【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理剂
[0001]本专利技术涉及表面处理剂和具有由该表面处理剂形成的层的物品。
技术介绍
[0002]已知某些种类的含氟硅烷化合物用于基材的表面处理时，能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下也称为“表面处理层”)作为所谓的功能性薄膜被施用于例如玻璃、塑料、纤维、卫生用品、建筑材料等各种各样的基材(专利文献1和2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014－218639号公报
[0006]专利文献2:日本特开2017－082194号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]专利文献1或专利文献2所记载的含氟硅烷化合物能够提供具有优异功能的表面处理层，但仍寻求具有更高的摩擦耐久性和耐药品性的表面处理层。
[0009]本专利技术的目的在于提供一种具有摩擦耐久性、耐药品性更高的表面处理层的物品。
[0010]用于解决技术问题的技术手段
[0011]本专利技术包括以下方式。
[0012][1]一种表面处理剂，其含有含氟硅烷化合物和金属化合物，该金属化合物所含的金属原子为选自元素周期表第3～11族的过渡金属原子和第12～15族的典型金属原子中的1种或1种以上的金属原子。
[0013][2]如上述[1]所述的表面处理剂，其中，上述含氟硅烷化合物为下述式(1)或(2)所示的至少1种含氟代聚醚基的化合物。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种表面处理剂，其特征在于，含有含氟硅烷化合物和金属化合物，该金属化合物所含的金属原子为选自元素周期表第3～11族的过渡金属原子和第12～15族的典型金属原子中的1种或1种以上的金属原子。2.如权利要求1所述的表面处理剂，其特征在于，所述含氟硅烷化合物为下述式(1)或(2)所示的至少1种含氟代聚醚基的化合物，R
F1α
‑
X
A
‑
R
Siβ
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)R
Siγ
‑
X
A
‑
R
F2
‑
X
A
‑
R
Siγ
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)式中，R
F1
在每次出现时分别独立地为Rf1－R
F
－O
q
－；R
F2
为－Rf
2p
－R
F
－O
q
－；Rf1在每次出现时分别独立地为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C1‑
16
烷基；Rf2为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C1‑6亚烷基；R
F
在每次出现时分别独立地为2价的氟代聚醚基；p为0或1；q在每次出现时分别独立地为0或1；R
Si
在每次出现时分别独立地为包含键合有羟基、水解性基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团；至少1个R
Si
为包含键合有羟基或水解性基团的Si原子的1价基团；X
A
分别独立地为单键或2～10价有机基团；α为1～9的整数；β为1～9的整数；γ分别独立地为1～9的整数。3.如权利要求2所述的表面处理剂，其特征在于，Rf1在每次出现时分别独立地为C1‑
16
全氟烷基，Rf2在每次出现时分别独立地为C1‑6全氟亚烷基。4.如权利要求2或3所述的表面处理剂，其特征在于，R
F
在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F
12
)
a
－(OC5F
10
)
b
－(OC4F8)
c
－(OC3R
Fa6
)
d
－(OC2F4)
e
－(OCF2)
f
－所示的基团，式中，R
Fa
在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子，a、b、c、d、e和f分别独立地为0～200的整数，a、b、c、d、e和f之和为1以上，标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的，其中，在所有的R
Fa
都为氢原子或氯原子的情况下，a、b、c、e和f的至少1个为1以上。5.如权利要求4所述的表面处理剂，其特征在于，R
Fa
为氟原子。6.如权利要求2～5中任一项所述的表面处理剂，其特征在于，R
F
在每次出现时分别独立地为下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所示的基团，－(OC3F6)
d
－
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(f1)式(f1)中，d为1～200的整数，－(OC4F8)
c
－(OC3F6)
d
－(OC2F4)
e
－(OCF2)
f
－
ꢀꢀ
(f2)
式(f2)中，c和d分别独立地为0～30的整数；e和f分别独立地为1～200的整数；c、d、e和f之和为10～200的整数；标注下标c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的，－(R6－R7)
g
－
ꢀꢀꢀꢀ
(f3)式(f3)中，R6为OCF2或OC2F4；R7为选自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F
10
和OC6F
12
的基团，或者为从这些基团中选择的2个或3个基团的组合；g为2～100的整数，
‑
(OC6F
12
)
a
‑
(OC5F
10
)
b
‑
(OC4F8)
c
‑
(OC3F6)
d
‑
(OC2F4)
e
‑
(OCF2)
f
‑ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(f4)式(f4)中，e为1以上200以下的整数，a、b、c、d和f分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1，并且，标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的，
‑
(OC6F
12
)
a
‑
(OC5F
10
)
b
‑
(OC4F8)
c
‑
(OC3F6)
d
‑
(OC2F4)
e
‑
(OCF2)
f
‑ꢀꢀꢀꢀ
(f5)式(f5)中，f为1以上200以下的整数，a、b、c、d和e分别独立地为0以上200以下的整数，a、b、c、d、e和f之和至少为1，并且，标注a、b、c、d、e或f并用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。7.如权利要求2～6中任一项所述的表面处理剂，其特征在于，R
Si
为下述式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示的基团，
‑
SiR
11n1
R
123
‑
n1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(S2)
‑
SiR
a1k1
R
b111
R
c1m1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(S3)
‑
CR
d1k2
R
e112
R
f1m2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(S4)式中，R
11
在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；R
12
在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；n1在每个(SiR
11n1
R
123
‑
n1
)单元中分别独立地为0～3的整数；X
11
在每次出现时分别独立地为单键或2价有机基团；R
13
在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；t在每次出现时分别独立地为2以上的整数；R
14
在每次出现时分别独立地为氢原子、卤原子或－X
11
－SiR
11n1
R
123
‑
n1
；R
15
在每次出现时分别独立地为单键、氧原子、碳原子数1～6的亚烷基或碳原子数1～6的亚烷氧基；R
a1
在每次出现时分别独立地为－Z1－SiR
21p1
R
22q1
R
23r1
；Z1在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；R
21
在每次出现时分别独立地为－Z1′
－SiR
21
′
p1
′
R
22
′
q1
′
R
23
′
r1
′
；
R
22
在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；R
...
【专利技术属性】
技术研发人员：野村孝史，内藤真人，小泽香织，中野希望，三桥尚志，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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