可变电容、反射型移相器和半导体设备制造技术

本申请公开了一种可变电容、反射型移相器和半导体设备，涉及电子技术领域，用于解决可变电容的电容值随PVT变化敏感的问题。可变电容包括：第一梳状结构和第一组叉指，第一梳状结构包括多个梳齿，第一组叉指包括至少一个叉指，其中第一组叉指的叉指设置在第一梳状结构的至少两个梳齿之间并且无电接触；第二梳状结构和第二组叉指，第二梳状结构包括多个梳齿，第二组叉指包括至少一个叉指，其中第二组叉指的叉指设置在第一梳状结构的至少两个梳齿之间并且无电接触；以及用于控制第一组叉指的至少一个叉指和第二组叉指的至少一个叉指之间是否有电接触的开关；其中，第一梳状结构、第一组叉指、第二梳状结构以及第二组叉指均为导电材料。材料。材料。材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王硕，彭嵘，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：