【技术实现步骤摘要】
一种大功率高频高压硅堆反向浪涌试验仪
[0001]本技术涉及高频高压硅堆反向浪涌试验领域,具体涉及一种大功率高频高压硅堆反向浪涌试验仪。
技术介绍
[0002]目前高压硅堆反向浪涌试验仪,通常通过低频大功率变压器升压可以获得大功率低频(mS级)反向浪涌;对于高频(μS级)大功率反向浪涌,如果也通过此类似的高频大功率变压器升压方式,则很难做到控制浪涌冲击试验的单次或多次冲击要求。如果通过高压状态下LC谐振产生单次正弦波脉冲,或通过恒流源向电容充电形成标准的三角波,则要达到高频就很难达到大功率(原因是要高频就要减少LC值,减少LC很难产生大功率)。
技术实现思路
[0003]为了解决上述技术问题,本技术提出了一种大功率高频高压硅堆反向浪涌试验仪,通过与此完全不同的方式解决高频和大功率、任意次产生冲击脉冲多方面的难题。
[0004]本技术的技术方案:
[0005]一种大功率高频高压硅堆反向浪涌试验仪,它包括大功率高压直流电源、大功率高压高速电子开关、单/多脉冲产生控制单元、待测试硅堆、示波器,所述大功率 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大功率高频高压硅堆反向浪涌试验仪,其特征在于,它包括大功率高压直流电源、大功率高压高速电子开关、单/多脉冲产生控制单元、待测试硅堆、示波器,所述大功率高压高速电子开关是多个电子开关模块串联组成,电子开关模块包括驱动电路和IGBT功率模块,驱动电路的输出连接IGBT功率模块的栅极G,相邻之间的电子开关模块是通过上一个IGBT功率模块的发射极E连接下一个IGBT功率模块的集电极C,第一个IGBT功率模块的集电极C连接大功率高压直流电源的正极,最后一个IGBT功率模块的发射极E连接待测试硅堆的负极,待测试硅堆的正极接地且接地的线路上串接有取样电阻,待测试硅堆的正极还通过信号线连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:许铁华,
申请(专利权)人:江苏皋鑫电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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