一种超低ESL的电容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超低ESL的电容器，包括陶瓷基体、内电极组和外电极，所述内电极组的排列方向与外电极垂直，所述内电极组设置有多组，每组内电极组包括至少两个并联设置的内电极，且相邻两个内电极组之间交错分布并与外电极电性连接；相邻两个交错设置的内电极组之间设置有若干支撑柱，所述支撑柱与所述内电极抵接；本实用新型专利技术中内电极组为多层内电极，通过增加电极上电流馈入点，使电流从不同的方向流入，从而将电流引入的磁场抵消，可以大大降低由表面电流引起的等效电感，提高电容器的谐振频率；且本实用新型专利技术中通过在相邻两个交错设置的内电极组之间设置支撑柱，使得多层内电极之间能够被支撑柱支撑，从而不易发生变形。从而不易发生变形。从而不易发生变形。

【技术实现步骤摘要】
一种超低ESL的电容器


[0001]本技术涉及电容器
，具体而言，涉及一种超低ESL的电容器。

技术介绍

[0002]多层陶瓷电容器(MLCC)是由多个印好内电极的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片两端封上端电极形成类似于独石的结构体。电容器的等效电路可以简化成由等效电感(ESL)、理想电容(C)和等效串联电阻(ESR)构成的电路。
[0003]谐振频率决定了电容器的使用频率，电容器在谐振频率以下使用时，呈现电容特性，一旦使用频率超过谐振频率，电容器呈现电感特性，因此一般而言，电容器的谐振频率应越高越好。
[0004]然而目前的MLCC电容器谐振频率较低，随着集成电路的工作频率越来越高，MLCC的使用越来越受到限制。为了提高电容器的谐振频率，在容量不变的情况下，需要降低电容器的寄生等效电感。另外，电容器内电极若层数过多，则在加工过程中易受热膨胀变形，影响电容器的使用寿命。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种超低ESL的电容器，其通过降低MLCC的等效电感(ESL)而提高其谐振频率，使其具有更广泛的应用，特别是在高频电路中的应用。
[0006]本技术的实施例通过以下技术方案实现：
[0007]一种超低ESL的电容器，包括陶瓷基体、内电极组和外电极，所述内电极组的排列方向与外电极垂直，
[0008]所述内电极组设置有多组，每组内电极组包括至少两个并联设置的内电极，且相邻两个内电极组之间交错分布并与外电极电性连接；<br/>[0009]相邻两个交错设置的内电极组之间设置有若干支撑柱，所述支撑柱与所述内电极抵接。
[0010]进一步地，所述外电极的外侧底部设置有凹槽。
[0011]进一步地，所述凹槽的内侧面为斜面，且其底部向所述陶瓷基体中心延伸。
[0012]进一步地，所述凹槽沿着所述陶瓷基体的宽度方向延伸，且未贯穿所述外电极的宽度方向两侧面。
[0013]进一步地，所述内电极组的宽度和长度相同。
[0014]进一步地，所述陶瓷基体的四角为圆弧倒角。
[0015]进一步地，所述支撑柱为陶瓷材质。
[0016]本技术实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：
[0017]本技术中内电极组为多层内电极，通过增加电极上电流馈入点，使电流从不同的方向流入，从而将电流引入的磁场抵消，可以大大降低由表面电流引起的等效电感，提
高电容器的谐振频率；且本技术中通过在相邻两个交错设置的内电极组之间设置支撑柱，使得多层内电极之间能够被支撑柱支撑，从而不易发生变形。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为本技术实施例提供的超低ESL的电容器的结构示意图。
[0020]图标：1
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外电极，101
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凹槽，2
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陶瓷基体，201
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圆弧倒角，3
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内电极组，301
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内电极，4
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支撑柱。
具体实施方式
[0021]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0022]实施例1
[0023]本实施例提供一种超低ESL的电容器，包括陶瓷基体2、内电极组3和外电极1，所述内电极组3的排列方向与外电极1垂直，所述内电极组3设置有多组，每组内电极组3包括至少两个并联设置的内电极301，且相邻两个内电极组3之间交错分布并与外电极1电性连接；
[0024]相邻两个交错设置的内电极组3之间设置有若干支撑柱4，所述支撑柱4与所述内电极301抵接。
[0025]工作原理：本技术将内电极301的排列方向与外电极1垂直设置，能减小陶瓷电容器的等效电感值，具体地，本技术中内电极组3为双层内电极301，通过增加电极上电流馈入点，使电流从不同的方向流入，从而将电流引入的磁场抵消，可以大大降低由表面电流引起的寄生电感；具体地，在使用时，当电流流入内电极组3的双层内电极301时，形成了分流，在双层内电极301处分别形成了从上往下和从下往上的电流，如此，由电流变化引起的磁场变化可以在双层内电极301结构中互相抵消，从而降低了电容器的等效电感，提高电容器的谐振频率；进一步的，如果继续增加电极上的电流馈入点，即每组内电极组3包括多层内电极301时，电流从不同的方向流入，当电流从无限多个电流馈入点流入，电流将会基本抵消，基本上看可以完全消除电极引起的寄生等效电感。
[0026]最重要的是，本技术中通过在相邻两个交错设置的内电极组3之间设置支撑柱4，使得多层内电极301之间能够被支撑柱4支撑，从而不易发生变形；另外，也可以使多层瓷介质电容器拥有更多的层数，也就是说电容量可以做的更大。
[0027]由于目前的层叠陶瓷电容器的外部电极的侧面为平面，焊接时焊剂粘附面积小，焊接牢固性不理想；在本实施例中，所述外电极1的外侧面设置有凹槽101，通过在外电极1外侧侧面设置凹槽101能够增加焊剂与外部电极的接触面积，有助于提高焊接稳固性。
[0028]在本实施例中，所述凹槽101的内侧面为斜面，且其底部向所述陶瓷基体2中心延
伸，这样设置在焊接时，便于焊剂进入凹槽101内部，从而提高焊接接触面，保证焊接牢固性。
[0029]在本实施例中，所述凹槽101沿着所述陶瓷基体2的宽度方向延伸，且未贯穿所述外电极1的宽度方向两侧面，这样设置能够防止焊接时焊剂从凹槽101内部流出，有助于保证焊接牢固性。
[0030]在本实施例中，所述内电极组3的宽度和长度相同，使得电容器的内部电流分布均匀、发热均匀、散热性能得到提升。
[0031]在本实施例中，所述陶瓷基体2的四角为圆弧倒角201，可大大降低内电荷集中和电场强度，从而大大减少样品被击穿机会，同时有效的隔开边距值，提升耐电压值。
[0032]在本实施例中，所述支撑柱4为陶瓷材质。
[0033]以上仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低ESL的电容器，其特征在于，包括陶瓷基体、内电极组和外电极，所述内电极组的排列方向与外电极垂直，所述内电极组设置有多组，每组内电极组包括至少两个并联设置的内电极，且相邻两个内电极组之间交错分布并与外电极电性连接；相邻两个交错设置的内电极组之间设置有若干支撑柱，所述支撑柱与所述内电极抵接。2.根据权利要求1所述的超低ESL的电容器，其特征在于，所述外电极的外侧面设置有凹槽。3.根据权利要求2所述的超低ESL的电容器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：牟舜禹，林广，李军，黄俭帮，朱兰芳，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：