一种大功率高速射频开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率高速射频开关，涉及射频微波组件技术领域。该大功率高速射频开关，包括：输入电源、电源转换电路、第一驱动控制电路、第二驱动控制电路和射频电路，所述输入电源分别与电源转换电路、第一驱动控制电路、第二驱动控制电路连接，所述电源转换电路的端子分别与第一驱动控制电路、第二驱动控制电路连接，所述第一驱动控制电路的输出端、第二驱动控制电路的输出端与射频电路连接。本实用新型专利技术的大功率高速射频开关中具有电源转换电路，可将输入电压转换为高压直流，使用时用户无需考虑高压电源，方便应用。方便应用。方便应用。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率高速射频开关


[0001]本技术涉及射频微波组件
,具体地涉及一种大功率高速射频开关。

技术介绍

[0002]现有的大功率开关主要由射频部分和驱动部分组成：射频部分根据指标要求可选择并联或串联电路，再选择一款合适的高压PIN驱动器。市场上主流的驱动器都需要至少双电压，如+5V
‑
100V，这种驱动器有两个缺点：（1）有上电顺序，要按地 +5V
ꢀ‑
100V先后顺序接入，否则驱动器容易损坏；（2）驱动器速度较慢，不能满足大功率高速开关的指标需求。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的问题，本技术提供了一种大功率高速射频开关。该大功率高速射频开关中具有电源转换电路，可将输入电压转换为高压直流，使用时用户无需考虑高压电源，方便应用。
[0004]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种大功率高速射频开关，包括：输入电源、电源转换电路、第一驱动控制电路、第二驱动控制电路和射频电路，所述输入电源分别与电源转换电路、第一驱动控制电路、第二驱动控制电路连接，所述电源转换电路的端子分别与第一驱动控制电路、第二驱动控制电路连接，所述第一驱动控制电路的输出端、第二驱动控制电路的输出端与射频电路连接。
[0005]进一步地，所述电源转换电路包括：第一电感L1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电容C2、第一三极管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、开关控制电路；所述第一电感L1的一端与输入电源连接，所述第一电感L1的另一端分别与第一电容C1的一端、第一三极管Q1的集电极连接，所述第一三极管Q1的发射极接地，所述第一三极管Q1的基极与开关控制电路的一端连接，所述第一电容C1的另一端分别与第一二极管D1的正极、第二二极管D2的负极连接，所述第一二极管D1的负极接地，所述第二二极管D2的正极与端子连接，所述第二电容C2的一端与端子连接，所述第二电容C2的另一端接地，所述第一电阻R1的一端与端子连接，所述第一电阻R1的另一端、所述第二电阻R2的一端均与开关控制电路连接，所述第二电阻R2的另一端接地。
[0006]进一步地，所述第一驱动控制电路、第二驱动控制电路均包括：逻辑门U1、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第三电容C3、第四电容C4、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4；所述逻辑门U1的输出端分别与第三电阻R3的一端、第三电容C3的一端、第五电阻R5的一端、第四电容C4的一端连接，所述第二三极管Q2的基极分别与第三电阻R3的另一端、第四电阻R4的一端、第三电容的另一端连接，所述输入电源分别与第二三极管Q2的发射极、第四电阻R4的另一端连接，所述第二三极管Q2的集电极与第七电阻R7的一端连接，所述第五电阻R5的另一端与第三三极管Q3的发射极连接，所述第四三极管Q4的基极分别与第三三极管Q3的集电极、第四电容C4的另一端、第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端、第四三极管Q4的发射极分别与电源转换电路
的端子连接，所述第四三极管Q4的集电极与第八电阻R8的一端连接，所述第八电阻R8的另一端、第七电阻R7的另一端分别与控制输出端连接。
[0007]进一步地，所述逻辑门U1接地，所述第三三极管Q3的基极接地。
[0008]进一步地，所述逻辑门U1与输入电源连接，所述逻辑门U1为非门。
[0009]进一步地，所述第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4均为高速三极管。
[0010]进一步地，所述射频电路包括：第一PIN二极管D3、第二PIN二极管D4、第三PIN二极管D5、第四PIN二极管D6、第一退耦电容C5、第二退耦电容C6、第一隔直电容C7、第二隔直电容C8、第三隔直电容C9、第四隔直电容C10、第二电感L2、第三电感L3；所述第一退耦电容C5的一端、第二电感L2的一端与第一驱动控制电路的控制输出端连接，所述第一退耦电容C5的另一端接地，所述第二电感L2的另一端分别与第一隔直电容C7的一端、第一PIN二极管D3的正极、第二PIN二极管D4的正极、第二隔直电容C8的一端连接，所述第一PIN二极管D3的负极、第二PIN二极管D4的负极接地；所述第二退耦电容C6的一端、第三电感L3的一端分别与第二驱动控制电路3的控制输出端连接，所述第二退耦电容C6的另一端接地，所述第三电感L3的另一端分别与第三隔直电容C9的一端、第三PIN二极管D5的正极、第四隔直电容C10的一端、第四PIN二极管D6的正极连接，所述第三PIN二极管D5的负极、第四PIN二极管D6的负极接地，所述第二隔直电容C8的另一端、第三隔直电容C9的另一端与射频电路的输入端连接。
[0011]进一步地，所述第一隔直电容C7的另一端与射频电路的第一输出端连接，所述第四隔直电容C10的另一端与射频电路的第二输出端连接。
[0012]进一步地，所述第一PIN二极管D3、第二PIN二极管D4、第三PIN二极管D5、第四PIN二极管D6并联在传输线和金属外壳之间。
[0013]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：本技术的大功率高速射频开关中具有电源转换电路，可将输入电压转换为高压直流，使用时用户无需考虑高压电源，方便应用；本技术的射频电路中第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第四PIN二极管并联在传输线和金属外壳之间，具有良好的散热，提高了开关耐功率能力，本技术的射频开关能承受4000峰值功率；本技术第一驱动控制电路、第二驱动控制电路中的第二三极管、第三三极管、第四三极管组成分立驱动电路，改善了开关速度，使得开关速度小于1μs；且本技术通过输入电源进行单电源供电，单电源供电简单，不用担心上电顺序导致的驱动器损坏，根据产品指标要求可以通过DCDC变出需要电压值。
附图说明
[0014]图1为本技术大功率高速射频开关的结构示意图；
[0015]图2为本技术中电源转换电路的电路图；
[0016]图3为本技术中第一驱动控制电路、第二驱动控制电路的电路图；
[0017]图4为本技术中射频电路的电路图。
具体实施方式
[0018]以下结合附图对本技术的技术方案作进一步地解释说明。
[0019]如图1为本技术大功率高速射频开关的结构示意图，该大功率高速射频开关
包括：输入电源100、电源转换电路1、第一驱动控制电路2、第二驱动控制电路3和射频电路4，输入电源100分别与电源转换电路1、第一驱动控制电路2、第二驱动控制电路3连接，电源转换电路1的端子130分别与第一驱动控制电路2、第二驱动控制电路3连接，第一驱动控制电路2的输出端、第二驱动控制电路3的输出端与射频电路4连接。本技术中通过输入电源100进行单电源供电，单电源供电简单，不用担心上电顺序导致的驱动器损坏，根据产品指标要求可以通过DCDC变出需要电压值。当输入电源100经电源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率高速射频开关，其特征在于，包括：输入电源（100）、电源转换电路（1）、第一驱动控制电路（2）、第二驱动控制电路（3）和射频电路（4），所述输入电源（100）分别与电源转换电路（1）、第一驱动控制电路（2）、第二驱动控制电路（3）连接，所述电源转换电路（1）的端子（130）分别与第一驱动控制电路（2）、第二驱动控制电路（3）连接，所述第一驱动控制电路（2）的输出端、第二驱动控制电路（3）的输出端与射频电路（4）连接。2.根据权利要求1所述大功率高速射频开关，其特征在于，所述电源转换电路（1）包括：第一电感L1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第二电容C2、第一三极管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2、开关控制电路（28）；所述第一电感L1的一端与输入电源（100）连接，所述第一电感L1的另一端分别与第一电容C1的一端、第一三极管Q1的集电极连接，所述第一三极管Q1的发射极接地，所述第一三极管Q1的基极与开关控制电路（28）的一端连接，所述第一电容C1的另一端分别与第一二极管D1的正极、第二二极管D2的负极连接，所述第一二极管D1的负极接地，所述第二二极管D2的正极与端子（130）连接，所述第二电容C2的一端与端子（130）连接，所述第二电容C2的另一端接地，所述第一电阻R1的一端与端子连接，所述第一电阻R1的另一端、所述第二电阻R2的一端均与开关控制电路（28）连接，所述第二电阻R2的另一端接地。3.根据权利要求1所述大功率高速射频开关，其特征在于，所述第一驱动控制电路（2）、第二驱动控制电路（3）均包括：逻辑门U1、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第三电容C3、第四电容C4、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4；所述逻辑门U1的输出端分别与第三电阻R3的一端、第三电容C3的一端、第五电阻R5的一端、第四电容C4的一端连接，所述第二三极管Q2的基极分别与第三电阻R3的另一端、第四电阻R4的一端、第三电容的另一端连接，所述输入电源（100）分别与第二三极管Q2的发射极、第四电阻R4的另一端连接，所述第二三极管Q2的集电极与第七电阻R7的一端连接，所述第五电阻R5的另一端与第三三极管Q3的发射极连接，所述第四三极管Q4的基极分别与第三三极管Q3的集电极、第四电容C4的另一端、第六电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁文碧，黄佳锐，
申请(专利权)人：四川海湾微波科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：