一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，包括磁屏蔽铁轭上板、磁屏蔽铁轭下板和磁屏蔽铁轭筒体。磁屏蔽铁轭上板和磁屏蔽铁轭下板分别连接在磁屏蔽铁轭筒体的两端，磁屏蔽铁轭筒体为多层结构。本实用新型专利技术将传统的无电工纯铁的磁控拉单晶硅磁体，或者单层的磁屏蔽结构，进行多层优化，在节约电工纯铁的基础上，以进一步降低磁体的漏磁，从而满足磁控拉单晶用超导磁体周围电气设备的安全、稳定运行。同时多层磁屏蔽结构也可以降低因单层较厚电工纯铁磁屏蔽结构，造成磁屏蔽与超导线圈之间的电磁作用力过大，诱发的磁体运行稳定性问题的风险，提高磁控拉单晶用超导磁体的稳定性，保证生产效率及稳定性。保证生产效率及稳定性。保证生产效率及稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构


[0001]本技术涉及半导体生产设备
，特别涉及一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构。

技术介绍

[0002]高纯单晶硅广泛应用于太阳能电池、集成电路、半导体等行业，是光伏发电、电子信息等高新技术产业的关键材料之一，在保障能源、信息、国家安全方面具重要的战略地位。然而，由于磁控拉单晶技术的核心部件—大型超导磁体装置，其设计技术难度高、加工制造难度大、成本和风险居高不下等原因，导致国内缺乏相关基础研究和技术积累，该项技术被日、美、德等国完全垄断。
[0003]根据已有的文献调研可知，截止目前，磁控拉单晶用超导磁体领域，由于单晶硅加工制备的区域性及垄断性，导致目前国外研制单位主要为日本的住友Sumitomo，东芝Toshiba及日本超导技术公司JASTEC等企业，同时该领域磁体制备技术几乎完全处于保密、封锁状态。国内单晶硅相关研究虽与日本同时起步，但就目前总体而言，生产技术水平仍然相对较低，国内消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但经过多年的积累与发展正迎头赶上，近几年也有相关专利进行了保护申请，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，其特征在于，包括：磁屏蔽铁轭上板(100)、磁屏蔽铁轭下板(110)和磁屏蔽铁轭筒体(120)；所述磁屏蔽铁轭上板(100)和磁屏蔽铁轭下板(110)分别连接在所述磁屏蔽铁轭筒体(120)的两端，所述磁屏蔽铁轭筒体(120)为多层结构。2.根据权利要求1所述的一种磁控拉单晶超导磁体的屏蔽结构，其特征在于，所述磁屏蔽铁轭上板(100)和磁屏蔽铁轭下板(110)相互平行，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，李超，马鹏，张弛，李勇，葛正福，兰贤辉，冯勇，刘向宏，张平祥，
申请(专利权)人：西安聚能超导磁体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：