管被配置为在所述桥式整流器的所述第三晶体管导通时导通，并且被配置为在所述桥式整流器的所述第三晶体管关断时关断，并且其中所述保护电路的所述第二晶体管被配置为在所述保护电路处于所述Q因
子测量模式时关...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体亚太私人有限公司，
类型：发明
国别省市：