【技术实现步骤摘要】
一种高纯单壁碳纳米管生产装置
[0001]本技术是一种高纯单壁碳纳米管生产装置,属于等离子体增强化学气相沉积装置
技术介绍
[0002]单壁碳纳米管由于其优越的性能,被大量应用于高端电池、传感器、散热膜等领域,价格是多壁碳纳米管的十倍以上,经济效益明显,但目前其制备技术被俄罗斯、日本等国家垄断,国内厂家的产品存在杂质多、分散性差等问题,难以应用于锂离子电池等需要高纯单壁碳纳米管的领域。
[0003]目前国内大多利用浮动催化剂化学气相沉积法制备高纯度的单壁碳纳米管,涉及到的主要设备或技术有等离子体增强化学气相沉积装置、电化学自组装垂直单壁碳纳米管阵列催化剂、飞秒激光切割垂直单壁碳纳米管阵列技术以及用于制备的真空防爆安全系统,其中等离子体增强化学气相沉积装置在其中起到比较重要的作用,但现有的等离子体增强化学气相沉积装置不能很好的聚散等离子体,不利于电极和腔体的高效使用,因此涉及一种新的平行等离子体增强化学气相沉积装置。
技术实现思路
[0004]针对现有技术存在的不足,本技术目的是提供一种平行等离子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯单壁碳纳米管生产装置,其特征在于:包括反应腔体(1)、开设在反应腔体(1)上的进气组件和出气管(2)、对称设置在反应腔体(1)两侧的微波场(3)、分别设置在反应腔体(1)两侧的N磁极板(4)和S磁极板(5)、均匀固定在反应腔体(1)两侧的电加热板(6)、设置在反应腔体(1)中心处的隔板(7)、固定在反应腔体(1)内的扩散组件。2.根据权利要求1所述的一种高纯单壁碳纳米管生产装置,其特征在于:所述进气组件包括平行设置的第一进气管(8)和第二进气管(9)。3.根据权利要求2所述的一种高纯单壁碳纳米管生产装置,其特征在于:所述第一进气管(8)和第二进气管(9)开设在反应腔体(1)靠近微波场(3)的位置处,所述出气管(2)开设在反应腔体(1)靠近电加热板(6)的位置处...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋文瑄,宋文琪,宋振兴,谢玉娟,
申请(专利权)人:天津朗缪新材料科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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