【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】神经网络存储器
[0001]本公开大体上涉及与存储器阵列中的神经网络存储器相关的设备和方法。
技术介绍
[0002]下文大体上涉及存储器装置，且更确切地说，涉及使用存储器装置的权值存储。存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置具有通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两个状态。在其它系统中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0003]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括：第一部分，其包括第一多个可变电阻存储器单元；以及第二部分，其包括已经通过强制写入循环降级的第二多个可变电阻存储器单元；以及存储器控制器，其耦合到所述第一部分和所述第二部分，其中所述存储器控制器配置成：操作所述第一部分以进行短期存储器操作；以及操作所述第二部分以进行长期存储器操作。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器配置成通过施加RESET读取干扰脉冲以改变RESET读取干扰所施加到的所述第一多个可变电阻存储器单元中的任一者的电导率来操作所述第一部分以进行短期存储器操作，其中所述电导率表示突触权值或突触权值的一部分。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器配置成通过执行短SET脉冲以改变所述短SET脉冲所施加到的所述第一多个可变电阻存储器单元中的任一者的电导率来操作所述第一部分以进行短期存储器操作；其中所述电导率表示突触权值或突触权值的一部分。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的设备，其中所述存储器控制器配置成通过施加脉冲以在所述第一多个存储器单元处于RESET状态且不转变到SET状态时增大其中的任一者的电导率来操作所述第一部分以进行短期存储器操作；其中增大所述电导率表示短期突触权值的增大。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器配置成通过重置所述第一多个存储器单元中的任一者的所述电导率来操作所述第一部分以进行短期存储器操作。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述存储器控制器配置成通过施加脉冲以在所述第二多个可变电阻存储器单元处于具有比所述第一多个可变电阻存储器单元的所述RESET状态更大的电导率的RESET状态时增大其中的任一者的电导率来操作所述第二部分以进行长期存储器操作；其中增大所述电导率表示长期突触权值的增大。7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的设备，其中所述存储器控制器配置成在操作所述第二部分之前对所述第二多个可变电阻存储器单元执行所述强制写入循环。8.根据权利要求7所述的设备，其中配置成执行所述强制写入循环的所述存储器控制器包括配置成执行至少10,000次强制写入循环的所述存储器控制器。9.根据权利要求7所述的设备，其中配置成执行所述强制写入循环的所述存储器控制器包括配置成使所述第二多个可变电阻存储器单元处于比所述第一多个可变电阻存储器单元的降级条件更大的降级条件中的所述存储器控制器。10.根据权利要求7所述的设备，其中配置成执行所述强制写入循环的所述存储器控制器包括配置成不可逆地增大与所述第二多个可变电阻存储器单元中的每一者相关联的电导率的所述存储器控制器。11.根据权利要求7所述的设备，其中配置成执行数个短期存储器操作的所述存储器控制器包括配置成对所述第一多个可变电阻存储器单元中的任一者执行少于1000个短期存
储器操作的所述存储器控制器。12.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括：第一部分，其包括第一多个可变电阻存储器单元；以及第二部分，其...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。