半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体是包含有机基团和配位性基团的有机配体，所述配体I是下述通式(1)表示的巯基羧酸，所述配体I在所述配体中所占的摩尔分数为0.2mol％～35.0mol％，通式(1)：HS

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜
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][0001]本专利技术涉及半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜。
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技术介绍
][0002]表现量子限制效果的程度的微小半导体纳米粒子，具有取决于粒径的带隙。通过光激发、电荷注入等手段形成在半导体纳米粒子内的激子，通过再结合而放出与带隙对应的能量的光子，因此，通过适当选择半导体纳米粒子的组成及其粒径，能够得到期望的波长处的发光。
[0003]半导体纳米粒子，在研究初期以包含Cd、Pb的元素为中心进行了探讨，但是，Cd、Pb为特定有害物质使用限制等的管制对象物质，因此近年开始了非Cd类、非Pb类的半导体纳米粒子的研究。
[0004]半导体纳米粒子，尝试了显示器用途、生体标识用途、太阳电池用途等各种用途中的应用。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本特开2013
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136498号公报r/>[0008][本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I的有机配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述有机配体是包含有机基团和配位性基团的配体，所述配体I是下述通式(1)表示的巯基羧酸，所述配体I在所述有机配体中所占的摩尔分数为0.20mol％～35.00mol％，通式(1)：HS
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X
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(COOH)
n
(1)通式(1)中，X表示(n+1)价的烃基，n表示1～3的自然数。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述有机配体至少包含所述配体I和SP值为9.0以上的极性配体II。3.根据权利要求2所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述极性配体II的SP值为9.3以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体I的分子量为300以下。5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述极性配体II的分子量大于所述配体I的分子量。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体I包含选自巯基乙酸、巯基丙酸、巯基己酸、巯基十一酸和巯基苹果酸中的1种以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体I包含选自巯基乙酸、巯基丙酸和巯基苹果酸中的1种以上。8.根据权利要求2～7中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述极性配体II的配位性基团为羧基或巯基。9.根据权利要求2～8中任一项所述的半导体纳米粒子复合体，其中，所述极性配体II的有机基团包含醚键或酯键。10.根据权利要求2～9中任一项所述的半导体纳米粒子...

【专利技术属性】
技术研发人员：城户信人，佐佐木洋和，
申请(专利权)人：昭荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：