一种高性能LTE天线及移动终端制造技术

本实用新型专利技术提供一种高性能LTE天线及移动终端，包括辐射单元、辐射阵子、耦合单元和接地单元；辐射单元与接地单元相连并形成有第一耦合缝隙；辐射阵子与辐射单元相连并形成有第二耦合缝隙；耦合单元与接地单元相连；辐射单元设置有馈电点，接地单元设置有地点；辐射单元具有第一耦合槽和第二耦合槽。通过辐射单元和辐射阵子相互耦合产生700～960MHz的频段，通过辐射阵子和耦合单元进行耦合产生1700～2700MHz的频段，通过对第一耦合槽、第二耦合槽、第一耦合缝隙和第二耦合缝隙进行调谐，能够改变低频和高频的中心频率及耦合强度，进而改变天线在不同频段下的性能，使得通过一个天线实现了两个频段的谐振，且频段带宽较宽，解决了现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。决了现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。决了现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能LTE天线及移动终端


[0001]本技术涉及无线通信
，特别涉及一种高性能LTE天线及移动终端。

技术介绍

[0002]目前，全球信息化时代已经到来，数据总量呈现爆炸式增长，人们对数据信息的需求日益增多。LTE的诞生是为不断优化无线通信技术以满足客户对无线通信的更高要求。LTE(Long Term Evolution，长期演进)项目是3G的演进，是3G与4G技术之间的一个过渡，它改进并增强了3G的空中接入技术，采用OFDM和MIMO作为其无线网络演进的唯一标准。在20MHz频谱带宽下提供下行100Mbit/s与上行50Mbit/s的峰值速率，改善了小区边缘用户的性能，提高小区容量和降低系统延迟。
[0003]随着4G时代的到来，要求移动终端能够在低频带宽为700～960MHz和高频带宽为1700～2700MHz下实现较高的通信质量，这不仅对天线的带宽要求带来了挑战，还对天线的辐射性能提高了要求。与此同时，移动终端的体积越来越小，要求天线具有较高的集成度来改善多天线导致的天线干扰加剧和天线净空环境较差的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种高性能LTE天线及移动终端，以至少解决现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种高性能LTE天线，所述高性能LTE天线包括辐射单元、辐射阵子、耦合单元和接地单元；所述辐射单元与所述接地单元相连，并形成有第一耦合缝隙；所述辐射阵子与所述辐射单元相连，并形成有第二耦合缝隙；所述耦合单元与所述接地单元相连；所述辐射单元设置有馈电点，所述接地单元设置有地点；所述辐射单元具有第一耦合槽和第二耦合槽。
[0006]可选的，在所述的高性能LTE天线中，所述辐射单元沿长度方向与所述接地单元的一边平行设置，所述馈电点位于所述辐射单元靠近所述接地单元的一侧。
[0007]可选的，在所述的高性能LTE天线中，所述地点与所述馈电点相邻设置，且所述地点的两侧分别与所述辐射单元和所述耦合单元相连。
[0008]可选的，在所述的高性能LTE天线中，所述辐射阵子与所述耦合单元相邻设置。
[0009]可选的，在所述的高性能LTE天线中，所述第一耦合槽沿所述辐射单元的长度方向设置；所述第二耦合槽位于所述辐射单元远离所述辐射阵子的一端，且呈L型。
[0010]可选的，在所述的高性能LTE天线中，所述第一耦合槽的宽度为0.5～2mm，所述第二耦合槽的宽度为1～2mm，所述第一耦合缝隙的宽度为4～6mm，所述第二耦合缝隙的宽度为0.5～2.5mm。
[0011]为解决上述技术问题，本技术还提供一种移动终端，所述移动终端包括如上任一项所述的高性能LTE天线。
[0012]可选的，在所述的移动终端中，所述移动终端还包括同轴线缆，所述同轴线缆包括
相互绝缘的芯线和屏蔽编织层，所述芯线与所述馈电点电性连接，所述屏蔽编织层与所述地点电性连接。
[0013]本技术提供的高性能LTE天线及移动终端，包括辐射单元、辐射阵子、耦合单元和接地单元；所述辐射单元与所述接地单元相连，并形成有第一耦合缝隙；所述辐射阵子与所述辐射单元相连，并形成有第二耦合缝隙；所述耦合单元与所述接地单元相连；所述辐射单元设置有馈电点，所述接地单元设置有地点；所述辐射单元具有第一耦合槽和第二耦合槽。通过辐射单元和辐射阵子相互耦合产生700～960MHz的频段，通过辐射阵子和耦合单元进行耦合产生1700～2700MHz的频段，通过对第一耦合槽、第二耦合槽、第一耦合缝隙和第二耦合缝隙进行调谐，能够改变低频和高频的中心频率及耦合强度，进而改变天线在不同频段下的性能，使得通过一个天线实现了两个频段的谐振，且频段带宽较宽，解决了现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。
附图说明
[0014]图1为本实施例提供的高性能LTE天线的结构示意图；
[0015]图2为本实施例提供的高性能LTE天线的局部放大图；
[0016]其中，各附图标记说明如下：
[0017]110
‑
辐射单元；111
‑
馈电点；112
‑
第一耦合槽；113
‑
第二耦合槽；120
‑
辐射阵子；130
‑
耦合单元；140
‑
接地单元；141
‑
地点；150
‑
第一耦合缝隙；160
‑
第二耦合缝隙。
具体实施方式
[0018]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的高性能LTE天线及移动终端作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0019]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及附图说明中的“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，以便描述本技术的实施例，而不用于描述特定的顺序或先后次序，应该理解这样使用的结构在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0020]本实施例提供一种高性能LTE天线，如图1和图2所示，所述高性能LTE天线包括辐射单元110、辐射阵子120、耦合单元130和接地单元140；所述辐射单元110与所述接地单元140相连，并形成有第一耦合缝隙150；所述辐射阵子120与所述辐射单元110相连，并形成有第二耦合缝隙160；所述耦合单元130与所述接地单元140相连；所述辐射单元110设置有馈电点111，所述接地单元140设置有地点141；所述辐射单元110具有第一耦合槽112和第二耦合槽113。
[0021]本实施例提供的高性能LTE天线，通过辐射单元和辐射阵子相互耦合产生700～960MHz的频段，通过辐射阵子和耦合单元进行耦合产生1700～2700MHz的频段，通过对第一耦合槽、第二耦合槽、第一耦合缝隙和第二耦合缝隙进行调谐，能够改变低频和高频的中心
频率及耦合强度，进而改变天线在不同频段下的性能，使得通过一个天线实现了两个频段的谐振，且频段带宽较宽，解决了现有移动终端内天线带宽范围较窄的问题。
[0022]进一步的，在本实施例中，所述辐射单元110沿长度方向与所述接地单元140的一边平行设置，所述馈电点111位于所述辐射单元110靠近所述接地单元140的一侧。
[0023]由于辐射单元110与接地单元140平行设置，使得两者之间的耦合效率较高，从而能够使激发出的高频具有较高的辐射效率，提高了天线的收发性能。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能LTE天线，其特征在于，所述高性能LTE天线包括辐射单元、辐射阵子、耦合单元和接地单元；所述辐射单元与所述接地单元相连，并形成有第一耦合缝隙；所述辐射阵子与所述辐射单元相连，并形成有第二耦合缝隙；所述耦合单元与所述接地单元相连；所述辐射单元设置有馈电点，所述接地单元设置有地点；所述辐射单元具有第一耦合槽和第二耦合槽。2.根据权利要求1所述的高性能LTE天线，其特征在于，所述辐射单元沿长度方向与所述接地单元的一边平行设置，所述馈电点位于所述辐射单元靠近所述接地单元的一侧。3.根据权利要求2所述的高性能LTE天线，其特征在于，所述地点与所述馈电点相邻设置，且所述地点的两侧分别与所述辐射单元和所述耦合单元相连。4.根据权利要求3所述的高性能LTE天线，其特征在于，所述辐...

【专利技术属性】
技术研发人员：李微，
申请(专利权)人：东莞睿翔讯通通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：