半导体封装制造技术

公开了一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一芯片焊盘，在半导体芯片的底表面上并且与半导体芯片的第一方向上的第一侧表面相邻，该第一侧表面在平面图中在第一方向上与第一芯片焊盘分开；以及，第一引线框，耦接到第一芯片焊盘。第一引线框包括：第一部分，在第一芯片焊盘的底表面上，并且从第一芯片焊盘在第二方向上延伸，该第二方向上与第一方向相反并且远离半导体芯片的第一侧表面；以及第二部分，当在平面图中查看时，第二部分连接到第一部分的第一端部并且沿第一方向延伸，以在穿过第一芯片焊盘的一侧以后、延伸到超过半导体芯片的第一侧表面。侧表面。侧表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月1日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2020
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0111079的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体封装，更具体地涉及一种具有引线框的半导体封装。

技术介绍

[0004]在半导体产业中，已经开发了用于满足针对小形状因子器件和高封装可靠性的需求的集成电路封装技术。例如，正在积极地开发能够实现芯片尺寸的封装的封装技术，以满足针对小形状因子器件的需求，并且，能够提高封装工艺中的效率以及提高所封装的产品的机械及电气可靠性的封装技术已经在高封装可靠性方面吸引了相当多的注意。
[0005]膜上芯片(COF)技术是新的封装类型，已经在具有轻薄的趋势的显示器驱动器IC和尺寸紧凑的通信设备上对其进行了开发。当利用COF技术实现高分辨率显示设备时，电视机和监视器的驱动频率增大，以增大驱动器IC的驱动负载，这导致从集成电路生成热量。作为解决这些问题的方法，可以在介电层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一芯片焊盘，在所述半导体芯片的底表面上并且与所述半导体芯片的第一侧表面相邻，所述第一侧表面在平面图中在第一方向上与所述第一芯片焊盘分开；以及第一引线框，耦接到所述第一芯片焊盘，其中，所述第一引线框包括：第一部分，在所述第一芯片焊盘的底表面上，所述第一部分从所述第一芯片焊盘在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向相反并且远离所述半导体芯片的第一侧表面；以及第二部分，当在平面图中查看时，所述第二部分连接到所述第一部分的第一端部并且沿所述第一方向延伸，以在穿过所述第一芯片焊盘的一侧以后、延伸超过所述半导体芯片的第一侧表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一部分和所述第二部分之间的连接部分在所述第二方向上与所述第一芯片焊盘间隔开。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述连接部分具有线性形状，所述线性形状在第三方向上从所述第一部分的第一端部朝向所述第二部分的第一端部延伸，所述第三方向平行于所述半导体芯片的底表面并且垂直于所述第一方向和所述第二方向。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述连接部分具有从所述第一部分的第一端部延伸到所述第二部分的第一端部的弯曲U形状。5.根据权利要求2所述的半导体封装，还包括：支架，在所述连接部分与所述半导体芯片的底表面之间。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二部分在第三方向上与所述第一部分间隔开，所述第三方向平行于所述半导体芯片的底表面并且垂直于所述第一方向和所述第二方向。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第二部分在所述第三方向上与所述第一部分间隔开10μm至100μm的距离。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二部分设置在所述第一部分的底表面上以在平面图中重叠。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此重叠的区域设置在所述第一芯片焊盘下方。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，在所述第一方向上从所述第一芯片焊盘的第一侧表面到所述半导体芯片的第一侧表面的距离是所述半导体芯片的宽度的0.1％至10％，所述宽度在所述第一方向上测量。11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：第二芯片焊盘，在所述半导体芯片的底表面上并且与所述半导体芯片的第一侧表面相邻，所述第二芯片焊盘与所述第一芯片焊盘在第三方向上间隔开，所述第三方向平行于所述半导体芯片的底表面并且垂直于所述第一方向和所述第二方向；以及第二引线框，耦接到所述第二芯片焊盘，其中，所述第二引线框包括：
第一部分，在所述第二芯片焊盘的底表面上，所述第一部分从所述第二芯片焊盘在所述第二方向上延伸；以及第二部分，当在平面图中查看时，所述第二部分连接到所述第一部分的第一端部并且沿所述第一方向延伸，以在穿过所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金暋起，金德圭，郑在珉，河政圭，韩相旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：