一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片技术

本发明专利技术提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。水汽的渗入。水汽的渗入。

【技术实现步骤摘要】
一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片。

技术介绍

[0002]随着LED显屏市场的不断发展，由于LED显屏常在高温高湿的环境下使用，且内部的LED芯片常处于逆压工作，因此应用端对显屏的小尺寸LED芯片的耐压提出了更高的需求，通常在85％湿度及85℃的高温高湿下在芯片上加载逆向电压来进行验证(及双85逆压可靠性实验)。在这种严苛环境下的失效模式是高温加速水汽渗入芯片内部后，在高逆向电场的作用下与芯片的N型GaN发生电化学反应，造成烧伤。目前芯片通过表面的钝化保护层(通常材质为SiO2)，来隔绝水汽，阻止水汽渗入芯片内部。
[0003]然而，现有钝化保护层通常采用硅烷(SiH4)、笑气(N2O)反应生成绝缘的SiO2，膜层中不可避免的会掺杂部分Si
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N键(表现为折射率偏高至1.5左右，纯SiO2的折射率为1.46)。Si
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N的键能相比Si
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O键的键能更低，在双85逆压可靠性实验中，由于存在逆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合钝化层，作为客体的保护膜层，其特征在于，包括：依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率；所述钝化底层用于接触客体的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为客体与外界接触的膜层，用于减少孔洞。2.根据权利要求1所述的复合钝化层，其特征在于，在所述钝化底层及钝化顶层之间还设有中间层，且所述中间层的折射率介于所述钝化底层和钝化顶层之间，用于增强所述钝化底层和钝化顶层之间的相互应力。3.根据权利要求1所述的复合钝化层，其特征在于，所述钝化底层的折射率为1.40～1.50，包括端点值；所述中间层的折射率为1.42～1.52，包括端点值；所述钝化顶层的折射率为1.45～1.55，包括端点值。4.根据权利要求1所述的复合钝化层，其特征在于，所述复合钝化层包括透明的绝缘材料。5.一种复合钝化层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：步骤S01、将保护客体放置于反应腔中，且反应腔体保持在预热温度；步骤S02、往腔体通入硅烷与笑气的混合气体，以形成钝化底层，且所述钝化底层的折射率为1.40～1.50，包括端点值；步骤S03、增大所通入的硅烷与笑气的混合比例，以形成中间层，且所述中间层的折射率为1.42～1.52，包括端点值；步骤S04、再次增大所通入的硅烷与笑气的混合比例，以形成钝化顶层，且钝化顶层的折射率为1.45～1.55，包括端点值。6.根据权利要求5所述的复合钝化层的制作方法，其特征在于，步骤S02中，所述硅烷与笑气的混合比例为2:320～6:320，包括端点值；步骤S03中，所述硅烷与笑气的混合比例为2:320～2:50，包括端点值；步骤S04中，所述硅烷与笑气的混合比例为1:50～2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锋杰，周弘毅，邬新根，刘伟，陈帅城，崔恒平，蔡玉梅，蔡海防，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：