【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含p型有机半导体材料和n型半导体材料的制剂
[0001]本专利申请要求法国专利申请FR19/06819的优先权权益，所述申请通过引用并入本文。
[0002]本公开大体上涉及包含有机半导体(OSC)的制剂以及用于制备有机电子器件的油墨，以及使用这样的制剂制备有机电子器件的方法。
技术介绍
[0003]在过去的几十年中，有机半导体(OSC)引起了学术界和工业界的强烈兴趣。已经使用有机半导体的应用的实例是有机光电二极管(OPD)，例如用于光学传感器，有机发光二极管(OLED)，例如用于显示器和照明，以及有机光伏电池(OPV)。
[0004]虽然无机半导体的沉积通常需要真空技术，但有机半导体可以通过相对简单且廉价的沉积和涂覆方法，特别是旋涂方法或铺展方法来施加。
[0005]待通过这样的方法施加的油墨和制剂通常需要特定于所实施方法的粘度。油墨粘度的调节是复杂的，因为它取决于许多变量，例如油墨组分的性质，例如有机半导体组分的分子量或溶剂的性质，以及各组分的浓度。此外，有机半导体组分经常被设计为最大化它们的电子...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制剂，其包括p型有机半导体材料、n型半导体材料和非水溶剂，其中所述p型有机半导体材料的浓度在每毫升溶剂4mg/mL至25mg/mL的范围内，并且p型有机半导体材料与n型有机半导体材料之间的重量比例为1:1至1:2。2.根据权利要求1所述的制剂，其中所述溶剂选自包括甲苯、邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯、三甲苯、萘满、苯甲醚、烷基苯甲醚、萘、四氢萘和烷基萘的组。3.根据权利要求1或2所述的制剂，其中所述溶剂包括具有在140℃至200℃范围内的第一沸点的第一非水溶剂和不同于第一溶剂且具有高于200℃的第二沸点的第二非水溶剂。4.根据权利要求3所述的制剂，其中第一溶剂包括甲苯、邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯、三甲苯、萘满、苯甲醚、烷基苯甲醚、萘、四氢萘、烷基萘或这些溶剂中至少两种的混合物，并且第二溶剂包括苯乙酮、二甲氧基苯、苯甲酸苄酯、烷基萘或这些溶剂中至少两种的混合物。5.根据权利要求3或4所述的制剂，其中相对于第一溶剂和第二溶剂的总重量计，第二溶剂的比例优选在1％至30％的范围内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的制剂，其中所述p型半导体材料包括共轭芳基化合物、共轭杂芳基化合物或这些化合物中至少两种的混合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的制剂，其中所述n型半导体材料包括氧化锌、氧化锌锡、氧化钛、氧化钼、氧化镍、硒化镉、石墨烯、富勒烯、取代的富勒烯或这些化合物中至少两种的混合物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的制剂，其中制剂中p型有机半导体材料和n型半导体材料的浓度在0.1wt％至10wt％的范围内。9.根据权利要求1至8中任一项所述的制剂，其中所述制剂具有在4mPa.s至15mPa.s范围内的粘度。10.根据权利要求1至9中任一项所述的制剂，其中所述制剂还包含选自包括非氧化性有机盐、挥发性有机盐、醇、挥发性羧酸和有机胺的组的导电添加剂。11.根据权利要求10所述的制剂，其中所述导电添加剂选自包括季铵盐、鏻盐、咪唑鎓盐或其他杂环...
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