耐压测试电路及装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于耐压测试技术领域，公开了一种耐压测试电路及装置。该电路包括整流模块、直流耐压测试模块、交流耐压测试模块及耦合模块；整流模块对市电的电源电压进行整流后输出直流电压至直流耐压测试模块和交流耐压测试模块；直流耐压测试模块对直流电压进行逆变调压、升压和整流处理得到高压直流电压输出至耦合模块；交流耐压测试模块对直流电压进行逆变调压和升压处理得到高压交流电压输出至耦合模块；耦合模块根据高压交流电压和高压直流电压确定目标偏置交流电压来实现待测试器件的耐压测试。通过上述两组测试模块的电压耦合后得到带有高压直流偏置的目标偏置交流电压，模拟变压器真实工作状态，精确还原待测试器件的工作环境，提高测试精度。提高测试精度。提高测试精度。

【技术实现步骤摘要】
耐压测试电路及装置


[0001]本专利技术涉及耐压测试
，尤其涉及一种耐压测试电路及装置。

技术介绍

[0002]随着消费者安全意识的提高以及生产厂商对产品质量的日益重视，各厂商在产品设计和生产过程中会对产品的安全性能进行测试来确保产品的质量和安全性，在各种安全性能测试中，耐压测试是最基本、最常用的测试手段。根据不同电气产品的不同技术要求，在产品上施加一个高于正常工作的测试电压并持续进行一段时间测试，如果在规定的时间内，被测零部件泄漏电流保持在规定的安全范围内，就可以判定这个零部件在正常的条件下运转是非常安全的，这个过程就是耐压测试。
[0003]高频变压器具有高效率，节省电力资源，在使用寿命上也比一般的变压器要长许多的优势，还具有节约能源和环境保护的双重社会经济效益。然而针对工频变压器进行耐压测试时，传统的耐压测试装置均由工频电流调压增压后取得，也即得到高压交流电的频率仍然为工频50Hz，不能满足高频变压器耐压测试中对高频交流电的需求。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种耐压测试电路及装置，旨在解决现有耐压测试装置无法满足高频变压器耐压测试需求的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了一种耐压测试电路，所述耐压测试电路包括：整流模块、直流耐压测试模块、交流耐压测试模块以及耦合模块；所述整流模块的输入端与市电连接，所述整流模块的输出端分别与所述直流耐压测试模块的输入端和所述交流耐压测试模块的输入端连接，所述直流耐压测试模块的输出端和所述交流耐压测试模块的输出端分别与所述耦合模块的输入端连接，所述耦合模块的输出端与待测试器件连接；其中，
[0007]所述整流模块，用于接收所述市电的电源电压，对所述电源电压进行整流，输出直流电压至所述直流耐压测试模块和所述交流耐压测试模块；
[0008]所述直流耐压测试模块，用于对所述直流电压进行逆变调压处理、升压处理和整流处理，以获得高压直流电压，并将所述高压直流电压输出至所述耦合模块；
[0009]所述交流耐压测试模块，用于对所述直流电压进行逆变调压处理和升压处理，以获得高压交流电压，并将所述高压交流电压输出至所述耦合模块；
[0010]所述耦合模块，用于根据所述高压交流电压和所述高压直流电压确定目标偏置交流电压，以通过所述目标偏置交流电压实现所述待测试器件的耐压测试。
[0011]可选地，所述直流耐压测试模块，包括依次连接的第一全桥逆变单元、第一变压单元以及整流输出单元；其中，
[0012]所述第一全桥逆变单元，用于对所述直流电压进行逆变处理和移相调压处理，以
获得高频方波交流电压，并将所述高频方波交流电压输出至所述第一变压单元；
[0013]所述第一变压单元，用于对所述高频方波交流电压进行升压处理，以获得高压交流电压，并将所述高压交流电压输出至所述整流输出单元；
[0014]所述整流输出单元，用于对所述高压交流电压进行整流，以获得高压直流电压，并将所述高压直流电压输出至所述耦合模块。
[0015]可选地，所述第一全桥逆变单元，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管；其中，
[0016]所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接；
[0017]所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的源极分别与所述整流模块的输出端连接。
[0018]可选地，所述第一变压单元，包括：第一变压器；其中，
[0019]所述第一变压器的原边绕组的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一变压器的原边绕组的第二端与所述第四MOS管的漏极连接，所述第一变压器的副边绕组与所述整流输出单元的输入端连接。
[0020]可选地，所述整流输出单元，包括：整流二极管和第一电容；其中，
[0021]所述整流二极管的阳极与所述第一变压器的副边绕组的第一端连接，所述整流二极管的阴极与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述第一变压器的副边绕组的第二端连接。
[0022]可选地，所述交流耐压测试模块，包括依次连接的第二全桥逆变单元和第二变压单元；其中，
[0023]所述第二全桥逆变单元，用于对所述直流电压进行逆变调压处理，以获得高频方波交流电压，并将所述高频方波交流电压输出至所述第二变压单元；
[0024]所述第二变压单元，用于对所述高频方波交流电压进行升压处理，以获得高压交流电压，并将所述高压交流电压输出至所述耦合模块。
[0025]可选地，所述第二全桥逆变单元，包括：第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管以及第八MOS管；其中，
[0026]所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极连接，所述第八MOS管的源极与所述第六MOS管的源极连接；
[0027]所述第五MOS管的漏极和所述第六MOS管的源极分别与所述整流模块的输出端连接。
[0028]可选地，所述第二变压单元，包括：第二变压器；其中，
[0029]所述第二变压器的原边绕组的第一端与所述第五MOS管的源极连接，所述第二变压器的原边绕组的第二端与所述第八MOS管的漏极连接，所述第二变压器的副边绕组与所述耦合模块的输入端连接。
[0030]可选地，所述整流模块包括：第一开关、第二开关、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管以及第二电容；其中，
[0031]所述第一开关的第一端和所述第二开关的第一端分别与所述市电的两端连接；
[0032]所述第一开关的第二端与所述第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极连接；
[0033]所述第二开关的第二端与所述第三二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极与所述第三二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阳极连接；
[0034]所述第二电容的第一端与所述第三二极管的阴极连接，所述第二电容的第二端与所述第四二极管的阳极连接。
[0035]此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种耐压测试装置，所述耐压测试装置包括如上文所述的耐压测试电路。
[0036]本实施例提出一种耐压测试电路，该电路包括整流模块、直流耐压测试模块、交流耐压测试模块及耦合模块。通过整流模块对市电的电源电压进行整流后输出直流电压至直流耐压测试模块和交流耐压测试模块；直流耐压测试模块对直流电压进行逆变调压处理、升压处理和整流处理得到高压直流电压输出至耦合模块；交流耐压测试模块对直流电压进行逆变调压处理和升压处理得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐压测试电路，其特征在于，所述耐压测试电路包括：整流模块、直流耐压测试模块、交流耐压测试模块以及耦合模块；所述整流模块的输入端与市电连接，所述整流模块的输出端分别与所述直流耐压测试模块的输入端和所述交流耐压测试模块的输入端连接，所述直流耐压测试模块的输出端和所述交流耐压测试模块的输出端分别与所述耦合模块的输入端连接，所述耦合模块的输出端与待测试器件连接；其中，所述整流模块，用于接收所述市电的电源电压，对所述电源电压进行整流，输出直流电压至所述直流耐压测试模块和所述交流耐压测试模块；所述直流耐压测试模块，用于对所述直流电压进行逆变调压处理、升压处理和整流处理，以获得高压直流电压，并将所述高压直流电压输出至所述耦合模块；所述交流耐压测试模块，用于对所述直流电压进行逆变调压处理和升压处理，以获得高压交流电压，并将所述高压交流电压输出至所述耦合模块；所述耦合模块，用于根据所述高压交流电压和所述高压直流电压确定目标偏置交流电压，以通过所述目标偏置交流电压实现所述待测试器件的耐压测试。2.如权利要求1所述的耐压测试电路，其特征在于，所述直流耐压测试模块，包括依次连接的第一全桥逆变调压单元、第一变压单元以及整流输出单元；其中，所述第一全桥逆变单元，用于对所述直流电压进行逆变处理和移相调压处理，以获得高频方波交流电压，并将所述高频方波交流电压输出至所述第一变压单元；所述第一变压单元，用于对所述高频方波交流电压进行升压处理，以获得高压交流电压，并将所述高压交流电压输出至所述整流输出单元；所述整流输出单元，用于对所述高压交流电压进行整流，以获得高压直流电压，并将所述高压直流电压输出至所述耦合模块。3.如权利要求2所述的耐压测试电路，其特征在于，所述第一全桥逆变单元，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管；其中，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接；所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的源极分别与所述整流模块的输出端连接。4.如权利要求3所述的耐压测试电路，其特征在于，所述第一变压单元，包括：第一变压器；其中，所述第一变压器的原边绕组的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一变压器的原边绕组的第二端与所述第四MOS管的漏极连接，所述第一变压器的副边绕组与所述整流输出单...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐硕，许中，王勇，栾乐，马智远，周凯，唐宗顺，杨帆，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司广州供电局，
类型：发明
国别省市：