光电探测器制造技术

本申请涉及光电探测领域，具体涉及一种光电探测器。该光电探测器包括第一电极层、第二电极层、设于第一电极层和第二电极层之间的热释电材料层，其中，热释电材料层的靠近第二电极层的表面设有金属纳米颗粒。利用该光电探测器可实现对低强度光的检测，提高检测灵敏度。提高检测灵敏度。提高检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
光电探测器


[0001]本申请涉及光电探测领域，特别涉及一种光电探测器。

技术介绍

[0002]目前，热释电材料已被广泛应用于光传感领域，其原理为：当热释电材料的温度显著变化的时候，材料会表现出瞬时的极化电荷，从而在电极上产生感应电荷，进而在外部电路产生电流。其热释电电流Ip＝ηpAdT/dt，η是吸收效率，p是热释电系数，温度变化率dT/dt会显著影响热释电材料的热释电电流大小，从而影响探测器灵敏度。通常，可通过以下两种方式提高热释电材料的电势：
①
在基体温度一定的情况下，通过增加入射光的功率，增强热释电电压/电流值；
②
在入射光功率密度一定情况下，通过降低器件温度，提高温度差，增强热释电电压/电流值。其中，第一种方式难以实现低功率密度光的检测。第二种方式限制了器件在室温或者高温下的应用。且第二方式下，在探测微弱光的时候，光热转换效率低，热释电电流小，信号会被噪声掩盖，而无法达到弱光检测的目的。而且随着波长从红外降低到紫外波段，光热效应也会逐渐降低，所以传统的热释电探测器几乎没有针对紫外波段设计的。热释电探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，第一电极层、第二电极层、设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的热释电材料层，其中，所述热释电材料层的靠近所述第二电极层的表面设有金属纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述热释电材料层为薄膜结构或纳米线阵列结构。3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述纳米线阵列结构中，纳米线的尺寸为3nm～500nm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述第一电极层包括金属层或透明导电层。5.根据权利要求1
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3任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述热释电材料层包括锆钛酸铅层、钽酸锂层、铌酸锂层、氧化锌层或钛酸钡层。6.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：孟建平，李舟，李奇，黄靖，
申请(专利权)人：北京纳米能源与系统研究所，
类型：新型
国别省市：