变压器及其绕制方法和开关电源设备技术

技术编号:32331105 阅读:17 留言:0更新日期:2022-02-16 18:38
本发明专利技术提供了一种变压器及其绕制方法和开关电源设备,所述变压器包括骨架,所述骨架上依次绕制有原边绕组、副边绕组和辅助绕组,所述原边绕组至少包括依次绕制在所述骨架上的第一原边层、第二原边层和第三原边层,所述原边绕组的起点位于所述第二原边层的一端,所述第二原边层、所述第一原边层和所述第三原边层依次串联。相较于现有技术,本发明专利技术通过改变变压器绕制的结构,可抵消差模干扰和共模干扰,提高了电源的效率。提高了电源的效率。提高了电源的效率。

【技术实现步骤摘要】
变压器及其绕制方法和开关电源设备


[0001]本专利技术涉及一种变压器及其绕制方法和开关电源设备,属于变压器


技术介绍

[0002]EMI是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰。按照EMI的传播方式,可将其分为电磁传导干扰和电磁辐射干扰两大类。各种标准中都将30MHz作为分界频率,在标准定义中,传导噪声适用范围定义为低于30MHz的频率,而辐射噪声范围适用于高于30MHz的频率。传导干扰分为差模干扰和共模干扰,辐射干扰分为电场辐射干扰和磁场辐射干扰。差模噪声由变压器层间电容Cp和MOS管的漏源极电容Cds的高速开关下的充放电产生。差模电流在电源输入线之间流动,方向相反大小相同。共模干扰是由高速开关的开关管dv/dt通过对地耦合电容产生,方向相同大小不一定相同。噪声的测量是通过线路阻抗稳定网络来完成,缩写LISN。该设备一方面是隔离AC Source对电源的干扰,输入端接两个串联的1uF的电容旁路高频噪声,允许通过50/60Hz的工频电流,同时将高频噪声电流引入到一个50Ω的负载上,通过检测在此电阻上产生的电压来测量。
[0003]有鉴于此,确有必要提出一种变压器及其绕制方法和开关电源设备,以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种变压器及其绕制方法和开关电源设备,可降低差模干扰和共模干扰。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供了一种变压器,包括骨架,所述骨架上依次绕制有原边绕组、副边绕组和辅助绕组,所述原边绕组至少包括依次绕制在所述骨架上的第一原边层、第二原边层和第三原边层,所述原边绕组的起点位于所述第二原边层的一端,所述第二原边层、所述第一原边层和所述第三原边层依次串联。
[0006]作为本专利技术的进一步改进,所述原边绕组还包括绕制在所述第三原边层的外侧的第四原边层,所述第二原边层、所述第一原边层、所述第三原边层和所述第四原边层依次串联。
[0007]作为本专利技术的进一步改进,所述第三原边层的电流流向与所述第一原边层的电流流向相反,所述第三原边层的电流流向与所述第二原边层的电流流向相同。
[0008]作为本专利技术的进一步改进,所述原边绕组的起点处设有与所述第二原边层的一端连接的开关单元。
[0009]作为本专利技术的进一步改进,所述原边绕组和所述副边绕组之间还设有屏蔽绕组。
[0010]作为本专利技术的进一步改进,所述原边绕组和所述屏蔽绕组之间、所述屏蔽绕组和所述副边绕组之间以及所述副边绕组和所述辅助绕组之间均设有绝缘胶带。
[0011]作为本专利技术的进一步改进,所述屏蔽绕组、所述副边绕组以及所述辅助绕组的起点均与所述原边绕组的起点位于所述骨架的同一侧。
[0012]作为本专利技术的进一步改进,所述屏蔽绕组的水平绕制长度为所述原边绕组的水平绕制长度的三分之二,所述副边绕组与所述原边绕组部分相邻。
[0013]作为本专利技术的进一步改进,所述副边绕组的起点与所述原边绕组的起点位于所述骨架的不同侧。
[0014]作为本专利技术的进一步改进,所述屏蔽绕组通过多股并绕绕制而成。
[0015]作为本专利技术的进一步改进,所述屏蔽绕组通过三股并绕绕制而成。
[0016]作为本专利技术的进一步改进,所述辅助绕组的起点与所述原边绕组的起点位于所述骨架的不同侧,所述辅助绕组的起点与所述副边绕组的起点位于所述骨架的同一侧。
[0017]作为本专利技术的进一步改进,所述骨架为卧式骨架。
[0018]为实现上述目的,本专利技术还提供了一种开关电源设备,应用如上所述的变压器。
[0019]为实现上述目的,本专利技术还提供了一种变压器绕制方法,所述变压器包括骨架以及由第一导线绕制在所述骨架上所形成的原边绕组,所述原边绕组至少包括依次绕制在所述骨架上的第一原边层、第二原边层和第三原边层,所述变压器绕制方法主要包括以下步骤:
[0020]S1、将第一导线的第一端预留出一段,从第一导线的非起点位置处开始绕制第一原边层;
[0021]S2、将第一导线第一端的预留部分绕在第一原边层外以形成第二原边层;
[0022]S3、将第一导线的第二端绕制在第二原边层外形成第三原边层;
[0023]S4、将第二导线绕制在原边绕组外侧以形成副边绕组。
[0024]作为本专利技术的进一步改进,所述原边绕组还包括绕制在所述第三原边层的外侧的第四原边层,所述第二原边层、所述第一原边层、所述第三原边层和所述第四原边层依次串联。
[0025]作为本专利技术的进一步改进,所述第三原边层的周向绕制方向与所述第一原边层的周向绕制方向相反,所述第一原边层的周向绕制方向与所述第二原边层和所述第四原边层的的周向绕制方向相同。
[0026]作为本专利技术的进一步改进,所述第一原边层顺时针绕制在所述骨架上,所述第二原边层顺时针绕制在所述第一原边层上,所述第三原边层逆时针绕制在所述第二原边层上,所述第四原边层顺时针绕制在所述第三原边层上。
[0027]作为本专利技术的进一步改进,所述第一原边层逆时针绕制在所述骨架上,所述第二原边层逆时针绕制在所述第一原边层上,所述第三原边层顺时针绕制在所述第二原边层上,所述第四原边层逆时针绕制在所述第三原边层上。
[0028]作为本专利技术的进一步改进,所述第一导线的第一端位于所述第二原边层,且所述第一导线的第一端处连接有开关单元。
[0029]本专利技术的有益效果是:本专利技术通过改变变压器绕制的结构,可抵消差模干扰和共模干扰,提高了电源的效率。
附图说明
[0030]图1是本专利技术变压器在MOS管开通时的差模电流流向示意图。
[0031]图2是本专利技术变压器在MOS管关断时的差模电流流向示意图。
[0032]图3是本专利技术变压器中屏蔽绕组部分绕制时的结构示意图。
[0033]图4是图3中副边绕组的起点设置在右侧时的结构示意图。
[0034]图5是图4中屏蔽绕组为三股绕制时的共模电流流向示意图。
[0035]图6是图5中辅助绕组的起点设置在右侧时的共模电流流向示意图。
具体实施方式
[0036]为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述。
[0037]在此,需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术,在附图中仅仅示出了与本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。
[0038]另外,还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0039]如图1至图6所示,本专利技术揭示了一种变压器100,所述变压器100应用在开关电源设备中,所述变压器100可以是反激式电源变压器,所述变压器100包括骨架10以及在所述骨架10上依次绕制的原边绕组20、屏蔽绕组本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变压器,其特征在于:包括骨架,所述骨架上依次绕制有原边绕组、副边绕组和辅助绕组,所述原边绕组至少包括依次绕制在所述骨架上的第一原边层、第二原边层和第三原边层,所述原边绕组的起点位于所述第二原边层的一端,所述第二原边层、所述第一原边层和所述第三原边层依次串联。2.根据权利要求1所述的变压器,其特征在于:所述原边绕组还包括绕制在所述第三原边层的外侧的第四原边层,所述第二原边层、所述第一原边层、所述第三原边层和所述第四原边层依次串联。3.根据权利要求2所述的变压器,其特征在于:所述第三原边层的电流流向与所述第一原边层的电流流向相反,所述第三原边层的电流流向与所述第二原边层的电流流向相同。4.根据权利要求1所述的变压器,其特征在于:所述原边绕组的起点处设有与所述第二原边层的一端连接的开关单元。5.根据权利要求1所述的变压器,其特征在于:所述原边绕组和所述副边绕组之间还设有屏蔽绕组。6.根据权利要求5所述的变压器,其特征在于:所述原边绕组和所述屏蔽绕组之间、所述屏蔽绕组和所述副边绕组之间以及所述副边绕组和所述辅助绕组之间均设有绝缘胶带。7.根据权利要求5所述的变压器,其特征在于:所述屏蔽绕组、所述副边绕组以及所述辅助绕组的起点均与所述原边绕组的起点位于所述骨架的同一侧。8.根据权利要求5所述的变压器,其特征在于:所述屏蔽绕组的水平绕制长度为所述原边绕组的水平绕制长度的三分之二,所述副边绕组与所述原边绕组部分相邻。9.根据权利要求8所述的变压器,其特征在于:所述副边绕组的起点与所述原边绕组的起点位于所述骨架的不同侧。10.根据权利要求9所述的变压器,其特征在于:所述屏蔽绕组通过多股并绕绕制而成。11.根据权利要求10所述的变压器,其特征在于:所述屏蔽绕组通过三股并绕绕制而成。12.根据权利要求10所述的变压器,其特征在于:所述辅助绕组的起点与所述原边绕组的起点位于所述骨架的不同侧,所述辅助绕组的起点与所述副边绕组的起点位于所述骨架的...

【专利技术属性】
技术研发人员:张伟
申请(专利权)人:苏州欧普照明有限公司
类型:发明
国别省市:

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