一种浪涌抑制电路及电子设备制造技术

技术编号:32304543 阅读:16 留言:0更新日期:2022-02-12 20:20
本实用新型专利技术实施例涉及电子电力技术领域,特别涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。本实用新型专利技术实施例提供一种浪涌抑制电路及电子设备,该电路包括:储能单元、浪涌抑制单元和开关电路,储能单元的第一端用于连接输入电源的第一端;浪涌抑制单元的第一端连接储能单元的第二端、第二端用于连接输入电源的第二端,浪涌抑制单元用于抑制输入电源对储能单元充电过程中产生的浪涌电流;开关电路的第一端连接浪涌抑制单元的第一端、第二端连接浪涌抑制单元的第二端,开关电路用于储能单元充电完成时闭合,以使浪涌抑制单元短接,可见该电路结构简单、体积小,且开关电路与储能单元串接后并接在输入电源主回路中,这样通过开关电路的电流小,损耗小。损耗小。损耗小。

【技术实现步骤摘要】
一种浪涌抑制电路及电子设备


[0001]本技术实施例涉及电子电力
,特别涉及一种浪涌抑制电路及电子设备。

技术介绍

[0002]浪涌电流是指电源接通瞬间,流入电源设备的峰值电流,是电气设备在接通瞬间的电流特性,对供电网络及用电设备的安全都很重要。因此,在高电压或者大电流的输入系统中,通常需要对浪涌电流进行限制,以防止损坏连接器件。
[0003]现在的浪涌抑制电路通常串接在输入主回路中,而对于大功率电源通常使用的电路为先使用浪涌抑制电阻对储能电容充电,在充电结束后使用串接在主回路的继电器或半导体开关器件短接浪涌抑制电阻,其缺点是电路复杂,体积大,且主回路工作电流大、导致损耗大。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种浪涌抑制电路及电子设备,电路结构简单、体积小且损耗小。
[0005]第一方面,本技术实施方式采用的一个技术方案是:提供一种浪涌抑制电路,包括:
[0006]储能单元,所述储能单元的第一端用于连接输入电源的第一端,所述储能单元用于存储电能;
[0007]浪涌抑制单元,所述浪涌抑制单元的第一端连接所述储能单元的第二端,所述浪涌抑制单元的第二端用于连接所述输入电源的第二端,所述浪涌抑制单元用于抑制所述输入电源对所述储能单元充电过程中产生的浪涌电流;
[0008]开关电路,所述开关电路的第一端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述开关电路的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述开关电路用于所述储能单元充电完成时闭合,以使所述浪涌抑制单元短接。
[0009]在一些实施例中,所述储能单元为储能电容。
[0010]在一些实施例中,所述浪涌抑制单元为浪涌抑制电阻。
[0011]在一些实施例中,所述开关电路包括第一开关单元、第二开关单元和控制单元;
[0012]所述第一开关单元的第一端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第一开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第一开关单元的第三端分别连接所述控制单元的第一端和所述第二开关单元的第一端,所述控制单元用于输出控制信号,所述第一开关单元用于根据所述控制信号闭合、以使所述浪涌抑制单元短接;
[0013]所述第二开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第二开关单元的第三端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第二开关单元用于所述储能单元充电过程中、短接所述第二开关单元的第二端和所述第二开关单元的第三端。
[0014]在一些实施例中,所述开关电路还包括第一电阻;所述第一电阻串接于所述控制单元的第一端和所述第一开关单元的第三端之间。
[0015]在一些实施例中,所述开关电路包括第一开关单元和第二开关单元;
[0016]所述第一开关单元的第一端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第一开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第一开关单元的第三端分别连接所述输入电源的第一端和所述第二开关单元的第一端,所述第一开关单元用于所述储能单元充电完成时闭合、以使所述浪涌抑制单元短接;
[0017]所述第二开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第二开关单元的第三端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第二开关单元用于所述储能单元充电过程中、短接所述第二开关单元的第二端和所述第二开关单元的第三端。
[0018]在一些实施例中,所述开关电路还包括第二电阻和稳压二极管;所述第二电阻串接于所述输入电源的第一端与所述第一开关单元的第三端之间,所述稳压二极管的阳极连接所述第一开关单元的第三端,所述稳压二极管的阴极连接所述第一开关单元的第二端。
[0019]在一些实施例中,所述第一开关单元为NMOS管,所述第二开关单元为NPN三极管;
[0020]所述NMOS管的漏极连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述NMOS管的源极连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述NMOS管的栅极连接所述NPN三极管的集电极,所述NPN三极管的发射极连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述NPN三极管的基极连接所述浪涌抑制单元的第一端;
[0021]所述NMOS管的栅极还连接控制单元的第一端,或者,所述NMOS管的栅极还连接输入电源的第一端。
[0022]在一些实施例中,所述开关电路还包括第三电阻;所述第三电阻串接于所述NPN三极管的基极和所述浪涌抑制单元的第一端之间。
[0023]第二方面,本技术实施例中提供了一种电子设备,其特征在于,包括如第一方面任意一项所述的浪涌抑制电路。
[0024]本技术实施方式的有益效果是:区别于现有技术的情况,本技术实施例提供一种浪涌抑制电路及电子设备,该电路包括:储能单元、浪涌抑制单元和开关电路,储能单元的第一端用于连接输入电源的第一端;浪涌抑制单元的第一端连接储能单元的第二端、第二端用于连接输入电源的第二端,浪涌抑制单元用于抑制输入电源对储能单元充电过程中产生的浪涌电流;开关电路的第一端连接浪涌抑制单元的第一端、第二端连接浪涌抑制单元的第二端,开关电路用于储能单元充电完成时闭合,以使浪涌抑制单元短接,可见该电路结构简单、体积小,且开关电路与储能单元串接后并接在输入电源主回路中,这样通过开关电路的电流小,损耗小。
附图说明
[0025]一个或多个实施例中通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件/模块和步骤表示为类似的元件/模块和步骤,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
[0026]图1是现有技术中提供的一种浪涌抑制电路的电路结构示意图;
[0027]图2是现有技术中提供的另一种浪涌抑制电路的电路结构示意图;
[0028]图3是本技术实施例提供的一种浪涌抑制电路的结构框图示意图;
[0029]图4是本技术实施例提供的另一种浪涌抑制电路的结构框图示意图;
[0030]图5是本技术实施例提供的再一种浪涌抑制电路的结构框图示意图;
[0031]图6是本技术实施例提供的一种浪涌抑制电路的电路结构示意图;
[0032]图7本技术实施例提供的另一种浪涌抑制电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面结合具体实施例对本技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本技术,但不以任何形式限制本技术。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本技术的保护范围。
[0034]为了便于理解本申请,下面结合附图和具体实施例,对本申请进行更详细的说明。除非另有定义,本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是用于限制本申请。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0035本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浪涌抑制电路,其特征在于,包括:储能单元,所述储能单元的第一端用于连接输入电源的第一端,所述储能单元用于存储电能;浪涌抑制单元,所述浪涌抑制单元的第一端连接所述储能单元的第二端,所述浪涌抑制单元的第二端用于连接所述输入电源的第二端,所述浪涌抑制单元用于抑制所述输入电源对所述储能单元充电过程中产生的浪涌电流;开关电路,所述开关电路的第一端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述开关电路的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述开关电路用于所述储能单元充电完成时闭合,以使所述浪涌抑制单元短接。2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述储能单元为储能电容。3.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述浪涌抑制单元为浪涌抑制电阻。4.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述开关电路包括第一开关单元、第二开关单元和控制单元;所述第一开关单元的第一端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第一开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第一开关单元的第三端分别连接所述控制单元的第一端和所述第二开关单元的第一端,所述控制单元用于输出控制信号,所述第一开关单元用于根据所述控制信号闭合、以使所述浪涌抑制单元短接;所述第二开关单元的第二端连接所述浪涌抑制单元的第二端,所述第二开关单元的第三端连接所述浪涌抑制单元的第一端,所述第二开关单元用于所述储能单元充电过程中、短接所述第二开关单元的第二端和所述第二开关单元的第三端。5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述开关电路还包括第一电阻;所述第一电阻串接于所述控制单元的第一端和所述第一开关单元的第三端之间。6.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路,其特征在于,所述开关电路包括第一开关单元和第二开关...

【专利技术属性】
技术研发人员:官继红陈林
申请(专利权)人:深圳麦格米特电气股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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