一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56

【技术实现步骤摘要】
一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统


[0001]本技术涉及一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统。

技术介绍

[0002]随着电摩电池市场的兴起，高压低功耗电源如高压LDO开始有了应用场景，市面上目前很少有现成芯片选择，部分公司正在开发但未量产，一般自设计的LDO如图1所示，采用的是MOS管或者BJT双极结型晶体管来做调整管形成一级减压来匹配现成的集成LDO,用于耗散掉不同输入电压多余的电能，如84V输入，系统只输出3.3V和输入电流5mA，那么电阻R1消耗U＝1250R*0.005A＝6.25V，调整管Q1的功率为P＝(84V
‑
6.25V
‑
6.8V)*0.005A＝0.355W,所以实际上此电路在不改变Q1调整管的情况，它的极限只能承受5mA的功率，从市场上来看，BJT和MOS封装越强壮成本是指数倍增长，因此成本很高。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统。
[0004]为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56
‑
86V、并联稳压电路、串联稳压电路、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路连接56
‑
86V，所述并联稳压电路、串联稳压电路、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路、LDO芯片U2都连接串联稳压电路，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路，所述LDO芯片U2连接单片机U1。
[0006]作为优选，并联稳压电路包括电阻R3、稳压二极管DW2、三极管Q5，所述电阻R3的一端连接56
‑
86V，所述电阻R3的另一端通过稳压二极管DW2连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极连接地信号，所述三极管Q5的集电极通过电阻R5连接单片机U1。
[0007]作为优选，串联稳压电路包括稳压二极管DW3、电阻R4、三极管Q4、三极管Q3，所述稳压二极管DW3的正极连接地信号GND，所述稳压二极管DW3的负极连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接并联稳压电路，所述稳压二极管DW3的负极连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q4的集电极连接电阻R4的另一端，所述三极管Q4的发射极连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接LDO芯片U2。
[0008]作为优选，LDO芯片U2设有输入端IN、GND端、输出端OUT。
[0009]作为优选，输入端IN连接三极管Q3的发射极，所述GND端连接地信号GND，所述输出端OUT连接单片机U1。
[0010]作为优选，56
‑
86V通过电池的电芯供电。
[0011]作为优选，稳压二极管DW2的稳压值为8.2V。
[0012]作为优选，稳压二极管DW3的稳压值为8.2V。
[0013]本技术的有益效果如下：本技术成本低，且本技术将输入电流提高
到40mA,电流承受能力提高了8倍；本技术将低成本的电阻R3始终消耗最大的耗散功率,在合理设计的情况将相对调整管Q3来的安全,电阻本身相对半导体结构简单，功能稳定，对静电等不敏感。
附图说明
[0014]图1为
技术介绍
中的电路原理图；
[0015]图2为本技术的模块连接图；
[0016]图3为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0017]下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明：
[0018]实施例1：
[0019]如图2所示，一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56
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86V、并联稳压电路1、串联稳压电路2、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路1连接56
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86V，所述并联稳压电路1、串联稳压电路2、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路1、LDO芯片U2都连接串联稳压电路2，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路1，所述LDO芯片U2连接单片机U1。
[0020]本技术成本低，且本技术将输入电流提高到40mA,能力提高了8倍；本技术功能稳定，对静电等不敏感。
[0021]实施例2：
[0022]如图2所示，一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56
‑
86V、并联稳压电路1、串联稳压电路2、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路1连接56
‑
86V，所述并联稳压电路1、串联稳压电路2、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路1、LDO芯片U2都连接串联稳压电路2，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路1，所述LDO芯片U2连接单片机U1。
[0023]如图3所示，并联稳压电路1包括电阻R3、稳压二极管DW2、三极管Q5，所述电阻R3的一端连接56
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86V，所述电阻R3的另一端通过稳压二极管DW2连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极连接地信号，所述三极管Q5的集电极通过电阻R5连接单片机U1。
[0024]如图3所示，串联稳压电路2包括稳压二极管DW3、电阻R4、三极管Q4、三极管Q3，所述稳压二极管DW3的正极连接地信号GND，所述稳压二极管DW3的负极连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接并联稳压电路1，所述稳压二极管DW3的负极连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q4的集电极连接电阻R4的另一端，所述三极管Q4的发射极连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接LDO芯片U2，LDO芯片U2设有输入端IN、GND端、输出端OUT，输入端IN连接三极管Q3的发射极，所述GND端连接地信号GND，所述输出端OUT连接单片机U1，56
‑
86V通过电池的电芯供电，稳压二极管DW2的稳压值为8.2V，稳压二极管DW3的稳压值为8.2V。
[0025]LDO芯片U2的型号为HT7133。
[0026]本技术同时使用串联稳压和并联稳压技术，通过低成本的电阻R3始终消耗最大的耗散功率。
[0027]工作原理：
[0028]电池的电芯休眠状态，单片机U1不给开机控制信号，Q5截止，DW2不工作2：电池的电芯启动状态，当系统激活后单片机初始化开始工作，在100us内完成配置，通过电阻R5打开开机控制，即单片机对电阻R5输出高电平，此时单片机仅消耗2mA 100us的开机电流。3：系统正常工作后，三极管Q5打开，DW2稳压管开始稳压，把电压钳位在8.5V,此时单片机已经开始正常工作，从5mA
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20mA电流经过6.8V到3.3V回路，稳压管DW2和此回路此消本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，包括56
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86V、并联稳压电路(1)、串联稳压电路(2)、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路(1)连接56
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86V，所述并联稳压电路(1)、串联稳压电路(2)、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路(1)、LDO芯片U2都连接串联稳压电路(2)，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路(1)，所述LDO芯片U2连接单片机U1。2.根据权利要求1所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述并联稳压电路(1)包括电阻R3、稳压二极管DW2、三极管Q5，所述电阻R3的一端连接56
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86V，所述电阻R3的另一端通过稳压二极管DW2连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极连接地信号，所述三极管Q5的集电极通过电阻R5连接单片机U1。3.根据权利要求1所述一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，其特征在于，所述串联稳压电路(2)包括稳压二极管DW3、电阻R4、三极管Q4、三极管Q3，所述稳压二极管DW3的正极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，杨庆宏，邓通杭，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：