图像显示屏幕与控制该屏幕的方法技术

本发明专利技术涉及一种图像显示屏幕，其包含：根据发光器行与发光器列分布的发光器（４，６，８），以及发光器发光的控制部件（２，１０，２０，３０，４０，４２，４４，４６，４８，５０），该控制部件包括：多个调制晶体管（１４，２４，３４），每个都与该阵列的发光器相关，所述调制晶体管放置为使得它们沿引导线彼此相邻；多个补偿晶体管（４８），用来补偿调制晶体管的门限触发电压。单个补偿晶体管（４８）连接到一列的所有调制晶体管（１４，２４，３４），用来补偿该列所有调制晶体管（１４，２４，３４）的门限触发电压。所述补偿晶体管（４８）形成在沿同一引导线的所述列的调制晶体管（１４，２４，３４）的延伸部分上。还公开了一种控制本发明专利技术屏幕的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示屏幕。具体地，本专利技术涉及具有薄膜晶体管的、基于电致发光有机材料类型的有源矩阵显示屏幕。
技术介绍
通过由脉冲受激准分子激光器加热非晶硅基底的技术获得的多晶硅基底的结晶，来生产这些晶体管。这种制造薄膜晶体管的技术非常经济。然而，非晶硅的结晶导致形成不同方向的、由颗粒边界分隔的单晶硅颗粒。这些颗粒边界引入了晶体管门限触发电压的分散，以及对于施加到其栅极的给定电压、流经它们的电流的电平的非均匀性。现在，因为屏幕的发光器产生与流经它们的电流成正比的光，所以门限触发电压分散导致了屏幕亮度的变化。为了补偿这些分散，尤其是通过文件WO 02/071379与US 6359605，已知有上述类型的显示屏幕。然而，这些屏幕的补偿晶体管不是形成在一列调制晶体管的行排列的延伸部分中。这种类型的排列尤其确保了等于或至少接近于调制晶体管的门限触发电压和(多个)补偿晶体管的门限触发电压的电压，并且因此确保了屏幕上亮度的均匀性得到提高。尤其是通过文件EP 1220191，还知道在屏幕发光器的每个寻址电路中引入补偿晶体管的技术。靠近同一电路的调制晶体管制造寻址电路的每个补偿晶体管。这样，同一寻址电路的调制晶体管与补偿晶体管在相同条件下、由同一直线式激光束产生，从而其门限触发电压具有类似的值，以相互补偿。然而，对于此类屏幕，还需要制造初始化晶体管与选择晶体管，从而导致总共四个晶体管控制屏幕的每个发光器的发光。现在，这些晶体管显著地减少了像素的有用发光表面面积。另外，制造大量的晶体管不是经济的处理。
技术实现思路
本专利技术旨在提出生产较简单而且更经济的上述类型的屏幕。为此，本专利技术的一个目的是一种显示屏幕，包括发光器，排列为发光器行与发光器列，以形成发光器阵列，硅基底，在其上制造用来控制发光器发光的控制部件，该控制部件包括用来为发光器供电的部件，多个寻址电极，根据发光器列排列，并且用来向每个发光器列传送表示图像数据的电压，多个选择电极，根据发光器行排列，并且用来向每个发光器行传送选择信号，多个调制晶体管，每个都与该阵列的发光器相关，所述调制晶体管包括用来连接到寻址电极的栅电极以及两个载流电极，每个调制晶体管用来对于其栅极与其一个载流电极之间的、大于或等于门限触发电压的电压，使漏电流通过它自身，以对所述发光器供电，所述调制晶体管按与发光器列相关的列排列，并且根据引导线在基底上对齐，负载电容器，连接到每个调制晶体管的终端，并且用来设置相关调制晶体管的栅电极处的电势，以及多个补偿晶体管，用来通过调整电容器上的电荷、补偿调制晶体管的门限触发电压，特征在于其包含单个补偿晶体管，该单个补偿晶体管连接到给定列的所有调制晶体管，并且用来补偿该列所有调制晶体管的门限触发电压；所述补偿晶体管形成在根据所述同一引导线的给定列的所述调制晶体管的线形排列的延伸部分中。根据本专利技术的一个特点，所述控制部件不包含允许电流从任一寻址电极流向用来为发光器供电的部件的任何部件。与发光器相关的每个调制晶体管都可以允许漏电流对所述发光器供电，因此，该供电电流在不同于寻址电极的两个供电电极之间流动。由此，不需要任何开关来将寻址电极连接到发光器的发电机。但是，这样的开关存在于文件WO 02/071379或者文件US 6359605所述的控制部件中。在这些文件所述的控制部件中，寻址电极用来将表示图像数据的电流ID传送到发光器，但是在本专利技术的情况下，寻址电极用来传送电压VD。因为通过电流进行编程(而不是象本专利技术那样通过电压)，所以需要上述连接开关，以确保编程电流在每个寻址电极与用来像发光器供电的电路之间流动，同时与该发光器相关的调制器的栅极电压逐步稳定到其设置值，例如通过已知的电流反射镜系统。根据特定实施例，该显示屏幕具有以下一或多个特点所述控制部件包含至少一个电压生成器，其连接到一个或每个寻址电极，以传送表示图像数据的电压VD；每个发光器列的补偿晶体管包含两个载流电极，每个载流电极串联在该同一列的寻址电极与该同一列的调制晶体管之间；每个补偿晶体管都包含栅电极与两个载流电极，每个补偿晶体管的栅电极连接到相关列的所有调制晶体管的栅电极；每个补偿晶体管的一个载流电极连接到相关发光器列的寻址电极，并且每个补偿晶体管的另一载流电极连接到其栅电极；利用激光束，在由通过加热非晶硅基底而获得的多晶硅基底上制造所述调制晶体管以及所述相关补偿晶体管，所述激光束用来首先加热基底的第一矩形加热表面，然后沿移动方向移动，然后加热第二矩形加热表面；并且所述与给定列的发光器相关的所述调制晶体管以及相关的补偿晶体管在同一加热表面上对齐，对齐引导线近似垂直于激光束移动方向地延伸；所述调制晶体管以及所述相关补偿晶体管的每个都包含两层掺杂材料之间的沟道，该沟道连接到其栅电极，并且一列的调制晶体管的沟道以及相关补偿晶体管的沟道具有近似平行于所述引导线的主轴；所述控制部件包含初始化部件，用来初始化负载电容器，以对连接到列的调制晶体管的所有负载电容器放电；所述初始化部件包含具有栅电极以及两个载流电极的初始化晶体管，该初始化晶体管的一个载流电极连接到所述列的调制晶体管的栅极，该初始化晶体管的栅电极连接到载流电极以及发光器列的寻址电极；所述初始化部件包含二极管，该二极管的阴极连接到调制晶体管的栅极，并且该二极管的阳极连接到发光器列的寻址电极；所述控制部件包含具有栅电极以及两个载流电极的多个选择晶体管，每个选择晶体管具有连接到调制晶体管的一个载流电极、连接到选择电极的栅电极、以及连接到发光器列的补偿晶体管的一个载流电极；所述发光器为有机电致发光二极管。本专利技术的另一目的是一种驱动显示屏幕的方法，该显示屏幕包含发光器，排列为发光器行与发光器列，以形成发光器阵列，硅基底，在其上制造用来控制发光器发光的控制部件，该控制部件包括多个寻址电极，根据发光器列排列，并且用来向每个发光器列传送表示图像数据的电压，多个选择电极，根据发光器行排列，并且用来向每个发光器行传送选择信号，多个调制晶体管，每个都与该阵列的发光器相关，所述调制晶体管包括用来连接到寻址电极的栅电极以及两个载流电极，每个调制晶体管用来对于其栅极与其一个载流电极之间的、大于或等于门限触发电压的电压，使漏电流通过它自身，以对所述发光器供电，所述调制晶体管按与发光器列相关的列排列，并且根据引导线在基底上对齐，负载电容器，连接到每个调制晶体管的终端，并且用来设置相关调制晶体管的栅电极处的电势，以及多个补偿晶体管，用来通过调整电容器上的电荷、补偿调制晶体管的门限触发电压，特征在于该方法包含以下步骤形成单个补偿晶体管，该单个补偿晶体管连接到给定列的所有调制晶体管，所述补偿晶体管形成在根据所述同一引导线的同一列的所述调制晶体管的线形排列的延伸部分中；以及补偿同一列所有所述调制晶体管的门限触发电压，该补偿通过所述单个补偿晶体管进行；以及基于电压的步骤，通过所述控制部驱动屏幕的发光器。附图说明当参照附图阅读只是作为例子给出的以下说明书时，将会更好地理解本专利技术，其中图1为根据本专利技术的屏幕的部分示意图；图2表示在排列在根据本专利技术的显示屏幕中的晶体管的制造处理期间、由激光束加热的硅基底的透视图；图3A至3E为显示根据本专利技术、在由控制部件执行的寻址方法期间、所施加的电压如何随时间变化的图示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示屏幕，包括：发光器（４，６，８），排列为发光器行与发光器列，以形成发光器阵列，硅基底（６２），在其上制造用来控制发光器发光的控制部件（２，１０，２０，３０，４０，４２，４４，４６，４８，５０），该控制部件包括：　 　用来为发光器（４，６，８）供电的部件（１２，２２，３２），多个寻址电极（４０），根据发光器列排列，并且用来向每个发光器列传送表示图像数据的电压（Ｖ↓［Ｄ］），多个选择电极（４２，４４，４６），根据发光器行排列，并且用来向每 个发光器行传送选择信号（Ｖ↓［Ｓ４２］，Ｖ↓［Ｓ４４］），多个调制晶体管（１４，２４，３４），每个都与所述阵列的发光器相关，所述调制晶体管包括用来连接到寻址电极（４０）的栅电极以及两个载流电极，每个调制晶体管对于其栅极与其一个载流电 极之间的、大于或等于门限触发电压（Ｖ↓［ｔｈ］）的电压，使漏电流通过它自身，以对所述发光器供电，所述调制晶体管按与发光器列相关的列排列，并且根据引导线（７２）在基底（６２）上对齐，负载电容器（１６，２６，３６），连接到每个调制晶体管 （１４，２４，３４）的终端，并且用来设置相关调制晶体管的栅电极处的电势，以及多个补偿晶体管（４８），用来通过调整电容器上的电荷、补偿调制晶体管的门限触发电压，特征在于：单个补偿晶体管（４８）连接到给定列的所有调制晶体管（１４ ，２４，３４），并且用来补偿该列所有调制晶体管（１４，２４，３４）的门限触发电压，以及所述补偿晶体管（４８）形成在根据所述同一引导线（７２）的给定列的调制晶体管（１４，２４，３４）的线形排列的延伸部分中。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普勒鲁瓦，克里斯托弗普拉特，
申请(专利权)人：汤姆森特许公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]