【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光型热电效应芯片,尤其是一种以蓝宝石(A1203) 基板作为冷区的改良的发光型热电效应芯片。
技术介绍
发光热电效应芯片工作时总是伴随着热量的产生,发光区的温度过高时, 不仅会影响其工作,还会降低发光二极管(LED)的寿命,进而影响到整个芯片。 为此,现有致冷技术如图1中普遍采用将单个LED串接在一起,再在其下设置 一片致冷晶片,使LED及陶瓷基板A作为冷区,陶瓷基板B作为热区的技术方 案。这种技术方案的缺点是致冷晶片需额外电源提供,因此较无致冷晶片之使 用耗电.
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构相对简单、不需要外加配有 额外电源的致冷晶片、可实现模块化生产的改良的发光型热电效应芯片。为解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案 一种改良的发光型热电效应芯片,包括陶瓷基底和由蓝宝石(A1A)基板、N型接触层、P型接触 层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元,其特征在于 所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元,该热电效应 芯片以陶瓷基底作为热区,AU)3基板作为冷区,Al203基板将各LED芯片单元的 N型接触层连接在一起,陶瓷基底连接导电金属板,导电金属板将前一LED芯片 单元的N型电极和后一 LED芯片单元的P型电极连接在一起,从而将各LED芯 片单元串接在一起,并由P型焊垫和N型焊垫封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。所述的P型焊垫从Al203基板延伸至导电金属板,N型焊垫从 八1203基板延伸至N型接触层。本技术去掉了现有技术中的作为冷区的陶瓷基底,代之直接以A1A基 板作为冷区 ...
【技术保护点】
一种改良的发光型热电效应芯片,包括陶瓷基底和由蓝宝石(Al↓[2]O↓[3])基板、N型接触层、P型接触层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元,其特征在于:所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元,该热电效应芯片以陶瓷基底作为热区,Al↓[2]O↓[3]基板作为冷区,Al↓[2]O↓[3]基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起,陶瓷基底连接导电金属板,导电金属板将前一LED芯片单元的N型电极和后一LED芯片单元的P型电极连接在一起,从而将各LED芯片单元串接在一起,并由P型焊垫和N型焊垫封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。
【技术特征摘要】
1.一种改良的发光型热电效应芯片,包括陶瓷基底和由蓝宝石(Al2O3)基板、N型接触层、P型接触层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元,其特征在于所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元,该热电效应芯片以陶瓷基底作为热区,Al2O3基板作为冷区,Al2O3基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起,陶瓷基底连...
【专利技术属性】
技术研发人员:许耀宗,余其俊,张孝严,
申请(专利权)人:东莞高埗佰鸿电子厂,
类型:实用新型
国别省市:44[中国|广东]
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