【技术实现步骤摘要】
一种适用于激光测照的超高压控制电路
[0001]本技术属于激光测照
,具体涉及一种适用于激光测照的超高压控制电路。
技术介绍
[0002]在激光照射过程中,若调制晶体上未加电压,光沿光轴通过晶体,其偏振状态不发生变化,经全反射镜反射后,再次无变化的通过调制晶体和偏振棱镜,电光Q开关处于“打开”状态。如果在调制晶体上施加电压,由于纵向电光效应,当沿X方向的线偏振光通过晶体后,经全反镜反射回来,再次经过调制晶体,偏振面相对于入射光偏转了90度,偏振光不能再通过偏振棱镜,Q开关处于“关闭”状态。如果事先在调制晶体上加电压,使谐振腔处于“关闭”的低Q状态,阻断激光谐振形成。待激光上能级反转的粒子数积累到最大值时,突然撤去晶体上的电压,使激光器瞬间处于高Q值状态,产生雪崩式的激光振荡,就可输出一个巨脉冲。
[0003]目前市场上已有的超高压生成电路多是高压和信号不隔离模式且需要手动调节其升压范围。而在实际使用中生成高压部分所产生的噪声对信号会产生干扰,影响其工作性能;且手动调节具有一定的危险性及不能保证其精确性,鉴于此因 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于激光测照的超高压控制电路,包括MCU最小系统,其特征在于:还包括数字电位计控制电路和超高压生成电路,所述MCU最小系统、数字电位计控制电路和超高压生成电路依次连接;其中,MCU最小系统用于控制数字电位计控制电路输出合适的阻值,超高压生成电路根据输出阻值的大小生成对应的高压。2.根据权利要求1所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述超高压生成电路生成的高压与数字电位计控制电路输出的阻值之间为线性关系。3.根据权利要求2所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述MCU最小系统采用STM32系列单片机。4.根据权利要求3所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述MCU最小系统的7脚为复位端口,MCU最小系统的1脚为U1输出。5.根据权利要求4所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述MCU最小系统的11脚和12脚连接至数字电位计控制电路。6.根据权利要求5所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述MCU最小系统的10脚和11脚分别与电阻电阻R7和R46相连后接地。7.根据权利要求6所述的一种适用于激光测照的超高压控制电路,其特征在于:所述数字电位计控制电路包括光电耦合器U8和数字电位器U6,其中,光电耦合器U8的1脚经电阻R23连接至MCU最小系统的12脚,2脚、3脚以及5脚接地,4脚经电阻R30连接至MCU最小系统的11脚,6脚和7脚分别连接至数字电位器U6的5脚和8脚,光电...
【专利技术属性】
技术研发人员:董涛,樊宏恩,郭凯凯,王明义,裴淑曼,崔息戈,
申请(专利权)人:洛阳顶扬光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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