一种可控硅控制电路及PCB板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可控硅控制电路及PCB板，所述控制电路包括MCU单片机、可控硅TR1、安全隔离单元、第二三极管Q2和光耦U1，所述安全隔离单元的输入端与MCU单片机的引脚2连接，所述安全隔离单元的输出端与第二三极管Q2的基极连接，第二三极管Q2的发射极接地，第二三极管Q2的集电极与光耦U1的引脚2连接，光耦U1的引脚1与外部供电单元连接，光耦U1的引脚3与可控硅TR1的第一阳极A1连接，光耦U1的引脚4与可控硅TR1的控制极G连接，可控硅TR1的第二阳极A2与负载连接；本申请公开的控制电路，安全隔离单元可隔离MCU单片机输出的直流信号，只有当MCU单片机正常工作输出方波信号时，第二三极管Q2才开始工作，有效避免潜在风险，提高负载工作时的安全度。提高负载工作时的安全度。提高负载工作时的安全度。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅控制电路及PCB板


[0001]本技术涉及控制电路
，特别涉及一种可控硅控制电路及PCB板。

技术介绍

[0002]现有的可控硅的驱动电路，一般是通过MCU的IO端口输出高电平或低电平以实现驱动，若MCU在工作过程中出现突然死机问题或出现烧坏问题，MCU的IO端口会一直处于高电平状态或低电平状态，与可控硅连接的发热管或电机等负载会一直处于工作状态，存在安全隐患。
[0003]可见，现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种可控硅控制电路，可避免潜在风险，提高负载工作时的安全度。
[0005]为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案：
[0006]一种可控硅控制电路，包括MCU单片机、可控硅TR1、安全隔离单元、第二三极管Q2和光耦U1，所述安全隔离单元的输入端与所述MCU单片机的引脚2连接，所述安全隔离单元的输出端与所述第二三极管Q2的基极连接，所述安全隔离单元用于隔离MCU单片机输出的直流信号并用于输出直流信号至第二三极管Q2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅控制电路，包括MCU单片机以及可控硅TR1，其特征在于，还包括安全隔离单元、第二三极管Q2和光耦U1，所述安全隔离单元的输入端与所述MCU单片机的引脚2连接，所述安全隔离单元的输出端与所述第二三极管Q2的基极连接，所述安全隔离单元用于隔离MCU单片机输出的直流信号并用于输出直流信号至第二三极管Q2；所述第二三极管Q2的发射极接地，所述第二三极管Q2的集电极与所述光耦U1的引脚2连接，所述光耦U1的引脚1与外部供电单元连接，所述光耦U1的引脚3与可控硅TR1的第一阳极A1连接，所述光耦U1的引脚4与可控硅TR1的控制极G连接，所述可控硅TR1的第二阳极A2与负载连接。2.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路，其特征在于，还包括第一三极管Q1，所述第一三极管Q1的基极与所述MCU单片机的引脚1连接，所述第一三极管Q1的发射极与所述第二三极管Q2的集电极连接，所述第一三极管Q1的集电极与所述光耦U1的引脚2连接。3.根据权利要求1所述的一种可控硅控制电路，其特征在于，所述安全隔离单元包括隔离部、整流部和滤波部，所述隔离部的输入端与所述MCU单片机的引脚2连接，所述隔离部的输出端与所述整流部的输入端连接，所述滤波部的一端分别与所述整流部的输出端以及所述第二三极管Q2的基极连接，所述滤波部的另一端接地；所述隔离部用于隔离MCU单片机输出的直流信号。4.根据权利要求3所述的一种可控硅控制电路，其特征在于，所述隔离部包括第四电阻R4和第一电容C1，所述第四电阻R4的一端与所述MCU单片机的引脚2连接，所述第四电阻R4的另一端与所述第一电容C1的一端连接，所述第一电容C1的另一端与所述整流部的输入端连接。5.根据权利要求4所述的一种可控硅控制电路，其特征在于，所述整流部包括第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一二极管D1的负极以及所述第二二极管的正极分别与所述第一电容C1的另一端连接，所述第二二极管D2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢炜，曾伟鹏，江移山，王金明，陈浩宇，
申请(专利权)人：佛山市法恩洁具有限公司，
类型：新型
国别省市：