可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源制造技术

本实用新型专利技术提供了一种可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源，单元电路包括：晶体管的集电极或漏极连接阴极端，晶体管的发射极或源极连接运算放大器的负电源端和电阻的一端、内部基准源的接地端、内部信号地并连接阳极端，晶体管的基极或栅极连接运算放大器的输出端，运算放大器的正电源端连接内部基准源的输入端并连接辅助电源正端，运算放大器的同相输入端连接外部输入参考端，运算放大器的反向输入端连接电阻的另一端并连接电位器的一个固定端，电位器的滑动端连接电位器的另一个固定端并连接内部基准源的输出端；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。实现了基准电压高于36V至KV级的可调电压基准源的设计。压基准源的设计。压基准源的设计。

【技术实现步骤摘要】
可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源


[0001]本技术属于电子
，尤其涉及一种可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源。

技术介绍

[0002]可编程基准是一种精密可调节三端并联稳压单元电路，主要应用于组成基准电压源或开关电源的反馈环路。常用的可编程基准是集成电路TL431。TL431的参考电压Vref约为2.5V，最大工作电压是36V，组成基准电压源或开关电源的反馈环路时，其输出端之间的电压通过外部电阻器设置只能介于Vref和36V之间的任意值。
[0003]对于基准电压高于36V的基准电压源，特别是基准电压可调的基准电压源，并没有合适的集成电路或单元电路可供使用；而使用固定电压的齐纳二极管时只有有限的标称值可供选用，最高工作电压不到500V，对于基准电压是齐纳二极管标称值之外或高于500V的基准电压源，已无齐纳二极管可供使用。对于基准电压为500V以上的基准电压源或者最高基准电压为36V以上的基准电压可调的基准电压源，目前并没有集成电路或单元电路可供使用。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源，旨在解决基准电压为36V以上的基准电压源或者最高基准电压为36V以上的基准电压可调的基准电压源，目前并没有集成电路或单元电路可供使用的问题。
[0005]第一方面，本技术提供了一种可调可编程高电压基准单元电路，包括：晶体管Q1、第一运算放大器U1、第五电阻R5、电位器VR1、内部信号地F、内部基准源、辅助电源正端VCC、外部输入参考端REF、阴极端CATHODE和阳极端ANODE；所述晶体管Q1的集电极或漏极连接阴极端CATHODE，所述晶体管Q1的发射极或源极连接所述第一运算放大器U1的负电源端和所述第五电阻R5的一端、所述内部基准源的接地端、所述内部信号地F并连接所述阳极端ANODE，所述晶体管Q1的基极或栅极连接所述第一运算放大器U1的输出端，所述第一运算放大器U1的正电源端连接所述内部基准源的输入端并连接所述辅助电源正端VCC，所述第一运算放大器U1的同相输入端连接所述外部输入参考端REF，所述第一运算放大器U1的反向输入端连接所述第五电阻R5的另一端和所述电位器VR1的一个固定端，所述电位器VR1的滑动端连接所述电位器VR1的另一个固定端并连接所述内部基准源的输出端；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述可调可编程高电压基准单元电路内部开路。
[0006]第二方面，本技术提供了一种可调高压电压基准源，所述可调高压电压基准源包括所述的可调可编程高电压基准单元电路。
[0007]本技术电路中晶体管的耐压高于此使用可调可编程高电压基准单元电路组成的可调高压电压基准源提供的基准电压，高压电压基准源可实现基准电压高于36V至kV，通过辅助电源正端VCC、可编程基准集成电路U2、第六电阻R6产生内部基准电压，再通过可
调节分压电路、滤波电路产生可调节的内部参考电压。
附图说明
[0008]图1是本技术实施例一提供的一种可调可编程高电压基准单元电路图。
[0009]图2是本技术实施例一提供的另一种可调可编程高电压基准单元电路图。
[0010]图3是本技术实施例二提供的一种由可调可编程高电压基准单元电路组成的可调高压电压基准源的电路图。
具体实施方式
[0011]为了使本技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0012]为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0013]实施例一：
[0014]请参阅图1，本技术实施例一提供了一种可调可编程高电压基准单元电路，包括：晶体管Q1、第一运算放大器U1、第五电阻R5、电位器VR1、内部信号地F、内部基准源、辅助电源正端VCC、外部输入参考端REF、阴极端CATHODE和阳极端ANODE；所述晶体管Q1的集电极或漏极连接阴极端CATHODE，所述晶体管Q1的发射极或源极连接所述第一运算放大器U1的负电源端2和所述第五电阻R5的一端、所述内部基准源的接地端、所述内部信号地F并连接所述阳极端ANODE，所述晶体管Q1的基极或栅极连接所述第一运算放大器U1的输出端4，所述第一运算放大器U1的正电源端5连接所述内部基准源的输入端并连接所述辅助电源正端VCC，所述第一运算放大器U1的同相输入端1连接所述外部输入参考端REF，所述第一运算放大器U1的反向输入端3连接所述第五电阻R5的另一端和所述电位器VR1的一个固定端，所述电位器VR1的滑动端连接所述电位器VR1的另一个固定端并连接所述内部基准源的输出端；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述可调可编程高电压基准单元电路内部开路。
[0015]在所述第一运算放大器U1的反向输入端3和第五电阻R5的另一端以及电位器VR1的一个固定端的交点为内部参考电位点Vref，所在电压为内部参考电压Vref。
[0016]在本技术实施例一中，所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。
[0017]在本技术实施例一中，所述运算放大器包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。
[0018]在本技术实施例一中，所述阳极端ANODE和阴极端CATHODE分别相当于等效齐纳二极管的阳极和阴极。
[0019]在本技术实施例一中，所述内部基准源包括可编程基准集成电路U2和第六电阻R6；所述第六电阻R6的一端连接所述内部基准源的输入端，所述第六电阻R6的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端并连接所述内部基准源的输出端，可编程基准集成电路U2的阳极端连接所述内部基准源的接地端。
[0020]在本技术实施例一中，所述可调可编程高电压基准单元电路还包括积分电
路、滤波电路。
[0021]在本技术实施例一中，所述积分电路的第一端连接晶体管Q1的基极或栅极，积分电路的第二端连接阳极端ANODE，积分电路的第三端连接第一运算放大器U1的输出端4。
[0022]在本技术实施例一中，所述滤波电路的第一端连接第一运算放大器U1的负电源端2，滤波电路的第二端连接第一运算放大器U1的反向输入端3，滤波电路的的第三端连接所述第五电阻R5的另一端和所述电位器VR1的一个固定端。
[0023]在本技术实施例一中，所述可调可编程高电压基准单元电路还包括积分电路、滤波电路；所述积分电路的第一端连接晶体管Q1的基极或栅极，积分电路的第二端连接阳极端ANODE，积分电路的第三端连接第一运算放大器U1的输出端4；所述滤波电路的第一端连接第一运算放大器U1的负电源端2，滤波电路的第二端连接第一运算放大器U1的反向输入端3，滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，包括：晶体管Q1、第一运算放大器U1、第五电阻R5、电位器VR1、内部信号地F、内部基准源、辅助电源正端VCC、外部输入参考端REF、阴极端CATHODE和阳极端ANODE；所述晶体管Q1的集电极或漏极连接阴极端CATHODE，所述晶体管Q1的发射极或源极连接所述第一运算放大器U1的负电源端和所述第五电阻R5的一端、所述内部基准源的接地端、所述内部信号地F并连接所述阳极端ANODE，所述晶体管Q1的基极或栅极连接所述第一运算放大器U1的输出端，所述第一运算放大器U1的正电源端连接所述内部基准源的输入端并连接所述辅助电源正端VCC，所述第一运算放大器U1的同相输入端连接所述外部输入参考端REF，所述第一运算放大器U1的反向输入端连接所述第五电阻R5的另一端和所述电位器VR1的一个固定端，所述电位器VR1的滑动端连接所述电位器VR1的另一个固定端并连接所述内部基准源的输出端；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述可调可编程高电压基准单元电路内部开路。2.如权利要求1所述的可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。3.如权利要求1所述的可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，所述运算放大器U1包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。4.如权利要求1所述的可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，所述阳极端ANODE和阴极端CATHODE分别相当于等效齐纳二极管的阳极和阴极。5.如权利要求1所述的可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，所述内部基准源包括可编程基准集成电路U2和第六电阻R6；所述第六电阻R6的一端连接所述内部基准源的输入端，所述第六电阻R6的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端并连接所述内部基准源的输出端，可编程基准集成电路U2的阳极端连接所述内部基准源的接地端。6.如权利要求1所述的可调可编程高电压基准单元电路，其特征在于，所述可调可编程高电压基准单元电路还包括积分电路、滤波电路；所述积分电路的第一端连接晶体管Q1的基极或栅极，积分电路的第二端连接阳极端ANODE，积分电路的第三端连接第一运算放大器U1的输出端；所述滤波电路的第一端连接第一运算放大器U1的负电源端，滤波电路的第二端连接第一运算放大器U1的反向输入端，滤波电路的第三端连接所述第五电阻R5的另一端和所述电位器VR1的一个固定端。7.如权利要求6所述的可调可编程...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛军，
申请(专利权)人：深圳市艾尔曼医疗电子仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：