一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构，包括上下方向设置的单晶硅上极板和单晶硅下极板，单晶硅上极板和单晶硅下极板形状和大小相同，单晶硅上极板水平连有单晶硅驱动梁的一端，单晶硅驱动梁的另一端水平且垂直连有扭转梁的中心位置，扭转梁左右两端分别设置有第一锚区和第二锚区，第二锚区上表面设有第一金属电极，单晶硅下极板连有下极板引线，下极板引线末端设有第二金属电极。本发明专利技术还公开一种单晶硅结构层剪切模量在线测试方法。本发明专利技术提供的一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法，使用电学测试手段对剪切模量进行测量，能够克服光学干涉测量方法的缺陷，具备结构简单、测量速度快、成本低的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法


[0001]本专利技术涉及一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构及其测试方法，基于SOI工艺，属于微电子机械系统及其材料参数测试


技术介绍

[0002]微电子机械系统(MEMS，Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。其基本特点是微型化、高集成度和高精度的批量制造。MEMS产品种类繁多，常见的有MEMS加速度计、MEMS陀螺仪、MEMS压力传感器、MEMS麦克风、微镜、微马达等，这些产品广泛地应用于消费电子、可穿戴设备、智能家居、环境监测等领域。SOI加工技术是MEMS产品的主流加工工艺之一，获取SOI单晶硅结构层的材料参数，可以用于设计、预测和优化MEMS产品的性能。
[0003]剪切模量是衡量微镜等MEMS器件的运动特性的重要参数，现有的剪切模量测量技术往往需要使用专用的光学设备，对样品施加力，通过光学干涉的方法进行测量，这种方法测量速度慢，成本较高，不满足本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构，其特征在于：包括上下方向设置的单晶硅上极板(8)和单晶硅下极板(9)，所述单晶硅上极板(8)和单晶硅下极板(9)形状和大小相同，所述单晶硅上极板(8)水平连有单晶硅驱动梁(7)的一端，所述单晶硅驱动梁(7)的另一端水平且垂直连有扭转梁(3)的中心位置，所述扭转梁(3)左右两端分别设置有第一锚区(4)和第二锚区(5)，所述第二锚区(5)上表面设有第一金属电极(6)，所述单晶硅下极板(9)连有下极板引线(10)，所述下极板引线(10)末端设有第二金属电极(11)。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅结构层剪切模量在线测试结构，其特征在于：所述单晶硅扭转梁(3)厚度是其宽度的10倍以上。3.一种权利要求1或者2所述单晶硅结构层剪切模量在线测试结构的测试方法，其特征在于：包括以下步骤:通过第一金属电极(6)和第二金属电极(11)在单晶硅上极板(8)和单晶硅下极板(9)之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海韵，陈嘉琪，周思源，平学伟，
申请(专利权)人：河海大学，
类型：发明
国别省市：