用于写零操作的技术制造技术

本申请涉及用于写零操作的技术。一种用于写零操作的装置，包括：存储器设备的控制器，其包括逻辑，所述逻辑的至少一部分包括硬件，所述逻辑用于：转发写0命令，以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0；以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活，对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生，直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。储器区块存储值0。储器区块存储值0。

【技术实现步骤摘要】
用于写零操作的技术
[0001]本申请是申请日为2017年1月16日、国际申请号为PCT/US2017/013656、专利技术名称为“用于写零操作的技术”的PCT申请的中国国家阶段申请的分案申请，该中国国家阶段申请进入中国国家阶段的进入日为2018年8月3日、申请号为201780009798.8，其全部内容结合于此作为参考。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年9月27日提交的题为“TECHNIQUES FOR A WRITE ZERO OPERATION(用于写零操作的技术)”的美国申请第15/277,182号的优先权，该申请进而要求于2016年3月4日提交的题为“TECHNIQUES FOR A WRITE ZERO OPERATION(用于写零操作的技术)”的美国临时申请第62/303,662号的优先权。出于所有目的，这些文献的全部公开内容通过引用方式并入本文。


[0004]本文描述的示例总体上涉及用于对存储器设备的写入操作的技术。

技术介绍

[0005]可以将存储器设备的存储器区块的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于写零操作的装置，包括：存储器设备的控制器，其包括逻辑，所述逻辑的至少一部分包括硬件，所述逻辑用于：转发写0命令，以使得所述存储器设备的一个或多个存储器区块存储值0；以及使得由所述存储器设备针对所述一个或多个存储器区块对列选择线CSL进行内部激活，对所述CSL进行的所述内部激活以在相同时钟周期激活多个CSL的方式发生，直到所述一个或多个存储器区块的所有列已经被激活并且所述一个或多个存储器区块存储值0。2.根据权利要求1所述的装置，所述一个或多个存储器区块包括所述存储器设备的一个或多个存储体。3.根据权利要求1所述的装置，包括：所述存储器设备包括非易失性存储器或易失性存储器，其中，所述易失性存储器包括动态随机存取存储器DRAM，并且所述非易失性存储器包括3维交叉点存储器、使用硫族化物相变材料的存储器、多阈值水平NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：