【技术实现步骤摘要】
驱动电路和整流电路
[0001]本公开涉及驱动电路和整流电路。
技术介绍
[0002]在各种功率转换系统(诸如，AC/DC和DC/DC转换器)中，由控制逻辑驱动的场效应晶体管或FET(例如MOSFET晶体管)可以被用来于替代整流器二极管。
[0003]通常被称为同步整流(SR)的这种技术被发现可以改进转换器效率。借助于SR有助于降低传导损耗，因为(整流的)输出电流流过MOSFET沟道，而不是整流二极管，功率损耗对应减小。
[0004]如果同步整流FET未被驱动，这种功率转换器也能继续操作。这是因为仍由MOSFET的内部二极管提供整流。
[0005]互补电路的操作条件的变化可以影响同步整流电路的定时和性能。当互补电路的操作条件中存在改变时，也可能导致效率低下或 MOSFET故障。负载或互补元件的操作频率的改变可以改变整流电路中的响应，这会导致晶体管的整流驱动效率低下。
技术实现思路
[0006]本公开至少解决了上述缺陷中的一些缺陷。
[0007]根据本公开的第一方面，提供了一种驱动电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于，包括：基准电压生成器，用于生成基准电压，其中所述基准电压基于互补电路的操作频率；比较器，包括：第一输入，被配置为接收第一低侧场效应晶体管的漏极
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源极电压；和第二输入，耦合到所述基准电压生成器的输出，以接收所述基准电压；以及信号生成器，耦合到所述比较器的输出，所述信号生成器被配置为：向所述第一低侧场效应晶体管的栅极端子递送驱动信号，以在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压变得小于所述基准电压后，将所述第一低侧场效应晶体管驱动至导通状态，并且在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压变得大于所述基准电压后，将所述第一低侧场效应晶体管驱动至关断状态。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述基准电压生成器包括查找表，所述查找表包括用于存储第一值的第一字段，并且其中当所述互补电路的所述操作频率在第一频率处时，所述基准电压生成器将所述基准电压设置为所述第一值。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述查找表包括用于存储第二值的第二字段，并且其中当所述互补电路的所述操作频率在第二频率处时，所述基准电压生成器将所述基准电压设置为所述第二值。4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述查找表包括用于存储多个附加值的多个附加字段，并且其中当所述互补电路的所述操作频率在与所述多个附加值中的所选择的值相对应的频率处时，所述基准电压生成器将所述基准电压设置为所述多个附加值中的所述所选择的值。5.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述基准电压生成器包括数模转换器，以将来自所述查找表的输出信号转换为所述基准电压。6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述基准电压生成器包括用于接收传达所述互补电路的所述操作频率的信号的输入。7.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动信号被递送到第一高侧场效应晶体管的栅极端子，以在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压变得小于所述基准电压后，驱动所述第一高侧场效应晶体管导通，并且在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压变得大于所述基准电压后，驱动所述第一高侧场效应晶体管关断。8.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述互补电路包括具有同步整流201的LCC谐振转换器的半桥LCC。9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，当整流电路的输出的电流高于电流阈值时，所述信号生成器被传达所述整流电路的所述输出的所述电流的输入信号启用，并且当所述整流电路的所述输出的所述电流低于所述电流阈值时，所述信号生成器被禁用。10.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括电压感测电路，所述电压感测电路被配置为：感测所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压，并且向所述比较器的所述第一输入提供所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极
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源极电压。11.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述信号生成器包括PWM信号生成器。12.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动信号进一步由整流电路的
输出的电流确定。13.一种整流电路，其特征在于，包括：第一场效应晶体管；第二场效应晶体管；第三场效应晶体管；第四场效应晶体管；第一驱动电路，其中所述第一驱动电路被配置为：在所述第二场效应晶体管的漏极
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源极电压变得小...
【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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