【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含涂层的锯片或其他切削工具
[0001]本专利技术涉及一种物品,特别地涉及一种包含涂层的切削工具,在物品上提供涂层的方法和(摩擦学)涂层本身。
技术介绍
[0002]本领域已知包含耐磨涂层的切削工具。例如,EP 3228726描述一种涂覆的切削工具,其包括主体和通过PVD沉积在主体上的涂层,其中主体包括硬质合金、金属陶瓷、陶瓷、多晶金刚石、多晶立方氮化硼基材料或高速钢,其中涂层包括第一层(Ti1‑
x
Al
x
)N,其中0.3≤x≤0.7和第二层(Ti
l
‑
p
‑
q
Al
p
Si
q
)N,其中0.15≤p≤0.45且0.05≤q≤0.20,其中从主体的方向看第二层沉积在第一层外部。
[0003]US2002/0168552描述一种用于切削工具的硬质膜,其由(Ti1‑
a
‑
b
‑
c
‑
d
,Al
a
,Cr
b
,Si
c
,B
d
)(C1‑
e
N
e
)0.5≤a≤0.8,0.06≤b,0≤c≤0.1,0≤d≤0.1,0≤c+d≤0.1,a+b+c+d<1,0.5≤e≤1组成(其中a、b、c和d分别表示Al、Cr、Si和B的原子比,e表示N的原子比。)
[0004]JP2007313582描述一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切削工具(1),其包括基材(5)上的涂层(10),其中所述涂层(10)包括第一层元件(20),其中所述第一层元件(20)具有包含金属或类金属元素铝、铬、钛和硅的总成分,其中,所述第一层元件(20)包括数量为N
lay
的第一层元件层(21),其中N
lay
至少为2,其中每个所述第一层元件层(21)包括包含金属或类金属元素铝、铬、钛和硅的氮化物层,其中,所述N
lay
个第一层元件层(21)包括至少两种不同类型的层(22,23),其中所述不同类型的层(22,23)至少在硅含量上不同,其中所述层(22,23)的第一类型(22)具有相对于金属和类金属元素总量的最高硅含量C
Si,H
(at.%),并且其中所述层(22,23)的第二类型(23)具有相对于金属和类金属元素总量的最低硅含量C
Si,L
(at.%),其中所述最低硅含量C
Si,L
与所述最高硅含量C
Si,H
的比率选自0.25≤C
Si,L
/C
Si,H
≤0.9;其中所述第一层元件(20)的厚度(25)选自1
‑
12μm;其中在所述第一层元件(20)中,相对于金属和类金属元素的总量
‑
铝在72
‑
77at.%的范围内可用,
‑
钛在5
‑
11at.%的范围内可用,
‑
铬在13
‑
20at.%的范围内可用,和
‑
硅在0.7
‑
1.7at.%的范围内可用。2.根据权利要求1所述的切削工具(1),其中所述最低硅含量C
Si,L
与所述最高硅含量C
Si,H
的比率选自0.4≤C
Si,L
/C
Si,H
≤0.6。3.根据前述权利要求中任一项所述的切削工具(1),其中C
Si,H
≤1.7且C
Si,L
≤1。4.根据前述权利要求中任一项所述的切削工具(1),其中所述第一层元件层(21)的第一层元件层厚度(215)为0.1
‑
0.5μm。5.根据前述权利要求中任一项所述的切削工具(1),其中在每个所述第一层元件层(21)中,相对于金属和类金属元素的总量,钛和铬的组合在21
‑
27at.%范围内可用。6.根据前述权利要求中任一项所述的切削工具(1),其中多个第一层元件层(21)包括数量为subs
N
的第一层元件层(21)的堆叠子层(200),其中subs
N
至少未知,且其中每个所述子层(200)包括所述层(22,23)的第一类型(22)和所述层(22,23)的第二类型(23),其中每个所述子层(200)的子层厚度(205)等于或小于1μm。7.根据权利要求6所述的切削工具(1),其中所述堆叠子层(2...
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