显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：衬底；低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层上依次层叠覆盖有第一栅极绝缘层和第一层间绝缘层；氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二源极，所述第二源极和所述第二有源层同层设置，所述第二有源层上依次层叠覆盖有第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；像素电极，所述像素电极通过第一过孔与所述第二有源层连接，所述第一过孔贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层。和所述第二层间绝缘层。和所述第二层间绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode)有机发光二极管在显示屏幕中的应用技术的发展，人们对显示装置的低功耗性能要求越来越高，存在驱动 TFT和开关TFT且能实现较低能耗的LTPS(低温多晶硅)显示技术逐渐成为主流，与多晶硅显示技术相比，LTPS电子迁移率大，但也存在漏点电流大的问题，所以现今设计者找到新的方案，即LTPO(Low TemperaturePolycrystalline
‑
Si Oxide)低温多晶氧化物工艺，是融合了LTPS(LowTemperature Poly Si，低温多晶硅)和IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)两个方案的特点，推出反应速度更快、功耗更低的LTPO方案。
[0003]然而，目前采用LTPO技术的显示面板，其显示区域的膜层结构较为复杂，故而产品的制作工艺也较为复杂。这对产品的制作成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层上依次层叠覆盖有第一栅极绝缘层和第一层间绝缘层；氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二源极，所述第二源极和所述第二有源层同层设置，所述第二有源层上依次层叠覆盖有第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；像素电极，所述像素电极通过第一过孔与所述第二有源层连接，所述第一过孔贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第二层间绝缘层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述像素电极和所述第二层间绝缘层之间设置有平坦层，所述第一过孔还贯穿所述平坦层。3.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层上依次层叠覆盖有第一栅极绝缘层和第一层间绝缘层；氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二源极，所述第二源极和所述第二有源层同层设置，所述第二有源层上依次层叠覆盖有第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层；像素电极，所述像素电极与转接电极连接，所述转接电极为透明金属氧化物，所述转接电极通过第一过孔与所述第二有源层连接，所述第一过孔贯穿所述第二栅极绝缘层和第二层间绝缘层。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述像素电极和所述第二层间绝缘层之间设置有平坦层，在所述平坦层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，宁策，邸云萍，童彬彬，黄睿，周天民，杨维，雷利平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：