一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法技术

本发明专利技术公开了一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法，涉及半导体生产设备领域，该装置包括底座、传送装置，所述传送装置为设置为环形传送带，所述传送装置的两侧分别设置有覆膜机构和修边机构，所述传送装置上设置有若干硅片治具，若干所述硅片治具成等间距排列，所述硅片治具中固定有硅片本体，硅片治具携带硅片本体在传送装置上运动一周，由覆膜机构完成贴膜，再经过修边机构完成硅片本体边缘氧化膜的去除，即保证了硅片氧化膜去除的安全性，也保证了加工过程对于硅片本体的损伤。也保证了加工过程对于硅片本体的损伤。也保证了加工过程对于硅片本体的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产设备
，具体涉及一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法。

技术介绍

[0002]在硅片的背封工艺过程中如果边缘有二氧化硅残留，后面的外延过程就会作为成核中心，在边缘形成多晶，非晶，并向中心延伸，也会给硅片带来局部应力变化，从而在外延生长过程中引入位错，层错等，引起器件增加漏电流，降低栅氧化层质量，严重的可直接造成击穿，因此边缘二氧化硅膜的去除非常重要。
[0003]如专利公开号为CN109360801A公开的一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法，该装置采用卧式结构，由上下两部分组成去边圆盘，通过卡槽固定；内部中空，填充吸水海绵吸收HF溶液；去边圆盘有凹槽，凹槽处有用于渗出HF溶液的通孔，凹槽外缠有摩擦布吸附HF溶液，通过去边圆盘外凹槽上缠有摩擦布与硅片边缘接触，使SiO2与HF发生化学反应，达到去除硅片边缘SiO2背封膜的目的。上述装置中采取直接去除的方式，可能会造成加工位置有HF溶液流动，对非加工位置造成腐蚀的状况；同时采用旋转的打磨方式容易造成HF溶液飞溅，引起生产事故。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法，解决以下技术问题：1、对硅片的打磨方式设为水平方向的往复运动，避免打磨装置的旋转使得其中的HF溶液飞溅，引发生产事故；2、对硅片的非加工位置进行覆膜保护，避免HF溶液的堆积流动，对硅片的非加工部位造成损坏，造成次品。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种去除硅片边缘氧化膜的结构及操作方法，该装置包括底座、传送装置，所述传送装置为设置为环形传送带，所述传送装置的两侧分别设置有覆膜机构和修边机构，所述传送装置上设置有若干硅片治具，若干所述硅片治具成等间距排列，所述硅片治具中固定有硅片本体，硅片治具携带硅片本体在传送装置上运动一周，由覆膜机构完成贴膜，再经过修边机构完成硅片本体边缘氧化膜的去除。
[0006]作为本专利技术进一步的方案：所述修边机构包括外部壳体，壳体中设置有“C”型架，所述“C”型架中转动连接有转轴，所述转轴由安装在“C”型架顶部的电机三对其进行驱动，所述“C”型架顶部内壁的中间位置固定安装有两个连架杆，两个所述连架杆的底部均固定安装有滑套，所述滑套中均滑动连接有活动杆，两个所述活动杆靠“C”型架的内部一侧固定安装有两个驱动块，所述转轴设置在两个活动杆和两个驱动块所构成矩形的中间位置。
[0007]作为本专利技术进一步的方案：所述转轴上位于两个活动杆和两个驱动块所构成矩形
的位置固定安装有驱动轮，所述驱动轮为凸轮结构，所述凸轮的长端的距离小于两个驱动块之间的距离，以避免驱动轮在旋转时，驱动轮卡在两个驱动块之间，造成干涉，两个所述驱动块的相对一侧的中间处均开设有圆弧面，在驱动块与驱动轮的接触位置采用弧面设计，使得驱动块与驱动轮的接触更加平稳，减少接触时的冲击力；同时将区别于点面接触，驱动块与驱动轮之间的面面接触，同时也减少了二者之间的摩擦，避免了零部件接触点的过渡摩擦；同时区别于常规的连杆驱动连接，此种连接方式采用的是间歇性接触，无需润滑，减少了设备的润滑保养。
[0008]作为本专利技术进一步的方案：两个所述活动杆的远离驱动块的一侧固定安装有打磨块，所述打磨块为环形，与硅片边缘尺寸相适应，所述打磨块中渗有HF溶液，当硅片治具携带硅片运动至修边机构的底部时，电机三转动，通过连接在输出轴上的转轴带动驱动轮旋转，当驱动轮的大头一端与一侧的驱动块接触时，两个活动杆向该侧运动，驱动轮不断的与两个驱动块相接触，使得打磨块快速的往复运动，对打磨部位进行有效打磨，摩擦布中含有HF溶液，使得摩擦布与硅片边缘接触，使氧化膜成分中的SiO2与HF发生化学反应，达到去除硅片边缘SiO2背封膜的目的，所述修边机构的外部设置外壳，防止打磨块中HF溶液飞溅。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：所述覆膜机构包括安装板，所述安装板上固定安装在底座的顶部，所述安装板顶部边缘位置固定安装有传动机构，所述传动机构由电机二驱动，所述传动机构上滑动连接有活动块，传动机构中转动连接有丝杠，丝杠与电机二的输出轴固定连接，电机二安装在传动机构的侧面，所述活动块在传动机构内部的部分与丝杠之间螺纹连接，所述活动块的底部转动连接有推动板，所述推动板的一端与活动块的中间位置之间安装有驱动气缸，所述推动板远离与驱动气缸接触点的一侧安装有转轮。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述安装板位于推动板的下方位置设置有压板，所述压板的一端与安装板之间转动连接，当需要覆膜操作时，电机二带动丝杠转动，从而带动活动块在传动机构上运动；驱动气缸达到最大行程时，推动板保持水平状态，设备工作时，驱动气缸收缩，推动板靠转轮一侧向下方运动，与压板的顶部接触，使得压板沿着其与安装板的接触点旋转，与运动至覆膜机构中的硅片上表面接触，通过调节活动块的位置改变推动板和压板之间的接触点位置，达到调整下压力的作用。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：所述安装板上安装有若干导轮，所述安装板的一侧拐角位置安装有模卷，所述安装板同侧的中间位置固定安装有连接架，所述连接架上安装有收卷轮，所述收卷轮由安装在安装板中间位置的电机一驱动，所述模卷上的保护膜通过由压板的靠外侧一端。
[0012]本专利技术的有益效果：1、电机三转动，通过连接在输出轴上的转轴带动驱动轮旋转，当驱动轮的大头一端与一侧的驱动块接触时，两个活动杆向该侧运动，驱动轮不断的与两个驱动块相接触，使得打磨块快速的往复运动，对打磨部位进行有效打磨，避免了由于打磨装置旋转造成的HF溶液飞溅；同时在驱动块与驱动轮的接触位置采用弧面设计，使得驱动块与驱动轮的接触更加平稳，减少接触时的冲击力2、传送装置将硅片带至压板的底部，驱动气缸收缩，推动板靠转轮一侧向下方运动，与压板的顶部接触，压板发生旋转，将下方的成型保护膜压覆在硅片表面，通过调节活动块的位置改变推动板和压板之间的接触点位置，达到方便调整下压力的作用，使得装置
的使用更加灵活。
附图说明
[0013]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0014]图1是本专利技术整体结构示意图；图2是本专利技术修边机构结构示意图；图3是本专利技术驱动轮安装结构示意图；图4是本专利技术覆膜机构结构示意图。
[0015]图中：1、底座；2、传送装置；3、覆膜机构；301、安装板；302、活动块；303、传动机构；304、驱动气缸；305、推动板；306、压板；307、导轮；308、电机一；309、收卷轮；310、连接架；311、模卷；312、电机二；4、硅片治具；5、修边机构；501、电机三；502、“C”型架；503、转轴；504、驱动轮；505、驱动块；506、滑套；507、打磨块；508、连架杆；509、活动杆。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除硅片边缘氧化膜的结构，包括底座（1）、传送装置（2），其特征在于，所述传送装置（2）设置为环形传送带，所述传送装置（2）的两侧分别设置有覆膜机构（3）和修边机构（5），所述传送装置（2）上设置有若干硅片治具（4），若干所述硅片治具（4）成等间距排列，所述硅片治具（4）中固定有硅片本体，硅片治具（4）携带硅片本体在传送装置（2）上运动一周，由覆膜机构（3）完成贴膜，所述修边机构（5）中，通过驱动轮（504）驱动打磨块（507）完成打磨过程。2.根据权利要求1所述的一种去除硅片边缘氧化膜的结构，其特征在于，所述修边机构（5）包括外部壳体，壳体中设置有“C”型架（502），所述“C”型架（502）中转动连接有转轴（503），所述转轴（503）由安装在“C”型架（502）顶部的电机三（501）对其进行驱动，所述“C”型架（502）顶部内壁的中间位置固定安装有两个连架杆（508），两个所述连架杆（508）的底部均固定安装有滑套（506），所述滑套（506）中均滑动连接有活动杆（509），两个所述活动杆（509）上均固定安装有两个驱动块（505）。3.根据权利要求2所述的一种去除硅片边缘氧化膜的结构，其特征在于，所述转轴（503）上安装有驱动轮（504），所述驱动轮（504）为凸轮结构，两个所述驱动块（505）的相对一侧的中间处均开设有圆弧面。4.根据权利要求2所述的一种去除硅片边缘氧化膜的结构，其特征在于，两个所述活动杆（509）的远离驱动块（505）的一侧固定安装有打磨块（507），所述打磨块（507）为环形，与硅片边缘尺寸相适应，所述打磨块（507）中渗有HF溶液。5.根据权利要求2所述的一种去除硅片边缘氧化膜的结构，其特征在于，所述覆膜机构（3）包括安装板（301），所述安装板（301）上固定安装在底座（1）的顶部，所述安装板（301）顶部边缘位置固定安装有传动机构（303），所述传动机构...

【专利技术属性】
技术研发人员：高洪涛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：