一种热控多波带锑化铟完美吸波体及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种热控多波带完美吸波体及其应用，整体结构自上而下由三层构成。上层是周期性排列的方括号锑化铟阵列，中间层是SiO2介质，下层是金属层。室温下，通过合理设定单元结构的几何参数可以同时实现3个完美吸收峰。本发明专利技术图形结构简单，完美吸收峰的个数可从2个自由调谐到5个。利用半导体锑化铟材料对温度的敏感特性，温度升高可使吸收峰整体表现出明显的红移。该结构具有较高的温度灵敏度（22 GHz/K），较小的半高宽FWHM（0.06 THz）和较高的折射率灵敏度(287 GHz/RIU)。这种热控多波带锑化铟完美吸波体在热控滤波、热生物传感、热成像和探测等方面具有广泛的应用前景。热成像和探测等方面具有广泛的应用前景。热成像和探测等方面具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种热控多波带锑化铟完美吸波体及其应用


[0001]本专利技术属于太赫兹波段的可调完美吸波
，具体涉及一种实现热控多波带锑化铟完美吸波体及其应用。

技术介绍

[0002]完美吸波体是一种能够完全吸收入射电磁波的吸波装置，在光学传感器、光学天线和热发射器等方面存在广泛的应用，其工作机理主要为电磁共振理论。自2008年提出完美吸收体之后引起国内外学者广泛的研究。到目前为止，已经设计了金属条带、分裂环、闭合环，交叉金属棒等图案谐振器实现完美吸波。但是，这些设计都是无法动态调控的。
[0003]锑化铟是一种带隙窄、有效质量小、电子迁移率高的III
‑
V二元化合物半导体。除此之外，它是一种工作在太赫兹范围内的磁光半导体材料，其介电常数可随环境温度、入射光角度或外加磁场灵活调制，经常被用来设计异质结。例如，Fan等人首先将功能性材料锑化铟引入太赫兹电浆子晶体中，通过十字形沟槽周期性阵列和B形孔状结构实现了高可调谐性。然而，用一个简单的设计来获得可调共振吸收峰个数的研究很少被报道。
[0004]本专利技术的完美吸收峰由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，包括从上到下依次排布的锑化铟图案层、二氧化硅中间介质层、金属基底层，所述锑化铟图案层由结构单元周期性排列构成，所述结构单元为方括号形状体，改变方括号形状体的参数以实现锑化铟完美吸收峰从2个自由调谐到5个，可改变参数包括左侧方括号形状体的侧边宽度w1、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w2、右侧方括号形状体的侧边宽度w3、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w4、方括号形状体内侧边到中心轴的距离d中的一个。2.根据权利要求1所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，左侧方括号形状体的侧边宽度w
1＝
5μm～9μm，左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w
2＝
3μm～5μm，右侧方括号形状体的侧边宽度w
3＝
5μm～9μm，右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w
4＝
3μm～5μm，方括号形状体内侧边到中心轴的距离d
＝
5.4μm～7.4μm。3.根据权利要求2所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，锑化铟图案层的结构单元的左侧方括号形状体的侧边宽度w1、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w2、右侧方括号形状体的侧边宽度w3、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w4的参数设置为w1＝w2＝w3...

【专利技术属性】
技术研发人员：范春珍，詹影，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：