【技术实现步骤摘要】
压力传感器
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种压力传感器。
技术介绍
[0002]在半导体领域,在采用刻蚀等方法生产芯片时,通常要求对工艺气体的压力有很高精度的监测,以便对气体的压力、流量等做出精确的控制,从而生产出高质量的产品。
[0003]现有的压力传感器包括上支座、电极件、下支座和动膜,其中,上支座、动膜和下支座依次叠置,三者均为金属导体件,且通过焊接等方式连接在一起,其中,在上支座的顶部开口处设置有顶盖,该顶盖、动膜和上支座之间构成上空间,动膜与下支座之间构成下空间,上空间的压力是已知的,通常情况下处于高真空状态,其压力值设为Pr;下空间通过管路与被测空间连通,其压力值设为Px。当Px变大时,动膜会因受到向上的力变大而向上凸起。电极件为绝缘体,其上、下表面分别覆盖有金属层,两层金属层通过设置在电极件中的通孔内壁上的金属层电导通,这样,动膜的上表面和电极件的下表面上的金属层将组成一个平板电容,此电容的电容值C与动膜的上表面和电极件的下表面上的金属层之间的距离d有如下关系:
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压力传感器,其特征在于,包括第一支座和电极件,其中,所述第一支座上设置有用于支撑所述电极件的支撑部,且在所述电极件与所述支撑部彼此相对的两个表面之间依次叠置有多个调整件;所述电极件、所述多个调整件和所述第一支座的热膨胀系数沿由所述电极件至所述支撑部的方向逐个递增。2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,各个所述调整件的热膨胀系数满足以下公式:其中,Cm为自最靠近所述电极件的所述调整件算起,第M个调整件的热膨胀系数,M=1,2,...,N;N为所述调整件的个数,N大于等于2;dC=Cc
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Ca,Ca为所述电极件的热膨胀系数;Cc为所述第一支座的热膨胀系数;f为在预设范围内的数值,所述预设范围为大于等于N/(N+1),且小于等于(N+2)/(N+1)。3.根据权利要求1或2所述的压力传感器,其特征在于,通过增大指定压力、摩擦系数和总厚度中的至少一者,来增大各个所述调整件在热膨胀时的切应变变形;其中,所述指定压力为沿由所述电极件至所述支撑部的方向向所述电极件施加的压力;所述摩擦系数包括所述调整件与所述电极件之间的第一摩擦系数、所述调整件与所述支撑部之间的第二摩擦系数以及相邻两个所述调整件之间的第三摩擦系数;所述总厚度为所有的所述调整件的厚度之和。4.根据权利要求3所述的压力传感器,其特征在于,所述指定压力大于等于250N;所述第一摩擦系数、所述第二摩擦系数以及所述第三摩擦系数均大于等于0.1;所述总厚度大于等于0.4mm。5.根据权利要求1或2所述的压力传感器,其特征在于,通过减小接触面积、比值、所述调整件的切变模量和所述调整件的弹性模量中的至少一者,来增大各个所述调整件在热...
【专利技术属性】
技术研发人员:张锋,胡蕾,
申请(专利权)人:北京七星华创流量计有限公司,
类型:发明
国别省市:
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