半导体器件引线框架及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件引线框架及半导体器件，半导体器件引线框架包括：框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元，各个框架单元呈单排排列，框架单元包括基岛及连接于基岛底端的管脚组件，管脚组件包括并排布置的多个管脚，基岛与管脚之间设置有电连接的管脚部，基岛上表面设置有基岛网格，管脚部背面设置有管脚网格。本实用新型专利技术通过单排式排列的多个框架单元，每个框架单元对应一个模块的封装，能够同时实现多个模块封装，可有效提高生产效率、原材料的利用率和降低生产成本；并且，半导体器件引线框架具有较佳的抗冲击能力以及优越的性能，能够提高封装器件的散热效果。器件的散热效果。器件的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件引线框架及半导体器件


[0001]本技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体器件引线框架及半导体器件。

技术介绍

[0002]功率半导体器件主要应用于新能源汽车、服务器电源、BMS、开关电源、逆变器等领域，其具有很大的发展空间，同时碳化硅材料、氮化镓材料及先进封装技术也在蓬勃发展中。
[0003]目前功率半导体器件普遍采用薄外型封装(TO型封装)，如TO
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220、TO
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251、TO
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263等封装，它们主要应用于中低压领域。在中高压应用领域中，TO
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247封装占主导地位，其基岛与TO
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220、TO
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251、TO
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263等封装相比，具有更大的基岛，能够封装更大面积和更大功率的芯片。
[0004]然而，TO
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247框架的基岛部分面积只占总面积的二分之一，安装孔也占据了一大部分，降低了芯片的安装面积，不能将框架的面积充分利用。TO
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247管脚宽度较窄，塑封后的产品管脚与塑封料之间容易发生变形，导致产品的抗冲击能力降低；TO
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247封装属于通孔插件封装，其散热需要单独增加散热片，其散热效果没有SMT封装器件效果好；TO
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247封装出来的产品还存在较高的封装电感和封装电阻，会增加器件的开关损耗和导通损耗，影响产品的整体性能。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体器件引线框架及半导体器件，用于解决现有技术中引线框架抗冲击能力差、封装电感和封装电阻较高的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体器件引线框架，包括：框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元，各个所述框架单元呈单排排列，所述框架单元包括基岛及独立设置于基岛底端的管脚组件，所述管脚组件包括并排布置的多个管脚，所述管脚靠近基岛的一端设置有管脚部，所述基岛的上表面设置有基岛网格，所述管脚部的背面设置有管脚网格。
[0007]可选地，每个所述框架单元中的管脚数量为4个，各个所述管脚沿横向均匀分布，且各个所述管脚的尺寸相同。
[0008]可选地，每个所述框架单元中各个管脚部之间相互独立、或者两个相邻管脚部连接、或者三个相邻管脚部连接。
[0009]可选地，所述基岛网格的深度与管脚网格的深度相同，所述基岛网格的尺寸大于管脚网格的尺寸。
[0010]可选地，所述基岛与管脚分别位于不同的平面，所述基岛所在平面与管脚所在平面之间具有高度差。
等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。
[0031]请结合图1和图2所示，本技术提供一种半导体器件引线框架，包括：框架本体1以及沿其长度方向排布于框架本体1上的多个框架单元2，各个所述框架单元2呈单排排列，所述框架单元2包括基岛21及独立设置于基岛21底端的管脚组件22，所述管脚组件22包括并排布置的多个管脚222，所述管脚222靠近基岛21的一端设置有管脚部221，所述基岛21的上表面设置有基岛网格211，所述管脚部221的背面设置有管脚网格221a。
[0032]本实施例中，采用的半导体器件引线框架为表贴式耐大电流引线框架，框架本体1上呈单排排列有12个框架单元2，每个框架单元2对应1个光伏旁路模块的封装，1个引线框架能够封装12个光伏旁路模块。如此，可有效提高生产效率、原材料的利用率和降低生产成本。图1中示意出了部分框架单元2，其余框架单元2省略。
[0033]框架本体1及管脚222为片状结构，适用于小型化、扁平化的封装。
[0034]每个框架单元2包括基岛21及独立设置于基岛21底端的管脚组件22，每个基岛21顶端的框架本体1上设置有用于定位该框架单元2的定位孔23，相邻定位孔23之间设置有用于分隔框架单元2的第一分隔孔11，且相邻管脚组件22之间设置有用于分隔管脚组件22的第二分隔孔12，所述第二分隔孔12与第一分隔孔11在纵向上一一对应；本实施例中，定位孔23由条形孔和位于条形孔上且连通的圆形孔组合而成，第一分隔孔11为矩形孔，且沿框架本体1的长度方向延伸；第二分隔孔12为腰型孔，且沿框架本体1的宽度方向延伸，第二分隔孔12的长度与管脚222的长度适配，通过第一分隔孔11和第二分隔孔12可对各个框架单元2进行分隔，便于后续分离各个框架单元2。在其他实施例中，定位孔23、第一分隔孔11及第二分隔孔12的形状可根据需求设定。
[0035]本实施例中，所述框架本体1总长210.00
±
0.15mm，总宽32.75
±
0.15mm；该框架本体1为异型材框架，基岛21与管脚222的厚度不同，其中，基岛21的厚度为1.30
±
0.015mm，管脚222的厚度为0.50
±
0.015mm；相邻框架单元2之间的步距(相邻定位孔23的中心距)为17.50
±
0.03mm，累积步距(所有定位孔23的总距离)192.50
±
0.08mm；定位边宽(定位孔23与框架本体1顶端之间的距离)为2.80mm，定位孔23中圆形孔的直径为Φ3.60
±
0.05mm，基岛21上的载体区域尺寸为11.30mm 7.68mm。
[0036]其中，每个所述框架单元2中的管脚222数量为4个，且各个管脚222的尺寸相同。各个管脚222之间通过横向延伸的管脚连接筋223连接，管脚连接筋223的两端与框架本体1连接。相应地，每个基岛21底端设置有4个管脚部221。各个管脚222沿横向均匀分布，保证各个管脚222的均匀受力，能够减少外界应力对器件的影响。本实施例中，管脚222的尺寸为1.5mm 0.5mm，1.5mm为宽度，0.5mm为厚度，防止管脚222过大导致封装开裂，其中管脚222厚度设置为0.5mm，是铜材厂的通用厚度，其工艺成熟，方便后期稳定供应。
[0037]并且，每个所述框架单元2中各个管脚部221之间相互独立、或者两个相邻管脚部221连接、或者三个相邻管脚部221连接。如图2所示，各个管脚部221之间相互独立。如图3所示，第一管脚222a和第二管脚222b对应的管脚部221相互独立，第三管脚222c和第四管脚222d对应的管脚部221连接为一体；如图4所示，第一管脚222a对应的管脚部221独立设置，第二管脚222b、第三管脚222c和第四管脚222d对应的管脚部221连接为一体。
[0038]基岛21上表面通过网格粗化处理形成有基岛网格211，管脚部221背面通过网格粗
化处理形成有管脚网格221a，所述基岛网格211的深度与管脚网格221a的深度相同，所述基岛网格211的尺寸大于管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件引线框架，其特征在于，包括：框架本体以及沿其长度方向排布于框架本体上的多个框架单元，各个所述框架单元呈单排排列，所述框架单元包括基岛及独立设置于基岛底端的管脚组件，所述管脚组件包括并排布置的多个管脚，所述管脚靠近基岛的一端设置有管脚部，所述基岛的上表面设置有基岛网格，所述管脚部的背面设置有管脚网格。2.根据权利要求1所述的半导体器件引线框架，其特征在于：每个所述框架单元中的管脚数量为4个，各个所述管脚沿横向均匀分布，且各个所述管脚的尺寸相同。3.根据权利要求2所述的半导体器件引线框架，其特征在于：每个所述框架单元中各个管脚部之间相互独立、或者两个相邻管脚部连接、或者三个相邻管脚部连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件引线框架，其特征在于：所述基岛网格的深度与管脚网格的深度相同，所述基岛网格的尺寸大于管脚网格的尺寸。5.根据权利要求1所述的半导体器件引线框架，其特征在于：所述基岛与管脚分别位于不...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏大权，马鹏，余镇，周玉凤，徐向涛，马红强，王兴龙，李述洲，
申请(专利权)人：重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：