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用于写零操作的技术制造技术

技术编号:32499097 阅读:19 留言:0更新日期:2022-03-02 10:07
本申请涉及用于写零操作的技术。一种用于写零操作的装置,包括:存储器设备的控制器,其包括逻辑,所述逻辑的至少一部分包括硬件,所述逻辑用于:转发写0命令,以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0;以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活,对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。储器区块存储值0。储器区块存储值0。

【技术实现步骤摘要】
用于写零操作的技术
[0001]本申请是申请日为2017年1月16日、国际申请号为PCT/US2017/013656、专利技术名称为“用于写零操作的技术”的PCT申请的中国国家阶段申请的分案申请,该中国国家阶段申请进入中国国家阶段的进入日为2018年8月3日、申请号为201780009798.8,其全部内容结合于此作为参考。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年9月27日提交的题为“TECHNIQUES FOR A WRITE ZERO OPERATION(用于写零操作的技术)”的美国申请第15/277,182号的优先权,该申请进而要求于2016年3月4日提交的题为“TECHNIQUES FOR A WRITE ZERO OPERATION(用于写零操作的技术)”的美国临时申请第62/303,662号的优先权。出于所有目的,这些文献的全部公开内容通过引用方式并入本文。


[0004]本文描述的示例总体上涉及用于对存储器设备的写入操作的技术。

技术介绍

[0005]可以将存储器设备的存储器区块的内容置零,以使得在存储器区块中维护的二进制值或内容具有值0。每个存储器区块可以是包括4千字节(KB)数据的存储器页。在一些示例中,图形密集型应用或存储器富集的处理器平台可能需要尽可能快地将一个或多个存储器区块的内容置零。图形密集型应用可能要求快速置零,以快速地将显示器的区域改变为黑色,这需要将与该区域相关联的一个或多个存储器区块置零。存储器富集的处理器平台可能要求快速置零以用于纠错编码(ECC)初始化或校准,这可能要求一个或多个存储器区块的内容具有初始值0。

技术实现思路

[0006]根据一种实施方式,一种用于写零操作的装置,包括:存储器设备的控制器,其包括逻辑,所述逻辑的至少一部分包括硬件,所述逻辑用于:转发写0命令,以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0;以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活,对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。
[0007]根据另一实施方式,一种用于写零操作的方法,包括:在存储器设备的控制器处转发写0命令,以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0;以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活,对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。
附图说明
[0008]图1示出了示例存储器阵列。
[0009]图2示出了示例系统。
[0010]图3示出了示例第一时序图。
[0011]图4示出了示例第二时序图。
[0012]图5示出了示例第二存储器设备。
[0013]图6示出了示例第三时序图。
[0014]图7示出了装置的示例框图。
[0015]图8示出了第一逻辑流程的示例。
[0016]图9示出了第二逻辑流程的示例。
[0017]图10示出了存储介质的示例。
[0018]图11示出了示例计算平台。
具体实施方式
[0019]如在本公开中所设想的,在一些示例中,图形密集型应用或存储器富集的处理器平台可能需要尽可能快地将一个或多个存储器区块的内容置零。基于软件的解决方案可以由软件程序员使用,例如,“Memset(ptr,o,nbyte)”或“calloc()”,以设置用于将存储器区块的内容置零的高级函数。这些基于软件的高级函数可以被编译成存储的指令的循环。例如,利用高级向量扩展(AVX),使用单个指令一次将存储器的256位(b)的内容清零或置零是可能的。然而,要将存储器的整个页的内容(可能是4千字节(KB))置零,单个指令必须执行或循环128次。
[0020]已经开发了一些解决方案来从基于软件的高级函数转移,以快速地将存储器区块的内容置零。第一种解决方案是WRITE0命令,该命令使得存储器区块的所有列选择线(CSL)以高效且快速的方式写0。然而,WRITE0命令的存取协议基于诸如激活(ACT)命令和WRITE0命令之类的动态随机存取(DRAM)的商品存取协议(例如,JEDEC标准协议)。这些商品存取协议将大量命令流量添加到存储器设备的命令/命令地址(CA)总线和数据(DQ)总线。
[0021]第二种解决方案引入新命令W0ACT。通过以高效且快速的方式激活所有CSL但是利用命令/CA总线上的单个写入命令来这样做,新的W0ACT命令以与第一种解决方案类似的方式使存储器的整个页或区块的内容置零。激活所有CSL可能会导致高峰值电流。这在具有有限可用功率(例如,移动计算设备)或者可能缺少足够的功率电路来处理激活所有CSL所需的高峰值电流的一些系统中可能是有问题的。关于上面提及的挑战和其他挑战,需要本文描述的示例。
[0022]图1示出了示例存储器阵列100。在一些示例中,存储器阵列100可以被认为是针对存储器设备以二维方式组织的存储器位单元的阵列。为了对信息进行存取,可以将地址向量给予存储器阵列100,并且可以检索信息块。存储器阵列100可以被划分为图1中示为存储体(bank)120、130、140或150的某种程度上独立的存储体。可以使用地址向量中的存储体地址位来从存储体120、130、140或150中选择存储体。给定存储体可以进一步划分为许多区段。可以通过逻辑、特征和/或电路来促进对存储体及其相应区段的存取,该逻辑、特征和/或电路可以包括图1中示为控制逻辑和输入/输出(IO)113和115、控制逻辑112和114,列
(col.)解码器122、132、142和152或主字线(MWL)解码器124、134、144和154的控制逻辑110和各种其他逻辑、特征和/或电路。
[0023]在一些示例中,同一存储体的区段可以共享外围逻辑、特征和/或电路。例如,存储体120的区段0和区段1可以共享控制逻辑和输入/输出(IO)115、列解码器122、MWL解码器124和控制逻辑112。根据一些示例,在给定时间,可以仅允许一个区段是活动的。区段可以进一步划分为许多片(未示出),有时称为子阵列。地址向量中的除存储体地址位之外的地址位可以是行地址位和列地址位。行地址位可以用于选择区段和选定区段内的行。区段中的行可以具有一行中等效的16K至64K位(或2K至8K字节)。在一些示例中,行也可以被称为页或存储器页。行中的每个位可以具有对应的感测放大器(amp),其可以用于对在位单元中维护的内容进行存取。
[0024]根据一些示例,存储器阵列100可以包括一种类型的易失性存储器,例如但不限于DRAM。对于这些示例,DRAM位单元可以将信息或内容存储在电容器中。可以通过相位来感测每个位单元的感测放大器。首先,需要将位线(及其补)预充电到本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于写零操作的装置,包括:存储器设备的控制器,其包括逻辑,所述逻辑的至少一部分包括硬件,所述逻辑用于:转发写0命令,以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0;以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活,对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生,直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。2.根据权利要求1所述的装置,所述一个或多个存储器区块包括所述存储器设备的一个或多个存储体。3.根据权利要求1所述的装置,包括:所述存储器设备包括非易失性存储器或易失性存储器,其中,所述易失性存储器包括动态随机存取存储器DRAM,并且所述非易失性存储器包括3维交叉点存储器、使用硫族化物相变材料的存储器、多阈值水平NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储...

【专利技术属性】
技术研发人员:S
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:

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