单GPIO控制双LED电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单GPIO控制双LED电路，其包括：第一电阻R1，其一端连接于GPIO端；第一控制单元，其连接于第一电阻R1的另一端，且用于连接和控制一个负载元件的电源回路的通断；第二控制单元，其与第一控制单元呈并联，且用于连接和控制另一个负载元件的电源回路的通断；所述第一控制单元和第二控制单元分别响应于GPIO端输出的高低电平。本申请具有减小GPIO使用数量的效果。GPIO使用数量的效果。GPIO使用数量的效果。

【技术实现步骤摘要】
单GPIO控制双LED电路


[0001]本申请涉及基于GPIO的控制
，尤其是涉及一种单GPIO控制双LED电路。

技术介绍

[0002]在通信、电器设备中，存在不能的功能模块，每个模块都需要LED显示其不同的状态，通常会使用CPU的GPIO控制LED的亮灭；传统的，是1个GPIO控制1个LED。
[0003]然而，随着设备功能的增加，LED的数量及GPIO的数量也随着增加，有时候会存在CPU的GPIO不足，需要外置移位寄存器解决此问题；甚至有时候会因为GPIO使用数量太多，PCB layout不好走线，因此本申请提出一种新的技术方案。

技术实现思路

[0004]为了减小GPIO的使用数量，本申请提供一种单GPIO控制双LED电路。
[0005]本申请提供一种单GPIO控制双LED电路，采用如下的技术方案：
[0006]一种单GPIO控制双LED电路，包括：第一电阻R1，其一端连接于GPIO端；
[0007]第一控制单元，其连接于第一电阻R1的另一端，且用于连接和控制一个负载元件的电源回路的通断；
[0008]第二控制单元，其与第一控制单元呈并联，且用于连接和控制另一个负载元件的电源回路的通断；
[0009]所述第一控制单元和第二控制单元分别响应于GPIO端输出的高低电平。
[0010]可选的，所述第一控制单元包括NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联负载元件和连接电源Vcc，发射极接地。
[0011]可选的，所述第二控制单元包括PNP型三极管Q1，PNP型三极管Q1的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联另一负载元件和接地，发射极用于连接电源Vcc。
[0012]可选的，所述NPN型三极管Q2和PNP型三极管Q1的集电极分别连接有RC电路。
[0013]可选的，连接于所述NPN型三极管Q2的RC电路包括第三电阻R3和第二电容C2，所述第三电阻R3串联于NPN型三极管Q2的集电极，所述第二电容C2的一端连接于第三电阻R3和负载元件的连接点，另一端接地。
[0014]可选的，连接于所述PNP型三极管Q1的RC电路包括第二电阻R2和第一电容C1，所述第二电阻R2和第一电容C1并联，且与负载元件呈串联。
[0015]可选的，所述负载元件为LED灯，且与PNP型三极管Q1连接的为LED1，与NPN型三极管Q2连接的为LED2。
[0016]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：相较于以往一个GPIO控制某个LED一种状态，此专利技术使用一个GPIO控制某个功能两种状态的LED，减少GPIO使用数量，节省CPU有限资源，在CPU GPIO不足的情况下，不使用移位寄存器来扩展控制信号，节约成本。
附图说明
[0017]图1是本申请的电路结构意图。
具体实施方式
[0018]以下结合附图1对本申请作进一步详细说明。
[0019]本申请实施例公开一种单GPIO控制双LED电路。
[0020]参照图1，单GPIO控制双LED电路包括：
[0021]第一电阻R1，其一端连接于GPIO端，即CUP的某一个GPIO口；
[0022]第一控制单元，其连接于第一电阻R1的另一端，且用于连接和控制一个负载元件的电源回路的通断；
[0023]第二控制单元，其与第一控制单元呈并联，且用于连接和控制另一个负载元件的电源回路的通断；
[0024]第一控制单元和第二控制单元分别响应于GPIO端输出的高低电平。
[0025]在本申请的一个实施例中，上述第一控制单元包括NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联负载元件和连接电源Vcc，发射极接地。
[0026]在本申请中，负载元件为LED灯，且与NPN型三极管Q2连接的负载元件为LED2，如绿灯。
[0027]上述第二控制单元包括PNP型三极管Q1，PNP型三极管Q1的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联另一负载元件（此处为LED1，如红灯）和接地，发射极用于连接电源Vcc。
[0028]根据上述设置，当GPIO为高电平时，三级管Q2导通，电流的流向从Vcc通过LED2到GND形成回路，LED2点亮；当GPIO为低电平时，三级管Q1导通，电流的流向从Vcc通过LED1到GND形成回路，LED1点亮。
[0029]相较于以往一个GPIO控制某个LED一种状态，此专利技术使用一个GPIO控制某个功能两种状态的LED，减少GPIO使用数量，节省CPU有限资源，在CPU GPIO不足的情况下，不使用移位寄存器来扩展控制信号，节约成本。
[0030]在本申请的一个实施例中，NPN型三极管Q2和PNP型三极管Q1的集电极分别连接有RC电路。
[0031]其中，NPN型三极管Q2的RC电路包括第三电阻R3和第二电容C2，所述第三电阻R3串联于NPN型三极管Q2的集电极，第二电容C2的一端连接于第三电阻R3和负载元件的连接点，另一端接地。
[0032]上述RC电路可做低通滤波。
[0033]连接于PNP型三极管Q1的RC电路包括第二电阻R2和第一电容C1，所述第二电阻R2和第一电容C1并联，且与负载元件呈串联。
[0034]上述RC电路，可做低频信号衰减，也做滤波使用。
[0035]以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单GPIO控制双LED电路，其特征在于，包括：第一电阻R1，其一端连接于GPIO端；第一控制单元，其连接于第一电阻R1的另一端，且用于连接和控制一个负载元件的电源回路的通断；第二控制单元，其与第一控制单元呈并联，且用于连接和控制另一个负载元件的电源回路的通断；所述第一控制单元和第二控制单元分别响应于GPIO端输出的高低电平。2.根据权利要求1所述的单GPIO控制双LED电路，其特征在于：所述第一控制单元包括NPN型三极管Q2，NPN型三极管Q2的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联负载元件和连接电源Vcc，发射极接地。3.根据权利要求2所述的单GPIO控制双LED电路，其特征在于：所述第二控制单元包括PNP型三极管Q1，PNP型三极管Q1的基极连接于第一电阻R1，集电极用于串联另一负载元件和接地，发射极用于连接电源Vcc。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：何茂平，童春林，
申请(专利权)人：博为科技有限公司，
类型：新型
国别省市：