一种具有自动补水功能的高温氧化装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。条件时对去离子水进行更换。条件时对去离子水进行更换。

【技术实现步骤摘要】
一种具有自动补水功能的高温氧化装置


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置。

技术介绍

[0002]半导体电介质薄膜沉积工艺制造过程中使用热氧化、化学气相沉积、原子层沉积获得氧化硅薄膜。其中热氧化工艺是将Si晶圆置于石英玻璃反应管中，在高温下（900℃～1200℃）通入高纯氧气，氧气与晶圆表面Si反应生成一层薄膜。热氧化工艺按所用的氧化氛围分为3种方式：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化，其中湿氧氧化的原理是让高纯氧气在通入反应室之前先通过加热达90℃以上的装有高纯去离子水的鼓泡瓶，氧气可携带大量水汽进入反应室，水分子和氧分子可以较快的速度扩散到晶圆表层与Si进行反应，氧化过程中需要在去离子水的环境中进行。
[0003]现有的一些高温氧化装置中，去离子水由于静置导致金属离子累积，致使去离子水的电阻值不满足氧化的工艺要求。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种具有自动补水功能的高温氧化装置，旨在解决在高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置（200），用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；其特征在于，所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置（100），与所述鼓泡装置（200）连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置（200）供应所述高温去离子水，所述预热装置（100）上设有用于检测所述预热装置（100）中去离子水电阻值的水电阻测量传感器（152），在所述预热装置（100）中的去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置（100）内的去离子水。2.根据权利要求1所述的具有自动补水功能的高温氧化装置，其特征在于，所述预热装置（100）包括预热瓶（110）和第一加热器（120），所述第一加热器（120）配置有第一温控仪（121）。3.根据权利要求1所述的具有自动补水功能的高温氧化装置，其特征在于，所述预热装置（100）设置有进水管（130）和出水管（140），所述进水管（130）设置有第一进水阀（131），所述预热装置（100）通过出水管（140）与所述鼓泡装置（200）连接，所述预热装置（100）设置有排水管（150），所述排水管（150）上设置有排水阀（151）。4.根据权利要求3所述的具有自动补水功能的高温氧化装置，其特征在于，所述水电阻测量传感器（152）设置在所述排水管（150）上，用于检测所述预热装置（100）内去离子水的电阻值。5.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛朝斌，罗骞，黄吉裕，胡承，王慧勇，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：