阻隔材料及具备该阻隔材料的产品制造技术

一种阻隔材料，其配置于基材上，其中，所述阻隔材料的从与所述基材相反的一侧向所述基材侧的水蒸汽透过率A1小于所述阻隔材料的从所述基材侧向与所述基材相反的一侧的水蒸汽透过率A2。。。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻隔材料及具备该阻隔材料的产品


[0001]本专利技术涉及一种阻隔材料及具备该阻隔材料的产品。

技术介绍

[0002]一直以来，为了避免湿气混入形成于电子器件的空隙部，研究了利用阻隔膜等密封电子器件。例如，在专利文献1中记载有一种将具备无机氧化物层的阻隔膜层叠而成的阻隔膜层叠体。
[0003]以往技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
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093195号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]本专利技术的目的在于提供一种配置于基材上的阻隔材料，其能够以高水平抑制该基材的吸湿。并且，本专利技术的目的在于提供一种具备该阻隔材料的产品。
[0008]用于解决技术课题的手段
[0009]本专利技术提供一种配置于基材上的阻隔材料。在该阻隔材料中，从与上述基材相反的一侧向上述基材侧的水蒸汽透过率A1小于上述阻隔材料的从上述基材侧向与上述基材相反的一侧的水蒸汽透过率A2。
[0010]根据这种阻隔材料，即使在水分侵入到基材侧的情况下，也能够向与基材相反的一侧放出该水分，因此能够显著抑制向基材的吸湿。并且，根据这种阻隔材料，通过在配置阻隔材料的状态下进行加热干燥等，基材中的水分放出到外部，能够有效地干燥基材。
[0011]在一方式中，上述水蒸汽透过率A2相对于上述水蒸汽透过率A1之比(A2/A1)可以为1.3以上。
[0012]一方式所涉及的阻隔材料可以包含掺杂有金属原子的聚硅氧烷化合物。
[0013]在一方式中，上述聚硅氧烷化合物可以具有与3个氧原子键合的硅原子。
[0014]在一方式中，与3个氧原子键合的硅原子及与4个氧原子键合的硅原子的合计数相对于上述聚硅氧烷化合物中的硅原子的总数的比例可以为30％以上。
[0015]在一方式中，上述聚硅氧烷化合物中的氧原子之中90％以上可以与硅原子键合。
[0016]一方式所涉及的阻隔材料可以由涂布于上述基材上的阻隔材料形成用组合物的固化物构成。此时，上述阻隔材料形成用组合物可以包含至少一部分被金属醇盐修饰的硅烷低聚物。
[0017]在一方式中，上述硅烷低聚物可以具有与3个氧原子键合的硅原子。
[0018]在一方式中，与3个氧原子键合的硅原子及与4个氧原子键合的硅原子的合计数相对于上述硅烷低聚物中的硅原子的总数的比例可以为50％以上。
[0019]在一方式中，上述阻隔材料形成用组合物还可以包含硅烷单体。
[0020]本专利技术还提供一种具备基材和配置于上述基材上的上述阻隔材料的产品。
[0021]专利技术效果
[0022]本专利技术能够提供一种配置于基材上的阻隔材料，其能够以高水平抑制该基材的吸湿。并且，本专利技术能够提供一种具备该阻隔材料的产品。
附图说明
[0023]图1是表示阻隔材料的优选的一方式的示意剖视图。
具体实施方式
[0024]以下，对本专利技术的优选实施方式进行说明。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。“A或B”只要包括A及B中的任一者即可，也可以包括两者。本实施方式中所例示的材料只要没有特别指定，则能够单独使用一种或者组合使用两种以上。
[0025]＜阻隔材料＞
[0026]本实施方式所涉及的阻隔材料配置于基材上，从与该基材相反的一侧向基材侧的水蒸汽透过率A1小于从基材侧向与基材相反的一侧的水蒸汽透过率A2。图1是表示阻隔材料的优选的一方式的示意剖视图。图1的阻隔材料10配置于基材20上，从与基材20相反的一侧的面11向基材20侧的面12的水蒸汽透过率A1小于从基材20侧的面12向与基材20相反的一侧的面11的水蒸汽透过率A2。如图1所示，基材20上可以形成有多个阻隔材料10，优选在其全部中水蒸汽透过率A1小于水蒸汽透过率A2。
[0027]根据本实施方式所涉及的阻隔材料，即使在水分侵入到基材侧的情况下，也能够向与基材相反的一侧放出该水分，因此能够显著抑制向基材的吸湿。并且，根据本实施方式所涉及的阻隔材料，通过在配置阻隔材料的状态下进行加热干燥等，基材中的水分放出到外部，能够有效地干燥基材。
[0028]水蒸汽透过率A2相对于水蒸汽透过率A1之比(A2/A1)例如可以为1.1以上，优选为1.3以上，更优选为1.5以上。由此，更显著地发挥上述效果。
[0029]水蒸汽透过率A2相对于水蒸汽透过率A1之比(A2/A1)的上限不受特别限定。比(A2/A1)例如可以为30以下，也可以为20以下，也可以为10以下。
[0030]水蒸汽透过率A1例如可以为5000g/m2·
day以下，从更加抑制水分侵入到基材侧的观点考虑，优选为4000g/m2·
day以下，更优选为3000g/m2·
day以下。水蒸汽透过率A1的下限不受特别限定。水蒸汽透过率A1例如可以为100g/m2·
day以上。另外，上述水蒸汽透过率A1表示每20μm厚度在40℃、95％RH下的值。
[0031]水蒸汽透过率A2例如可以为500g/m2·
day以上，从通过放出侵入到基材侧的水分来更加显著地获得上述效果的观点考虑，优选为2000g/m2·
day以上，更优选为4000g/m2·
day以上。水蒸汽透过率A2的上限不受特别限定。水蒸汽透过率A2例如可以为10000g/m2·
day以下。另外，上述水蒸汽透过率A2表示每20μm厚度在40℃、95％RH下的值。
[0032]另外，在本说明书中，水蒸汽透过率A1及水蒸汽透过率A2表示利用JIS K7129的方法测量的值。
[0033]构成本实施方式所涉及的阻隔材料的材质不受特别限定。
[0034]在优选的一方式中，阻隔材料优选包含聚硅氧烷化合物，更优选包含掺杂有金属原子的聚硅氧烷化合物。这种阻隔材料通过聚硅氧烷化合物中的硅原子的结构控制来容易控制阻隔材料中的空隙，能够容易满足上述水蒸汽透过率A1与水蒸汽透过率A2的关系。
[0035]聚硅氧烷化合物具有硅氧烷骨架。并且，在聚硅氧烷化合物中，金属原子经由氧原子与构成聚硅氧烷骨架的硅原子键合。
[0036]聚硅氧烷化合物中所包含的硅原子能够区分为与1个氧原子键合的硅原子(M单元)、与2个氧原子键合的硅原子(D单元)、与3个氧原子键合的硅原子(T单元)及与4个氧原子键合的硅原子(Q单元)。作为M单元、D单元、T单元及Q单元，分别能够例示出后述的式(M)、(D)、(T)及(Q)。
[0037]在聚硅氧烷化合物中，T单元及Q单元的合计数相对于硅原子的总数的比例例如可以为30％以上，优选为50％以上，更优选为70％以上，进一步优选为90％以上，也可以为100％。根据这种聚硅氧烷化合物，阻隔材料的防湿性进一步提高。
[0038]在优选的一方式中，聚硅氧烷化合物优选含有T单元。相对于硅原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阻隔材料，其配置于基材上，其中，所述阻隔材料的从与所述基材相反的一侧向所述基材侧的水蒸汽透过率A1小于所述阻隔材料的从所述基材侧向与所述基材相反的一侧的水蒸汽透过率A2。2.根据权利要求1所述的阻隔材料，其中，所述水蒸汽透过率A2相对于所述水蒸汽透过率A1之比即A2/A1为1.3以上。3.根据权利要求1或2所述的阻隔材料，其包含掺杂有金属原子的聚硅氧烷化合物。4.根据权利要求3所述的阻隔材料，其中，所述聚硅氧烷化合物具有与3个氧原子键合的硅原子。5.根据权利要求3或4所述的阻隔材料，其中，与3个氧原子键合的硅原子及与4个氧原子键合的硅原子的合计数相对于所述聚硅氧烷化合物中的硅原子的总数的比例为30％以上。6.根据权利要求3至5中任一项所述的阻隔材料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木崇之，福田龙一郎，小竹智彦，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：