一种埋入式钽电解电容器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种埋入式钽电解电容器及其制备方法，所述埋入式钽电解电容器包括陶瓷片、钽芯子、阳极引线、银浆层、软态镍引线；所述陶瓷片的表面设有凹槽，所述凹槽的内部设有钽芯子，所述钽芯子的表面依次设有五氧化二钽层、导电聚合物层、碳层；所述阳极引线与钽芯子相连，所述软态镍引线通过银浆层与碳层连接。本发明专利技术的电容器很薄，其厚度为0.05～0.2mm，并拥有可观的电容密度。拥有可观的电容密度。拥有可观的电容密度。

【技术实现步骤摘要】
一种埋入式钽电解电容器及其制备方法


[0001]本专利技术属于埋入式电容器
，涉及一种可埋入分立式半密封固体电解质钽电容器。

技术介绍

[0002]随着芯片制造技术和三维电子封装技术的发展，电子终端设备对无源器件的尺寸和性能提出了更高的要求。印刷电路板(PCB)的多功能化、高度集成化是影响电子封装技术的关键因素。在一个微电子设备中，无源器件约占所有器件的80％，其中60％为电容。将占有大量PCB空间的无源器件集成在PCB里面将节省大量PCB表面空间，更有利于高密度集成封装技术的发展。电容器在集成电路(IC)中具有去耦、滤波、稳定电源的重要作用。埋入式电容是实现高度集成电路板的重要技术之一，埋入式电容比贴片电容具有更小的寄生电感和电阻，系统的稳定性会得到改善。目前，商用的埋入式电容主要是金属层-介质层-金属层结构，介质层以有机/无机复合薄膜为主，这种埋入式电容的电容容量较小，使得高密度集成电路发展受到限制。

技术实现思路

[0003]为了解决埋入式电容容量小的问题，本专利技术的目的在于提供一种可埋入分立式钽电解电容器及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种埋入式钽电解电容器，其特征在于，包括陶瓷片(1)、钽芯子(2)、阳极引线(3)、银浆层(4)、软态镍引线(5)；所述陶瓷片(1)的表面设有凹槽，所述凹槽的内部设有钽芯子(2)，所述钽芯子(2)的表面依次设有五氧化二钽层、导电聚合物层、碳层；所述阳极引线(3)与钽芯子(2)相连，所述软态镍引线(5)通过银浆层(4)与碳层连接。2.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述阳极引线(3)为钽箔或者钽丝。3.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述陶瓷片(1)为三氧化二铝陶瓷片。4.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述导电聚合物层为聚3,4-乙烯二氧噻吩层或聚吡咯层。5.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述钽芯子(2)制备所用的钽粉粒径为0.4μm至10μm。6.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述陶瓷片(1)的长为2～10mm，宽为2～10mm，厚度为0.05～0.2mm；优选地，所述凹槽为任意形状；优选地，所述凹槽面积占陶瓷片(1)总表面积的18％～76％，所述凹槽深度为陶瓷片(1)厚度的50％～100％。7.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述钽箔厚度或钽丝直径占钽芯子(2)厚度的10％～50％。8.根据权利要求1所述的埋入式钽电解电容器，其特征在于，所述银浆层(4)厚度为钽芯子(2)厚度的5％～10％，所述软态镍引线(5)厚度为钽芯子(2)厚度的5％～10％。9.权利要求1-8任一所述的埋入式钽电解电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将钽粉和有机小分子混合成钽浆料；2)将陶瓷片表面加工出凹槽；3)将钽浆料填充到陶瓷片的凹槽中，然后埋入阳极引线，并进行烘干；烘干后进行预烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：于淑会，郭永富，王日明，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：