【技术实现步骤摘要】
一种电流源电路
[0001]本专利技术涉及电路
,尤指一种电流源电路。
技术介绍
[0002]现有的电流源电路只有一种工作模式——Active模式,如图1所示。Active模式时,NMOS管(NM5)的栅极(Gate)电压(Vg5)接VDD,BGRBlock输出VREF,此时电流源电路即可正常工作,后续通过运放电路比例输出,输出电流基准为Vref/R1,实际输出大小可通过镜像比例进行调节。现有的电流源电路结构中启动瞬间干扰问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是提供一种电流源电路,通过本方案可以解决上述问题。
[0004]本专利技术提供的技术方案如下:
[0005]一种电流源电路,包括:
[0006]电源电压输入电路,用于输入电源电压;
[0007]电源电压防抖电路,与所述电源电压输入电路连接;所述电源电压防抖电路包括:
[0008]第一本征NMOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、第三增强型NMOS管、第四增强型NMOS管、第五增强型N ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电流源电路,其特征在于,包括:电源电压输入电路,用于输入电源电压;电源电压防抖电路,与所述电源电压输入电路连接;所述电源电压防抖电路包括:第一本征NMOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、第三增强型NMOS管、第四增强型NMOS管、第五增强型NMOS管;所述第三增强型NMOS管,与所述第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接;所述第三增强型NMOS管的漏极与所述第三增强型NMOS管的源极连接;所述第三增强型NMOS管接入电源电压;所述第一本征NMOS管的源极,与所述第五增强型NMOS管的漏极、所述第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点;所述第二增强型NMOS管的源极,与所述第三增强型NMOS管的漏极、所述第三增强型NMOS管的源极、所述第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点;其中,当从待机模式切换为正常工作模式时,所述第五增强型NMOS管打开,第二节点电压升高以进行预充电。2.根据权利要求1所述的电流源电路,其特征在于,还包括:第一PMOS管;所述第一PMOS管的源极,与所述电源电压输入电路连接;所述第一PMOS管的栅极,与所述第二增强型NMOS管的漏极连接至所述电流源电流的输出端口。3.根据权利要求2所述的电流源电路,其特征在于:所述第一本征NMOS管的栅极,与所述电源电压输入电路、所述第二增强型NMOS管的栅极、所述第三增强型NMOS管的栅极连接;所述第一本征NMOS管的漏极,与所述第一PMOS管的漏极、所述第二增强型NMOS管的漏极连接。4.根据权利要求3所述的电流源电路,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:李兆桂,易鹏,高会阁,
申请(专利权)人:普冉半导体上海股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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