一种受控高压发生装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种受控高压发生装置，该装置包括爆炸电路和控制电路，控制电路触发端连接第一电阻后、另一端连接第一三级管、第一三级管的集电极连接光耦、光耦的电压输出端与电压转换芯片相连，电压转换芯片输出端连接MOS管栅极，爆炸电路的变压器副边线圈一端连接第二二极管，第二二极管的输出端分别与第六电容、第六电阻、MOS管源极连接，MOS管漏极连接雷管的正极脚线，变压器副边线圈、第六电容、第六电阻的另一端以及雷管的负极脚线均接地。根据控制电路的触发信号打开MOS管，接通爆炸电路进行起爆控制。该装置中采用高电压、大电流的MOS器件，具有重复开断能力，使爆炸发生装置具有可恢复保险的功能，可以实现自失效，方便弹药回收。弹药回收。弹药回收。

【技术实现步骤摘要】
一种受控高压发生装置


[0001]本技术涉及导弹引信领域，尤其涉及一种受控高压发生装置。

技术介绍

[0002]在引爆导弹过程中，先对爆炸电路的储能电容进行充电，储存的电容通过高压发电给冲击片雷管放电，引爆冲击片雷管。在爆炸发生装置的放电电路接通设计中，现有的方式有采用高压电导通高压放电管，或采用高压可控硅作为开关管，而在需要控制导弹停止爆炸、弹药自失效方便回收时，这两种方法均难以实现导弹爆炸保险的可恢复功能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术实施例提供了一种受控高压发生装置，以解决现有爆炸发生控制装置，难以实现导弹爆炸保险可恢复的问题。
[0004]在本技术实施例的第一方面，提供了一种受控高压发生装置，包括爆炸电路和控制电路，所述控制电路起爆信号触发端与第一电阻连接，第一电阻另一端连接有第二电阻、第一电容和第一三极管的基极，第二电阻、第一电容的另一端以及第一三极管发射极均接地，第一三极管的集电极与光耦的K端连接，第一电源与第三电阻连接，第三电阻另一端与光耦的A端连接，第二电源的正极分别连接有电压转换芯片的VCC端、第二电容、第四电阻、第五电阻和光耦的VCC端，第四电阻的另一端连接光耦的VE端，光耦的VO端、第五电阻的另一端均连接电压转换芯片的IN端，光耦的GND 端及第二电容的另一端均接第二电源负极，电压转换芯片的GND端连接第二电源负极，电压转换芯片的EN端、第二电源的正极均与第四电容一端连接，第四电容另一端接地，电压转换芯片的OUT端分别与第五电容、双向击穿二极管、MOS管的栅极连接，第五电容的另一端连接第二电源负极，双向击穿二极管的另一端接地；
[0005]所述爆炸电路包括第二二极管、第六电容、第六电阻、雷管和MOS管，变压器副边线圈一端连接第二二极管的输入端，第二二极管的输出端分别与第六电容、第六电阻、MOS管源极连接，MOS管漏极连接雷管的正极脚线，变压器副边线圈的另一端、第六电容的另一端、第六电阻的另一端以及雷管的负极脚线均接地。
[0006]在一个实施例中，第一电源的输出电压为3.3V，第二电源正极电压为 8V，第二电源负极电压为
‑
8V。
[0007]本技术中，采用高电压、大电流的MOS器件，具有重复开断能力，使爆炸发生装置具有可恢复保险的功能，控制端发出自失效信号后，储能电容通过泄放电阻自放电，使弹药处于安全状态，实现待发弹药自失效，方便弹药回收。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本技术的
一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他附图。
[0009]图1为本技术的一个实施例提供的受控高压发生装置的结构示意图。
具体实施方式
[0010]为使得本技术的技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。
[0011]本技术的说明书或权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他相近意思表述，意指覆盖不排他的包含，如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、设备没有限定于已列出的步骤或单元。此外，“第一”“第二”用于区分不同对象，并非用于描述特定顺序。
[0012]请参阅图1，本技术实施例提供的一种受控高压发生装置的电路结构示意图，包括爆炸电路和控制电路，所述控制电路起爆信号触发端与第一电阻R1连接，第一电阻R1另一端连接有第二电阻R2、第一电容C1和第一三极管Q1的基极，第二电阻R2的另一端、第一电容C1的另一端以及第一三极管Q1发射极均接地，第一三极管Q1的集电极与光耦的K(KATHODE，阴极)端连接，第一电源与第三电阻R3连接，第三电阻R3另一端与光耦的A(ANODE，阳极)端连接，第二电源的正极分别连接有电压转换芯片 U2的VCC端(电源端)、第二电容C2、第四电阻R4、第五电阻R5和光耦 U1的VCC端，第四电阻R4的另一端连接光耦U1的VE端(电压输入端)，光耦的VO端(电压输出端)、第五电阻R5的另一端均连接电压转换芯片 U2的IN端(输入端)，光耦的VO端、第五电阻R5的另一端均连接第三电容C3，第三电容C3的另一端接第二电源负极，光耦U1的GND端(接地端)及第二电容C2的另一端均接第二电源负极，电压转换芯片U2的GND 端连接第二电源负极，电压转换芯片U2的EN端(使能端)、第二电源的正极均与第四电容C4一端连接，第四电容C4另一端接地，电压转换芯片U2 的OUT端(输出端)分别与第五电容C5、双向击穿二极管D1、MOS管的栅极连接，第五电容C5的另一端连接第二电源负极，双向击穿二极管D1 的另一端接地；
[0013]所述爆炸电路包括第二二极管D2、第六电容C6、第六电阻R6、雷管和MOS管，变压器副边线圈一端连接第二二极管D2的输入端，第二二极管D2的输出端分别与第六电容C6、第六电阻R6、MOS管源极连接，MOS 管漏极连接雷管的正极脚线，变压器副边线圈的另一端、第六电容的另一端、第六电阻的另一端以及雷管的负极脚线均接地。
[0014]需要说明的是，光耦U1的1和4路为空脚NC，2路表示光耦阳极A 的输入，3路表示光耦阴极K的输出，5路、6路、7路、8路依次表示接地、电压输出、电压输入和电源电压。当第一三极管Q1处于饱和状态，集电极与发射极导通，则光耦2路与3路接通，则VO端输出低电平。
[0015]电压转换芯片1路、2路、3路、4路、5路依次表示电压输入、接地、电源电压、电压输出和使能控制。当IN端输入高电平，则OUT端输出低电平，对应的，当IN端输入低电平，则OUT端输出高电平。
[0016]其中，第一电源的输出电压为3.3V，第二电源正极电压为8V，第二电源负极电压为
‑
8V。
[0017]所述双向击穿二极管D1用于保护控制电路不被瞬时高能脉冲电压损坏。
[0018]需要注意的是，本技术实施例中选取国产大功率MOS管控制晶闸管(MCT管)的集成设计，耐压1700V，重复脉冲电流4000A。同时，高压开关控制极集成瞬态保护二极管，满足参数要求，封装为T0220，满足小型化要求。
[0019]工作原理为：控制电路起爆信号触发端发出起爆信号QB1，QB1平时为低电平信号，经过电阻R1后，三极管Q1偏置工作在截止区(集电极与发射极间电流很小，不导通)，光耦U1输出高电平，U2输出低电平，双极性器件MOS管Q2不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种受控高压发生装置，包括爆炸电路和控制电路，其特征在于，所述控制电路起爆信号触发端与第一电阻连接，第一电阻另一端连接有第二电阻、第一电容和第一三极管的基极，第二电阻、第一电容的另一端以及第一三极管发射极均接地，第一三极管的集电极与光耦的K端连接，第一电源与第三电阻连接，第三电阻另一端与光耦的A端连接，第二电源的正极分别连接有电压转换芯片的VCC端、第二电容、第四电阻、第五电阻和光耦的VCC端，第四电阻的另一端连接光耦的VE端，光耦的VO端、第五电阻的另一端均连接电压转换芯片的IN端，光耦的GND端及第二电容的另一端均接第二电源负极，电压转换芯片的GND端连接第二电源负极，电压转换芯片的EN端、第二电源的正极均...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙，方辉，余艳平，李诗韬，
申请(专利权)人：湖北汉丹机电有限公司，
类型：新型
国别省市：