用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置，该基板台包括基板台本体和两个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部，所述金刚石支撑部设于所述基板台本体上。本实用新型专利技术降实现金刚石双面同时生长。长。长。

【技术实现步骤摘要】
用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置


[0001]本技术涉及单晶金刚石
，特别是涉及用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置。

技术介绍

[0002]微波等离子化学气相沉积法MPCVD是合成高质量金刚石最具潜力的方法之一。MPCVD装置是通过将微波发生器产生的微波，经波导传输系统进入该装置的腔内(反应腔)，往反应腔中通入甲烷和氢气的混合气体，在微波的激励下，在反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离子化，产生等离子体，在基板上沉积得到金刚石。现有衬底托均将金刚石籽晶平行放置，上表面进行外延生长，下表面会积累石墨阻碍生长，现有的设备及工艺仅支持金刚石的单面生长，无法双面同时生长。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术第一方面提供一种用于双面生长单晶金刚石的基板台，所述基板台包括基板台本体和两个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部，所述金刚石支撑部设于所述基板台本体上。
[0005]优选地，还包括如下技术特征中的任一项：
[0006]1)所述基板台包括两个用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部，两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间；
[0007]2)所述基板台包括三个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部，相邻两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间。
[0008]优选地，当金刚石样品放于所述金刚石支撑部上时，金刚石样品的底部与所述基板台本体之间有间距。
[0009]更优选地，所述间距为0.5～10mm。
[0010]本技术第二方面提供一种沉积部，包括上述基板台。
[0011]优选地，还包括冷却单元，所述冷却单元设于所述基板台下方。
[0012]更优选地，所述冷却单元包括冷却进水通路、第一冷却水支路和第二冷却水支路，所述第一冷却水支路和所述第二冷却水支路设于所述冷却进水通路的两侧，所述第一冷却水支路与所述冷却进水通路连通，所述第二冷却水支路与所述冷却进水通路连通。
[0013]本技术第三方面提供一种沉积装置，包括上述沉积部。
[0014]优选地，还包括沉积室，所述基板台设于所述沉积室内，在近所述金刚石支撑部的沉积室壁上设有一个以上进气口。
[0015]更优选地，所述进气口斜向上倾斜。
[0016]上述技术方案具有以下有益效果：
[0017]本技术提供用于双面生长单晶金刚石的基板台、沉积部和沉积装置，实现金刚石双面同时生长。
附图说明
[0018]图1是本技术沉积装置的结构示意图一。
[0019]图2是本技术沉积装置的结构示意图二。
[0020]附图标记
[0021]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基板台
[0022]11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基板台本体
[0023]12
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
金刚石支撑部
[0024]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
冷却单元
[0025]21
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
冷却进水通路
[0026]22
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一冷却水支路
[0027]23
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二冷却水支路
[0028]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
沉积室
[0029]31
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
进气口
[0030]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
金刚石样品
具体实施方式
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0034]如图1和图2所示，本技术第一实施例提供一种基板台，所述基板台1包括基板台本体11和两个以上用于支撑金刚石样品4的金刚石支撑部12，所述金刚石支撑部12设于所述基板台本体11上。
[0035]在一优选的实施方式中，如图1所示，所述基板台1包括两个用于支撑金刚石样品
的金刚石支撑部12，两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间。
[0036]在一优选的实施方式中，如图2所示，所述基板台1包括三个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部12，相邻两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间。该设计可实现多个金刚石样品的双面生长。
[0037]在一优选的实施方式中，如图1和图2所示，当金刚石样品放于所述金刚石支撑部12上时，金刚石样品的底部与所述基板台本体11之间有间距。
[0038]在一优选的实施方式中，所述间距为0.5～10mm。
[0039]本技术基板台包括两个以上用于支撑金刚石样品4的金刚石支撑部12，金刚石样品4可如图1所示设有放置于金刚石支撑部12上的凸出部，将金刚石样品4放置于金刚石支撑部12上，从而实现双面生长。
[0040]本技术第二实施例提供一种沉积部，包括上述基板台1。该沉积部可用于微波等离子化学气相沉积装置中。
[0041]在一优选的实施方式中，如图1和图2所示，还包括冷却单元2，所述冷却单元2设于所述基板台1下方。冷却单元用于冷却基板台。
[0042本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于双面生长单晶金刚石的基板台，其特征在于，所述基板台(1)包括基板台本体(11)和两个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部(12)，所述金刚石支撑部(12)设于所述基板台本体(11)上。2.如权利要求1所述的用于双面生长单晶金刚石的基板台，其特征在于，还包括如下技术特征中的任一项：1)所述基板台(1)包括两个用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部(12)，两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间；2)所述基板台(1)包括三个以上用于支撑金刚石样品的金刚石支撑部(12)，相邻两个金刚石支撑部之间设有容纳金刚石样品的空间。3.如权利要求1所述的用于双面生长单晶金刚石的基板台，其特征在于，当金刚石样品放于所述金刚石支撑部(12)上时，金刚石样品的底部与所述基板台本体(11)之间有间距。4.如权利要求3所述的用于双面生长单晶金刚石的基板台，其特征在于，所述间距为0.5～10mm。5.一种沉积部，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王垒，温简杰，
申请(专利权)人：上海昌润极锐超硬材料有限公司，
类型：新型
国别省市：