一种高开通率的PWM死区控制电路制造技术

本发明专利技术公开一种高开通率的PWM死区控制电路，由三输入与门U4A和U4B，非门U5A、U5B、U1C和U1E；带斯密特特性非门U6A和U6B，双向限幅二极管D1和D3，上拉电阻R3和R4，电阻R1、R5、R7和R8，以及电容C1和C2组成；或者由与门U4A和U4B，非门U5A、U5B、U1C和U1E；带斯密特特性非门U6A和U6B，双向限幅二极管D1和D3，电阻R1、R5、R7和R8，以及电容C1和C2组成。本发明专利技术实现了对同臂上下功率开关管的PWM死区控制，输入上下管的一组无死区的PWM信号后，输出能避免同臂导通、开通率高达100％、死区时间用硬件可调PWM脉冲信号。信号。信号。

【技术实现步骤摘要】
一种高开通率的PWM死区控制电路


[0001]本专利技术涉及PWM(脉冲宽度调制)控制
，具体涉及一种高开通率的PWM死区控制电路。

技术介绍

[0002]PWM控制是变频器、伺服驱动器、逆变器等电力电子变流控制领域广泛采用技术，通常由微控制器MPU(例如DSP、ARM等)或其外接计数器按控制要求输出周期确定、脉宽和时序可控的多路脉冲信号，控制功率开关管(例如IGBT或MOSFET)通断，实现控制输出电流的目的。所述电力电子变流控制的功率回路通常都是由上下两个功率开关管相连构成一臂、若干臂组成功能单元结构，常见的由两臂构成称为H型结构、由三臂构成的称为三相结构。做PWM控制时，脉宽和时序按要求变化，为避免同臂上下功率开关管同时导通导致短路损坏，某一开关功率开关管开通前，要采取措施确保同臂的另一功率开关管已经关断一段时间，这一时间间隔称为PWM死区时间，死区时间一般根据功率开关管有效关断时间决定，通常1～5微秒。
[0003]目前PWM死区控制的方法主要有两类：一类是软件控制方法，即以软件方式对微控制器MPU或其外接计数器发生PWM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高开通率的PWM死区控制电路，其特征是，包括三输入与门U4A和U4B，非门U5A、U5B、U1C和U1E；带斯密特特性非门U6A和U6B，双向限幅二极管D1和D3，上拉电阻R3和R4，电阻R1、R5、R7和R8，以及电容C1和C2；非门U5B输入端和三输入与门U4A第一输入端形成PWM死区控制电路的输入端PWMA+；非门U5A输出端连接双向限幅二极管D3中点；双向限幅二极管D3阴极经电阻R1连接带斯密特特性非门U6A输入端；双向限幅二极管D3阳极经电阻R8连接带斯密特特性非门U6A输入端；电容C1的一端连接带斯密特特性非门U6A输入端，电容C1的另一端接地GND；带斯密特特性非门U6A输出端连接非门U1C输入端；非门U1C的输出端连接三输入与门U4A第二输入端；三输入与门U4A第三输入端经上拉电阻R3接电源Vcc；三输入与门U4A输出端形成PWM死区控制电路的输出端A+out；非门U5A输入端和三输入与门U4B第一输入端形成PWM死区控制电路的输入端PWMA
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；非门U5B输出端连接双向限幅二极管D1中点；双向限幅二极管D1阴极经电阻R5连接带斯密特特性非门U6B输入端；双向限幅二极管D1阳极经电阻R7连接带斯密特特性非门U6B输入端；电容C2的一端连接带斯密特特性非门U6B输入端，电容C2的另一端接地GND；带斯密特特性非门U6B输出端连接非门U1E输入端；非门U1E的输出端连接三输入与门U4B第二输入端；三输入与门U4B第三输入端经上拉电阻R4接电源Vcc；三输入与门U4B输出端形成PWM死区控制电路的输出端A
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out。2.根据权利要求1所述的一种高开通率的PWM死区控制电路，其特征是，三输入与门U4A和U4B的型号为74F11D。3.根据权利要求1所述的一种高开通率的PWM死区控制电路，其特征是，非门U5A、U5B、U1C和U1E的型号为74LS...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏江龙，宋自挺，朱剑波，吕虹，吴勇强，
申请(专利权)人：桂林星辰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：