【技术实现步骤摘要】
一种含氟废水处理装置
[0001]本技术涉及废水处理装置
,具体为一种含氟废水处理装置。
技术介绍
[0002]半导体生产工艺过程中会产生低浓度含氟废水,含氟废水在整个废水排放体系中占有较大比例。目前处理低浓度含氟废水的方法广泛采用化学沉淀法,即向含氟废水中投加氯化钙,通过生成氟化钙沉淀进而除去废水中的氟离子。但化学沉淀法除氟存在以下缺点:半导体行业通常将硫酸清洗水、磷酸清洗水等废水与氢氟酸清洗水进行混合处理,所以含氟废水中含有硫酸根、磷酸根等离子,当进水氟离子浓度较低时,会增大钙盐的投加量(根据氟化钙的Ksp=5.3
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‑9,氢氟酸的Ka=3.6
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‑4,可计算出氯化钙的实际加药量,如图1所示),导致了药剂成本的增加。
[0003]中国专利技术专利CN 102050531 B含氟废水处理方法,通过采用pH调节+一级加钙+混凝剂+絮凝剂等工艺对含氟废水进行处理。该工艺使用氟离子分析仪代替测量精度低的氟电极,精准控制氯化钙用量,在一定程度上减少了氯化 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含氟废水处理装置,其包括废水收集池,其特征在于:所述废水收集池包括含氟废水收集池、磷酸废水收集池、硫酸废水收集池、其他酸碱废水收集池,所述含氟废水收集池后端顺次连接调节池、反应池、混凝池、絮凝池、沉淀池和放流池,其还包括RO浓缩系统,所述RO浓缩系统的进水口和浓水出口分别连接所述含氟废水收集池、所述调节池,所述RO浓缩系统的产水出口连接回用水箱,所述调节池内部设有氢氧化钙加药系统,所述反应池中设...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗嘉豪,廖翔,熊江磊,高亚光,刘佳,
申请(专利权)人:中国电子系统工程第二建设有限公司,
类型:新型
国别省市:
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