包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件制造技术

本公开涉及一种包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件。本文公开的一个示例性器件包括：半导体衬底；沟道，其至少部分地由半导体衬底的至少一部分来限定；输入流体储器和输出流体储器，其中沟道与输入流体储器和输出流体储器流体连通。在该示例中，器件还包括：第一辐射源，其可操作地耦合到衬底，其中第一辐射源适于在朝向沟道的方向上生成辐射；以及至少一个光电二极管，其被定位成与沟道邻近。其被定位成与沟道邻近。其被定位成与沟道邻近。

【技术实现步骤摘要】
包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件


[0001]本公开一般地涉及包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件的各种新颖实施例，以及制造这种器件的各种新颖方法。

技术介绍

[0002]光流控学是一个
，其通常涉及使用微流控技术和光学技术。存在各种利用光流控技术的应用或产品，例如显示器、生物传感器、芯片实验室器件、透镜、以及分子成像工具和能源(energy)。然而，这种光流控器件制造起来通常非常昂贵，涉及将分立器件封装在一起的复杂方法，并且导致不容易缩放的相对较大的器件，需要解决这些问题以推进技术进步。

技术实现思路

[0003]以下给出本专利技术的简化概述，以提供对本专利技术的某些方面的基本上理解。此摘要并非本公开的详尽概述。它并非旨在识别本公开的关键或核心要素或描述本公开的范围。其唯一目的是以简化的形式提出一些概念，作为稍后讨论的更详细的描述的序言。
[0004]本公开涉及包括具有集成光电二极管的光流控传感器的器件的各种新颖实施例、以及制造这种器件的各种新颖方法。本文公开的一个示例性器件包括：半导体衬底；沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：半导体衬底；沟道，其适于在其中接纳流体，所述沟道至少部分地由所述半导体衬底的至少一部分来限定；输入流体储器；输出流体储器，其中所述沟道与所述输入流体储器和所述输出流体储器流体连通；第一辐射源，其可操作地耦合到所述衬底，其中所述第一辐射源适于在朝向所述沟道的方向上生成辐射；以及至少一个光电二极管，其被定位成与所述沟道邻近。2.根据权利要求1所述的器件，还包括：位于所述沟道内的至少一个流动挡板，所述至少一个流动挡板部分地限定与所述沟道流体连通的至少一个流体流动路径，所述至少一个流体流动路径至少部分地由所述半导体衬底的至少一部分来限定。3.根据权利要求1所述的器件，还包括：位于所述第一辐射源和所述沟道之间的至少一个波导，其中所述第一辐射源适于在与所述沟道的长轴基本上垂直的方向上生成辐射，其中所述至少一个波导适于将辐射从所述第一辐射源朝向所述沟道传输。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述至少一个波导包括多个波导，所述多个波导中的每一个包括长轴，并且其中当从上方观看时，所述多个波导中的每一个的所述长轴基本上垂直于所述沟道的所述长轴来定向，并且其中所述多个波导中的每一个适于将辐射从所述第一辐射源朝向所述沟道传输。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一辐射源适于在与所述沟道的长轴基本上平行的方向上生成辐射。6.根据权利要求1所述的器件，还包括：第二辐射源，其中所述第一辐射源适于在与所述沟道的长轴基本上垂直的方向上生成辐射，并且其中所述第二辐射源适于在与所述沟道的所述长轴基本上平行的方向上生成辐射。7.根据权利要求1所述的器件，其中，当从上方观看时，所述至少一个光电二极管包括基本上垂直于所述沟道的长轴来定向的长轴。8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述至少一个光电二极管包括多个光电二极管，所述多个光电二极管中的每一个包括长轴，其中当从上方观看时，所述多个光电二极管中的每一个的所述长轴基本上垂直于所述沟道的所述长轴来定向。9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一辐射源被定位成与所述沟道的第一侧邻近，并且所述至少一个光电二极管被定位成邻近与所述沟道的所述第一侧相反的所述沟道的第二侧。10.根据权利要求1所述的器件，其中，当从上方观看时，所述至少一个光电二极管包括基本上平行于所述沟道的长轴来定向的轴。11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述至少一个光电二极管包括多个光电二极管，所述多个光电二极管中的每一个包括长轴，其中当从上方观看时，所述多个光电二极管中的每一个的所述长轴基本上平行于所述沟道的所述长轴来定向。12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个光电二极管中的至少一个位于所述沟道的第一侧，并且所述多个光电二极管中的另一个位于与所述沟道的所述第一侧相反的所
述沟道的第二侧。13.根据权利要求1所述的器件，还包括：位于所述沟道的轴向长度的至少一部分中的ARROW(抗谐振反射光波导)结构，所述ARROW结构包括下部和位于所述下部上方的上部，其中所述下部和所述上部由不同的材料制成。14.根据权利要求1所述的器件，其中，所述半导体衬底是绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括基底半导体层、位于所述基底半导体层上的掩埋绝缘层和位于所述掩埋绝缘层上的有源半导体层，其中所述器件还包括：位于所述半导体衬底中的部分地限定所述沟道的沟槽，所述沟槽具有由所述掩埋绝缘层限定的轴向长度和底表面；以及ARROW(抗谐振反射光波导)结构，所述ARROW结构包括下部和位于所述下部上方的上部，其中所述ARROW结构的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：