阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底以及依次设置在衬底上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层、绝缘保护层以及像素电极，源极金属层和漏极金属阻层设置在半导体有源层上，且位于栅极绝缘层的两侧，栅极绝缘层设置在半导体有源层的中部，绝缘保护层设置栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的上方。本申请阵列基板上形成的顶栅结构的薄膜晶体管，由于栅极绝缘层对应栅极金属层的位置比对应源极金属层和漏极金属层的位置要高，因而即使是同层形成的栅极金属层、源极金属层和漏极金属层，也可以保证改善栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的短接问题。和漏极金属层的短接问题。和漏极金属层的短接问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)属于场效应晶体管家族中的一员，主要运用在集成电路
，TFT凭借着其可在玻璃及塑料薄膜上实现大面积制备的特点，在平板显示领域大展身手，几乎所有的显示面板都采用TFT作为有源矩阵驱动的电子器件。
[0003]在显示工业领域，普遍采用a
‑
Si:H TFT的底栅结构，其工艺制程少，现已由5Mask工艺(经过5次光罩工艺制备完成)发展至4Mask工艺，3Mask工艺也已初步实验室成功；相较于底栅结构TFT,顶栅结构TFT发展较为缓慢，目前还停留在6Mask工艺中，且制程结构复杂、工艺难度大等造成良率较低，成本居高不下，这些缺点造成顶栅结构TFT的应用率较低。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，减少光罩次数，节省制程时间。
[0005]本申请公开了一种阵列基板，包括衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底、半导体有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层，绝缘保护层和像素电极层，所述半导体有源层设置在所述衬底上，所述栅极绝缘层设置在所述半导体有源层上，所述栅极金属层设置在栅极绝缘层上；所述像素电极层设在所述绝缘保护层上；其特征在于，所述栅极绝缘层位于所述半导体有源层的中部；所述源极金属层设置半导体有源层上，位于所述栅极绝缘层的一侧；所述漏极金属层设置半导体有源层上，位于所述栅极绝缘层的另一侧；所述绝缘保护层设置在所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层的上方，且对应所述漏极金属层设置有过孔；所述像素电极层通过所述过孔与源极金属层连接；其中，所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层同层形成，所述栅极金属层靠近所述衬底的表面的高度，大于所述源极金属层和漏极金属层远离所述衬底的表面的高度。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层的宽度小于所述栅极绝缘层的宽度，所述栅极金属层位于所述栅极绝缘层的上表面的中部。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层都为复合金属层，所述复合金属层包括铜层和钼层，所述钼层的厚度大于等于小于等于所述铜层的厚度大于等于小于等于所述钼层设置所述铜层与所述半导体有源层之间。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘保护层采用的材料为Si3N4或者SiO2，所述绝缘保护层的厚度大于等于且小于等于5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲜济遥，刘凯军，周佑联，许哲豪，郑浩旋，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：