本实用新型专利技术提供了一种带磁引导的DBD放电装置，包括平行设置的正电极和负电极，还包括设置在正电极与负电极之间的绝缘介质，还包括连接在两电极之间的高压供电装置，其特征在于：所述正电极或负电极采用磁铁电极，且所述正电极、负电极及所述绝缘介质位于磁铁电极的磁场区域范围内，并且当所述正电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为N极，远离绝缘介质的端面为S极，当所述负电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为S极，远离绝缘介质的端面为N极。本实用新型专利技术使得所有的等离子体被约束在正电极与负电极之间的空间内，降低了等离子体的复合率，提高了等离子体数量，同时扩散也更加均匀。同时扩散也更加均匀。同时扩散也更加均匀。
【技术实现步骤摘要】
一种带磁引导的DBD放电装置
[0001]本技术属于等离子体发生装置
，涉及一种带磁引导的DBD放电装置及等离子体发生装置。
技术介绍
[0002]DBD放电，又称介质阻挡放电，DBD放电是在有绝缘介质插入放电空间的一种气体放电，介质可以覆盖在电极上或悬挂在放电空间，这样当在放电电极上施加足够高的交流电压时，电极间的气体即使在很高的气压下，也会被击穿而形成所谓的介质阻挡放电，在一般情况下，在传统情况下，DBD放电装置中，正电极与负电极两个放电电极还是由金属制成的，介质会选择陶瓷，在正负电极之间放置的陶瓷，通过放电过程会产生微电弧，从而产生等离子体，两个放电电极产生的等离子体正负电荷都有，在自然状态下，正负状态的等离子体会有一部分相互中和从而失去活性，因此会降低等离子体的数量，当需要使用等离子体进行消杀时，会降低消杀的效果。
技术实现思路
[0003]基于现有技术的不足，本技术提供一种带磁引导的DBD放电装置，用以改变等离子体的运动，提高等离子体数量，使等离子体扩散的更远，提高消杀效果。
[0004]为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是，
[0005]一种带磁引导的DBD放电装置，包括平行设置的正电极和负电极，还包括设置在正电极与负电极之间的绝缘介质，还包括连接在两电极之间的高压供电装置，其特征在于：所述正电极或负电极采用磁铁电极，且所述正电极、负电极及所述绝缘介质位于磁铁电极的磁场区域范围内，并且当所述正电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为N极，远离绝缘介质的端面为S极，当所述负电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为S极，远离绝缘介质的端面为N极。
[0006]进一步地，所述绝缘介质采用陶瓷介质，陶瓷介质悬挂在正电极与负电极之间，且分别与两电极平行设置。
[0007]进一步地，所述陶瓷介质设有微孔。
[0008]进一步地，所述磁铁电极为永磁体。
[0009]进一步地，所述负电极为网状结构。
[0010]本技术的有益效果是：使用磁铁替换电极，在等离子形成区域施加一个磁场，磁铁通电后，既可以当电极又可以产生磁场，当磁场方向和电场方向平行时，等离子体的运动方向和磁场方向一致时则离子不会受力，会继续沿着原来的方向运动，一旦离子运动方向在水平的方向有分量，离子会受到洛伦兹力的作用进行螺旋运动，且沿着磁力线的方向螺旋运动，从而逐渐抵消水平方向的力，使得所有的等离子体被约束在正电极与负电极之间的空间内，降低了等离子体的复合率，提高了等离子体数量，同时扩散也更加均匀。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1是本技术实施例1的结构示意图；
[0013]图2是本技术实施例2的结构示意图。
[0014]图中，1.正电极，2.陶瓷介质，3.负电极。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]特别说明，本说明书实施例部分没有提到的电路连接方式、位置关系、元器件型号等，均属于本领域常用的技术手段，本技术实施例中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本技术的保护范围。
[0017]实施例1：如图1所示，一种带磁引导的DBD放电装置，包括平行设置的正电极1和负电极2，还包括设置在正电极与负电极之间且分别与两电极平行设置的陶瓷介质3，还包括连接在两电极之间的高压供电装置，高压供电装置用于为DBD放电装置提供高压电，可选用现有的或本
人员常用的高压供电装置是可以的，也可以采用其他的高压供电装置，主要能实现对DBD放电装置提供放电电压，都可以根据实际情况选用，所述正电极1采用磁铁电极，且所述正电极1、负电极2及所述陶瓷介质3位于磁铁电极的磁场区域范围内，并且所述磁铁电极近邻陶瓷介质3的端面为N极，远离陶瓷介质3的端面为S极，这样，位于正电极1与负电极2之间区域内的磁力线的方向从正电极1指向负电极2方向或近似从正电极1方向指向负电极2方向，与电场方向平行或近似平行，图中带箭头的实线部分为磁力线，虚线部分为电场线，使用磁铁替换电极，磁铁通电后，既可以当电极又可以产生磁场，当磁场方向和电场方向平行时，等离子体的运动方向和磁场方向一致时则离子不会受力，会继续沿着原来的方向运动，一旦离子运动方向在水平的方向有分量，离子会受到洛伦兹力的作用进行螺旋运动，且沿着磁力线的方向螺旋运动，从而逐渐抵消水平方向的力，使得所有的等离子体被约束在正电极与负电极之间的空间内，降低了等离子体的复合率，提高了等离子体数量，同时扩散也更加均匀，也可以使等离子体扩散的更远，当用于消杀时，提高消杀效果。
[0018]需要说明的是，所述磁铁电极为永磁体。
[0019]另外，所述陶瓷介质3上设有微孔，使放电更加缓和。
[0020]所述负电极2为网状结构，这样有利于等离子体扩散到负极，等离子体可以通过电极上的网状孔向下扩散。
[0021]实施例2：如图2所示，本实施例与实施例1的不同之处在于：所述负电极2采用磁铁电极，且所述正电极1、负电极2及所述陶瓷介质3位于磁铁电极的磁场区域范围内，并且所
述磁铁电极近邻陶瓷介质3的端面为S极，远离陶瓷介质3的端面为N极。
[0022]其余结构与有益效果与实施例1基本相同，在此不再赘述。
[0023]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带磁引导的DBD放电装置，包括平行设置的正电极和负电极，还包括设置在正电极与负电极之间的绝缘介质，还包括连接在两电极之间的高压供电装置，其特征在于：所述正电极或负电极采用磁铁电极，且所述正电极、负电极及所述绝缘介质位于磁铁电极的磁场区域范围内，并且当所述正电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为N极，远离绝缘介质的端面为S极，当所述负电极为磁铁电极时，所述磁铁电极近邻绝缘介质的端面为S极，远离绝缘介质的端面为N极。2.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵唯珂，邵明绪，安凯，谢楷，徐晗，
申请(专利权)人：西安天通数字科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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