焊带和具有其的光伏组件及焊带的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种焊带和具有其的光伏组件及焊带的加工方法，所述焊带包括：导电基体；焊锡层，焊锡层覆盖所述导电基体的至少一部分，焊锡层由Sn、Bi和Pb组成；或焊锡层由Sn、Bi、Pb、以及Ga、Ge、In、Sb和镧系元素中的至少一种组成；其中，所述Bi的含量为8％～40％，所述Sn的含量为40％～65％，所述Pb的含量为25％～40％，所述Ga、所述Ge、所述In、所述Sb和所述镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于5％。根据本发明专利技术的焊带，可以降低焊锡层的熔点，从而降低焊带的焊接温度，提高电池片的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
焊带和具有其的光伏组件及焊带的加工方法


[0001]本专利技术涉及焊带制造
，尤其是涉及一种焊带和具有其的光伏组件及焊带的加工方法。

技术介绍

[0002]焊带为光伏组件的主要辅料之一，起着连接电池片以及导电的作用，焊带的导电性、可焊性和伸长率对光伏组件的质量起着至关重要的作用。相关技术中，焊带的熔点较高，从而导致焊带的焊接温度较高，使得电池片不良率较高，且存在虚焊处。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种焊带，所述焊带的熔点较低，可以降低焊带的焊接温度，提高电池片的良率。
[0004]本专利技术的另一个目的在于提出一种具有上述焊带的光伏组件。
[0005]本专利技术的再一个目的在于提出一种上述焊带的加工方法。
[0006]根据本专利技术第一方面实施例的光伏组件，包括：导电基体；焊锡层，所述焊锡层覆盖所述导电基体的至少一部分，所述焊锡层由Sn、Bi和Pb组成；或所述焊锡层由Sn、Bi、Pb、以及Ga、Ge、In、Sb和镧系元素中的至少一种组成；其中，所述Bi的含量为8％～40％，所述Sn的含量为40％～65％，所述Pb的含量为25％～40％，所述Ga、所述Ge、所述In、所述Sb和所述镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于5％。
[0007]根据本专利技术实施例的焊带，通过使焊锡层由Sn、Bi和Pb组成或由Sn、Bi、Pb、以及Ga、Ge、In、Sb和镧系元素中的至少一种组成，并使Bi的含量为8％～40％且Ga、Ge、In、Sb和镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于5％，可以降低焊锡层的熔点，从而降低焊带的焊接温度，提高电池片的良率。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，所述Bi的含量为20％。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述Sn的含量为50％～53％。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述Ga、所述Ge、所述In、所述Sb和所述镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于1％。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述焊锡层由Sn、Bi、Pb、Ga、In和镧系元素组成。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，所述焊锡层的熔点温度为T，其中所述T满足：125℃≤T≤170℃。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述焊带为横截面形状为圆形的焊带、横截面形状为三角形的焊带、横截面形状为矩形的焊带、或横截面形状为三角形的焊带和横截面形状为矩形的焊带的组合。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，当所述焊带的横截面形状为圆形时，所述焊带的直径为d，所述焊锡层的厚度为t1，其中所述d、t1分别满足：0.15mm≤d≤0.4mm、10μm≤t1≤20μm。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，当所述焊带的横截面形状为三角形时，所述焊带的底
边长为L，所述焊锡层的厚度为t2，其中所述L、t2分别满足：0.35mm≤L≤0.45mm、10μm≤t2≤40μm。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，当所述焊带的横截面形状为矩形时，所述焊带的宽度为w，所述焊锡层的厚度为t3，其中所述w、t3分别满足：0.7mm≤w≤0.9mm、10μm≤t3≤40μm。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述导电基体为铜基体、铜铝合金基体、铜银合金基体或铜银铝合金基体。
[0018]根据本专利技术第二方面实施例的光伏组件，包括根据本专利技术上述第一方面实施例的焊带。
[0019]根据本专利技术第三方面实施例的焊带的加工方法，包括以下步骤：将丝状的导电基体进行多次拉拔定型，以得到形状规则的导电基体；对形状规则的导电基体进行热处理，以得到软态的导电基体；软态的导电基体冷却后表面镀附焊锡层，以得到所述焊带。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，在对形状规则的导电基体进行热处理之前，还包括：对形状规则的导电基体进行挤压以得到矩形导电基体；或对形状规则且横截面形状为三角形的导电基体进行挤压、非挤压交替进行以得到异形导电基体，所述异形导电基体为横截面形状为三角形的导电基体和横截面形状为矩形的导电基体的组合。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，在软态的导电基体冷却后表面镀附焊锡层是采用热浸工艺或电镀工艺得到的。
[0022]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0023]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0024]图1是根据本专利技术实施例的焊带的横截面示意图；
[0025]图2是根据本专利技术另一个实施例的焊带的横截面示意图；
[0026]图3是根据本专利技术再一个实施例的焊带的横截面示意图；
[0027]图4是根据本专利技术又一个实施例的焊带的横截面示意图；
[0028]图5是根据本专利技术实施例的Bi的不同含量与焊锡层的熔点温度的示意图；
[0029]图6是根据本专利技术实施例的Bi的不同含量与焊锡层的熔点温度的另一个示意图；
[0030]图7是根据本专利技术实施例的焊带的加工方法的流程示意图；
[0031]图8是根据本专利技术一个实施例的焊锡层的加工方法的流程示意图；
[0032]图9是根据本专利技术另一个实施例的焊锡层的加工方法的流程示意图。
[0033]附图标记：
[0034]100：焊带；
[0035]1：导电基体；2：焊锡层；
[0036]3：三角形焊带段；4：矩形焊带段；
[0037]200：放线模块；300：拉丝模块；
[0038]400：压延模块；500：退火模块；
[0039]600：镀锡模块；700：收线模块。
具体实施方式
[0040]下面详细描述本专利技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本专利技术的实施例。
[0041]下面参考图1-图9描述根据本专利技术第一方面实施例的焊带100。焊带100可以应用于光伏组件(图未示出)例如异质结(一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金)组件。在本申请下面的描述中，以焊带100应用于光伏组件为例进行说明。
[0042]如图1-图4所示，根据本专利技术第一方面实施例的焊带100，包括导电基体1和焊锡层2，焊锡层2覆盖导电基体1的至少一部分。其中，导电基体1可以为铜基体、铜铝合金基体、铜银合金基体或铜银铝合金基体等。但不限于此。
[0043]焊锡层2的熔点可以小于导电基体1的熔点，焊锡层2熔化后，具有一定的流动性，液态的焊锡层2填充焊带100与电池片之间的间隙，从而实现焊带100与光伏组件的电池片之间的连接。
[0044]具体而言，焊锡层2可以由Sn(锡，金属元素，一种有银白色光泽的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种焊带，其特征在于，包括：导电基体；焊锡层，所述焊锡层覆盖所述导电基体的至少一部分，所述焊锡层由Sn、Bi和Pb组成；或所述焊锡层由Sn、Bi、Pb、以及Ga、Ge、In、Sb和镧系元素中的至少一种组成；其中，所述Bi的含量为8％～40％，所述Sn的含量为40％～65％，所述Pb的含量为25％～40％，所述Ga、所述Ge、所述In、所述Sb和所述镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于5％。2.根据权利要求1所述的焊带，其特征在于，所述Bi的含量为20％。3.根据权利要求1所述的焊带，其特征在于，所述Sn的含量为50％～53％。4.根据权利要求1所述的焊带，其特征在于，所述Ga、所述Ge、所述In、所述Sb和所述镧系元素中的至少一种的含量之和为小于等于1％。5.根据权利要求1所述的焊带，其特征在于，所述焊锡层由Sn、Bi、Pb、Ga、In和镧系元素组成。6.根据权利要求1-5中任一项所述的焊带，其特征在于，所述焊锡层的熔点温度为T，其中所述T满足：125℃≤T≤170℃。7.根据权利要求1-5中任一项所述的焊带，其特征在于，所述焊带为横截面形状为圆形的焊带、横截面形状为三角形的焊带、横截面形状为矩形的焊带、或横截面形状为三角形的焊带和横截面形状为矩形的焊带的组合。8.根据权利要求7所述的焊带，其特征在于，当所述焊带的横截面形状为圆形时，所述焊带的直径为d，所述焊锡层的厚度为t1，其中所述d、t1分别满足：0.15mm≤d≤0.4mm、10μm≤t1≤20μm。9.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓士锋，夏正月，许涛，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：